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最新のオール電化セット！！ Ｐanasonic・HITACHIの最新オール電化セットを展示！！ 販売は・・・なんと！！限定３セット！！ 最新最強の太陽光発電！！ KYOSERAからは、効率のよいレイアウトで、屋根に調和する薄型・軽量タイプ。SAMURAI 今年注目！！SUNTECHは単結晶によるクオリティ「BLACK LABEL」高性能で高品質！！ 25年長期出力保証！！ そして！今回このページを見てる方に・・・広告を印刷して会場に持って来てくださいますと、来場記念品と交換させて頂きます！
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大阪チタニウムテクノロジーズ 本店：兵庫県尼崎市東浜町１番地 【商号履歴】 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ 住友チタニウム株式会社（2002年１月～） 株式会社住友シチックス尼崎（1999年４月～2002年１月） 株式会社鹿島ビジネスサービス（？～1999年４月） 【株式上場履歴】 ＜東証１部＞2005年３月１日～ ＜東証２部＞2002年３月８日～2005年２月28日（１部に指定替え） 【沿革】 当社の前身である住友シチックス株式会社の歴史は、昭和12年１月電気銑の製造を目的とした「大阪特殊製鉄所」に始まりました。その後、昭和27年４月に我が国で初めて金属チタンの工業生産を開始しました。同年11月に商号を「大阪チタニウム製造㈱」に変更し名実ともにチタンメーカーとして再出発いたしました。また、チタン製造の塩化工程で副生される四塩化珪素(高純度シリコンの原料)を有効利用する観点から、高純度シリコンの開発に着手、昭和35年１月多結晶シリコンの工業生産に成功し、その後、引続き単結晶シリコンウエーハの半導体事業分野へと順次その業容を拡大いたしました。平成５年１月、チタン及びシリコンを主力とするメーカーとして、商号を「住友シチックス㈱」に変更いたしました。その後、同社の全額出資により当社が設立され、平成９年10月１日に金属チタン・多結晶シリコン・同関連開発商品の製造販売に関する営業譲渡を受け、現在に至っております。この間、平成14年１月１日に住友チタニウム㈱に商号を変更し同年３月８日に東京証券取引所に株式上場いたしました。尚、住友シチックス㈱は、平成10年10月１日に住友金属工業㈱と合併し、その後平成14年２月１日に住友金属工業㈱から旧住友シチックス㈱の事業である単結晶シリコンウエーハ事業が三菱住友シリコン㈱（現 ㈱ＳＵＭＣＯ）に営業譲渡されております。 平成９年５月 大阪チタニウム製造㈱を母体とする住友シチックス㈱(平成10年10月に住友金属工業㈱と合併)の全額出資により、商号を㈱シチックス尼崎として、当社が設立されました。 平成９年10月 住友シチックス㈱より金属チタン・多結晶シリコン・チタン及びシリコン関連開発商品の製造・販売に関する営業譲渡を受け、商号を㈱住友シチックス尼崎に変更。同時に操業を開始いたしました。 平成11年４月 ㈱鹿島ビジネスサービス(形式上の存続会社)(本店の所在地：大阪市中央区北浜4丁目5番33号、資本金：10百万円、1株の額面金額：500円)と合併し、法手続き上は解散いたしました。当該合併会社が、実質上の存続会社である当社の事業をそのまま継承し、商号を「㈱住友シチックス尼崎」に変更いたしました。 平成14年１月 商号を「住友チタニウム㈱」に変更いたしました。 平成14年３月 東京証券取引所市場第二部に株式上場いたしました。 平成17年３月 東京証券取引所市場第一部に株式上場いたしました。
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ソーラーパネル ▼近所の家電量販店を検索する 【概要】 ソーラーパネル（solar panel）は、太陽電池をいくつも並べて相互接続し、 パネル状にしたもの。太陽電池パネル（photovoltaic panel）、 太陽電池モジュール（photovoltaic module）とも。 ソーラーパネルはさらに大きな太陽光発電システムの部品として使われ、 商用や住宅用に電力を供給する。 1枚のソーラーパネルが発電できる電力は限られており、通常は複数枚並べて設置する。 これを太陽電池アレイと呼ぶ。太陽光発電には、ソーラーパネル群、インバータ、二次電池、 それらをつなぐ配線などが必要である。 太陽光発電システムは電力網と接続することもあるし、 接続せずに単独で使用することもある。 また、人工衛星や宇宙ステーションでもよく使われている。 ソーラーパネルは太陽からの光エネルギー（光子）を使い、 光起電力効果を応用して電気を発生させる。 モジュールの構造を保持するのは上層の場合（表板構造）や下層の場合（基板構造）がある。 よく使われるのはウェハーベースの結晶シリコンを使った太陽電池とテルル化カドミウム またはシリコンを使った薄膜型の太陽電池である。 結晶シリコンは半導体製造の原料でもある。 太陽電池を実用的なものとするには、まず複数の太陽電池を電気的に相互接続し、 システムの他の部分と接続しなければならない。また、製造・輸送・設置・利用の各段階で 壊れないよう保護する必要がある。特に、雹（ひょう）や雨、積雪の重みが問題となる。 特にウェハーベースの太陽電池は脆いので注意が必要である。 湿気が内部に入り込むと金属の配線や接続部分が腐食する危険性があり、 薄膜型の太陽電池や透明導電性薄膜層も湿気に弱いため、注意しないと性能低下や寿命短縮に繋がる。 ソーラーパネルは硬いものがほとんどだが、薄膜型の太陽電池を使ったものは柔軟性のあるものもある。 必要な電圧を確保するため、直列に太陽電池を接続し、電流を確保するためにそれらをさらに並列に接続する。 一部または全部が影に入ったり、夜になると電流の逆流が起きることがある。 それを防ぐため、別途ダイオードを使うこともある。 単結晶シリコンの太陽電池のpn接合は光が当たっていないときに逆電流を生じさせる特性があるが、 これは不要である。逆電流は単に電力を無駄に消費するだけでなく、 太陽電池が熱を持つという問題もある。太陽電池は高温になるほど効率が低下するため ソーラーパネルはなるべく熱を持たないのが望ましい。 冷却を考慮した設計のソーラーパネルはほとんどないが、 設置する際に背面から放熱できるようにするなどの工夫をすることが望ましい。 最近のソーラーパネルには、レンズまたは鏡を使って太陽光をより小さな太陽電池に集める集光装置を 採用したデザインのものもある。 単位面積当たりの単価が高い太陽電池（ヒ化ガリウムを使ったものなど）を使って 比較的安価なソーラーパネルを作ることができる。 ソーラーパネルの構成によっては様々な波長の光で発電できるが、 一般に太陽光のあらゆる波長をカバーすることはできない（特に紫外線、赤外線、間接光など）。 つまり太陽光エネルギーの大部分を捨てていることになる。 ソーラーパネルは適切な単色光を照射したとき最も効率がよい。 そこで、太陽光を複数の波長に分け、それぞれのビームをその波長が得意な太陽電池に当てるという 仕組みのソーラーパネルが提案されている。 また、赤外線を中心として発電できる太陽電池を使ったTPV（熱起電力）発電も提案されている。 ソーラーパネルの効率を表す太陽光変換効率は、市販されているもので5%から18%となっており、 一般にパネルを構成する太陽電池単独の効率より低い。 【機能】 結晶シリコンモジュール 結晶シリコンを使った太陽電池を採用したモジュールで、今のところ最もよく見られる。 単結晶モジュールと多結晶モジュールに分けられる。 薄膜モジュール 薄膜型太陽電池を採用したモジュール。 低コストで高効率である。 ガラス基板薄膜モジュール 硬い薄膜モジュールで、太陽電池とモジュールが同じ生産ラインで製造される。 太陽電池をガラスの基板または表板上に形成し、配線もその場で行う。 基板や表板は多層構造になっている。太陽電池としては、CdTe、アモルファスシリコン (a-Si)、 a-Siとuc-Si（単結晶シリコン）の多接合型、CIS系などがよく使われている。 アモルファスシリコンの太陽光変換効率は6%から12%である。 フレキシブル基板薄膜モジュール 柔らかい薄膜モジュールで、こちらも太陽電池とモジュールが同じ生産ラインで製造される。 主にポリエチレンテレフタラート (PET) の基板上に太陽電池を形成する。 他にも、ポリエステル、ポリイミドのフィルムが使われる。 これらは絶縁体なので配線もガラスと同様容易である。 基板に電気伝導体を使う場合は、別の技法を必要とする。 主にアモルファスシリコンを使った薄膜型の太陽電池を無色透明のフッ素樹脂上に形成して そちらを表面とし、裏面を別の樹脂フィルムで補強する。 IntertechPiraによると、フレキシブル基板を含む薄膜型太陽電池市場は2019年まで年率35%で成長すると予測されている[6]。 電子回路組み込み型モジュール 太陽電池モジュールに電子回路を組み込んだものが製造され始めている。 それによって個々のモジュールが最大電力点追従 (MPPT) を行ったり、 稼働データを監視してモジュールレベルで障害発生を検出する。 ソーラーパネルの価格を調べる 【メーカー】 シャープ 京セラ 三菱電機 三洋電機 東芝 ソーラーフロンティア サンテック カナディアンソーラー ▼近所の家電量販店を検索する ▼お得なWEBチラシを検索する
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住友シチックス 【商号履歴】 住友シチックス株式会社（1993年１月１日～1998年10月１日住友金属工業株式会社に合併） 大阪チタニウム製造株式会社（1952年11月～1993年１月１日） 株式会社大阪特殊製鉄所（1950年11月24日～1952年11月） 【株式上場履歴】 ＜東証１部＞1985年９月２日～1998年９月24日（住友金属工業株式会社に合併） ＜大証１部＞1985年９月２日～1998年９月24日（住友金属工業株式会社に合併） ＜東証２部＞1964年10月１日～1985年９月１日（１部指定） ＜大証２部＞1964年10月１日～1985年９月１日（１部指定） ＜東証１部＞1955年12月23日～1964年９月30日（２部に指定替え） ＜大証１部＞1955年９月29日～1964年９月30日（２部に指定替え） ＜名証１部＞ 年 月 日～1962年８月28日（上場再審査） 【沿革】 1937（昭和12）年11月 電気銑の製造を目的として大阪特殊製鉄所を設立 1950（昭和25）年11月 株式会社大阪特殊製鉄所に改組 1951（昭和26）年１月 金属チタンの製造研究を開始 1952（昭和27）年７月 住友金属工業株式会社が資本参加 1952（昭和27）年11月 商号を大阪チタニウム製造株式会社に変更 1953（昭和28）年５月 株式会社神戸製鋼所が資本参加 1954（昭和29）年３月 金属チタンの第１期プラントが完成し、工業生産開始 1955（昭和30）年９月 大阪証券取引所に上場（昭和39年10月１日資本構成上第二部に指定） 1955（昭和30）年12月 東京証券取引所に上場（昭和39年10月１日資本構成上第二部に指定） 1957（昭和32）年３月 半導体シリコンの製造研究開始 1960（昭和35）年１月 半導体シリコン多結晶の工業生産開始 1961（昭和36）年４月 半導体シリコン単結晶の工業生産開始 1962（昭和37）年１月 半導体シリコンウェーハの生産開始 1973（昭和48）年８月 住友金属工業株式会社と共同出資により、佐賀県に九州電子金属株式会社（シリコンウェーハ製造）を設立 1975（昭和50）年９月 九州電子金属株式会社でウェーハの生産を開始し、シリコンウェーハの生産を開始し、シリコンウェーハ製造を全面的に同社に移す 1979（昭和54）年４月 九州電子金属株式会社で単結晶の工業生産開始 1981（昭和56）年６月 金属チタンインゴットの生産開始 1982（昭和57）年１月 金属チタン（スポンジチタン）新工場操業開始 1982（昭和57）年６月 九州電子金属株式会社で、エピタキシャルウェーハの工業生産開始 1984（昭和59）年２月 佐賀県伊万里市に九州電子金属株式会社の新工場総合開始 1984（昭和59）年４月 半導体シリコン多結晶新工場操業開始 1985（昭和60）年９月 東京・大阪両証券取引所の市場第一部に指定替え 1992（平成４）年10月 九州電子金属株式会社と合併 1993（平成５）年１月 商号を住友シチックス株式会社に変更 1997（平成９）年５月 当社全額出資の子会社株式会社シチックス尼崎を設立 1997（平成９）年10月１日 株式会社シチックス尼崎を株式会社住友シチックス尼崎に商号変更。金属チタン、多結晶シリコン、チタンおよびシリコン関連開発商品の各事業を株式会社住友シチックス尼崎に譲渡 1998（平成10）年10月１日 住友金属工業株式会社に合併。
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外観 Features 導体には、PC-OOC(単結晶無酸素銅線)を用い、サイズは0.2sq2芯シールドの内部配線材です。PC-OCC導体に不純物が非常に少なく伝送ロスの少ないピュアな伝送を可能にし、情報量を損なうことなく全体的に締まりの有り、歪の無い音を提供します。 絶縁体には電気特性に良い架橋ポリエチレンを使用しました。絶縁体の架橋ポリエチレンは、耐熱性に優れておりまして、ハンダ付けがあまり得意ではない方でも、絶縁体を溶かさずに作業を行えます。 Spec 導体構成 18本/0.12mm 導体材質 PC OOC（単一方向性結晶無酸素銅線） 絶縁体材質 架橋ポリエチレン 絶縁体外径 1.2mm 介在 / 撚り 綿糸 / 右撚り テープ 紙テープ シールド構造/材質 横巻シールド/TPC シールド構成 55本/0.12mm シース PVC 艶消し 黒 仕上がり外径 4.0mm 定価：399円 User s Comments Others 公式ホームページ： HWS-22(Online Shop) 価格.com - HWS-22：該当ページ無し Comments 名前 コメント
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電子回路関連 ウエハー 名前 画像・レシピ 説明 Monocristalline Silicon Boule(シリコン単結晶) 電気高炉 Silicon Dust 32+Tiny Gallium Dust 1シリコンの単結晶MV時代で作成できる。 Glowstone doped Monocristalline Silicon Boule(グローストーンをドープしたシリコン単結晶) 電気高炉 Silicon Dust 64+グローストーンダスト 8+Nitrogen 8000mBグローストーンが混ざったシリコンの単結晶HV時代で作成できる。 Naquadah doped Monocristalline Silicon Boule(ナクアダをドープしたシリコン単結晶) 電気高炉 Silicon Block 16+Naquadah Ingot 1+Argon 8000mBナクアダが混ざったシリコンの単結晶EV時代で作成できる。 Wafer(ウエハー) 切断機 Monocristalline Silicon Boule 1+[水 5mB/Distilled Water 3mB/Lubricant 1mB]薄くスライスしたシリコン単結晶 Glowstone doped Wafer(グローストーンをドープしたウエハー) 切断機 Glowstone doped Monocristalline Silicon Boule+[水 80mB/Distilled Water 60mB/Lubricant 20mB]薄くスライスしたシリコン単結晶 Naquadah doped Wafer(ナクアダをドープしたウエハー) 切断機 Naquadah doped Monocristalline Silicon Boule+[水 960mB/Distilled Water 721mB/Lubricant 240mB]薄くスライスしたシリコン単結晶 Integrated Logic Circuit (Wafer)(論理集積回路(ウエハー)) レーザー加工 [Wafer/[Glowstone/Naquadah] doped Wafer] 1+Lens(Red Garnet/Jasper/Ruby) 1レーザー加工したウエハー Integrated Logic Circuit(論理集積回路) 切断機 Integrated Logic Circuit (Wafer) 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー Random Access Memory Chip (Wafer)(RAMメモリチップ(ウエハー)) レーザー加工 [Wafer/[Glowstone/Naquadah] doped Wafer] 1+Lens(Green Sapphire) 1レーザー加工したウエハー Random Access Memory Chip(RAMメモリチップ) 切断機 Random Access Memory Chip (Wafer) 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー NAND Memory Chip (Wafer)(NANDメモリチップ(ウエハー)) レーザー加工 [Glowstone/Naquadah] doped Wafer 1+Lens(Enderpearl) 1レーザー加工したウエハー NAND Memory Chip(NANDメモリチップ) 切断機 NAND Memory Chip (Wafer) 1 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー NOR Memory Chip (Wafer)(NORメモリチップ(ウエハー)) レーザー加工 [Glowstone/Naquadah] doped Wafer 1+Lens(Endereye) 1レーザー加工したウエハー NOR Memory Chip(NORメモリチップ) 切断機 NOR Memory Chip 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー Central Processing Unit (Wafer)(中央処理装置(ウエハー)) レーザー加工 [Wafer/[Glowstone/Naquadah] doped Wafer] 1+Lens(Diamond/Glass/Dilithium) 1レーザー加工したウエハー Central Processing Unit(中央処理装置) 切断機 Central Processing Unit (Wafer) 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー SoC Wafer(マイクロプロセッサ(ウエハー)) レーザー加工 Naquadah doped Wafer 1+Lens(Yellow Garnet) 1レーザー加工したウエハー SoC(マイクロプロセッサ) 切断機 SoC Wafer 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー ASoC Wafer(機密マイクロプロセッサ(ウエハー)) レーザー加工 Naquadah doped Wafer 1+Lens(Topaz) 1レーザー加工したウエハー ASoC(機密マイクロプロセッサ) 切断機 ASoC Wafer 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー PIC Wafer(パワーIC)(ウエハー) レーザー加工 [Glowstone/Naquadah] doped Wafer 1+Lens(Blue Topaz/Opal/Sapphire) 1レーザー加工したウエハー Power IC(パワーIC) 切断機 PIC Wafer 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー HPIC Wafer(ハイパワーIC(ウエハー)) 化学槽 PIC Wafer 1+Indium Gallium Phosphide Dust 2レーザー加工したウエハー High Power IC(ハイパワーIC) 切断機 HPIC Wafer 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー NanoCPU Wafer(ナノCPU(ウエハー)) 化学槽 Central Processing Unit (Wafer) 1+Raw Carbon Fibre(ic2) 16+Molten Glowstone 576mBレーザー加工したウエハー Nanocomponent Central Processing Unit(ナノコンポーネント中央処理装置) 切断機 NanoCPU Wafer 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー QBit Wafer(QBit(ウエハー)) 化学槽 NanoCPU Wafer 1+Quantum Eye 2+Molten Gallium Arsenide 288mBウエハー QBit Processing Unit(QBit処理ユニット) 切断機 QBit Wafer 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー クリスタルチップ 名前 画像・レシピ 説明 Raw Crystal Chip(クリスタルチップ) 結合機 Exquisite [Olivine/Emerald] 1+Molten Europium 16mB説明 Engraved Crystal Chip(刻印したクリスタルチップ) 電気高炉 Raw Crystal Chip 1+[Olivine/Emerald] Plate 1+Helium 1000mB説明 Crystal Processing Unit(クリスタル処理ユニット) レーザー加工 Engraved Crystal Chip 1+Lens(Emerald) 1説明 Engraved Lapotron Chip(刻印したラポトロンチップ」) レーザー加工 Lapotron Crystal(ic2) 1+Lens(Blue Topaz/Opal/Sapphire) 1説明 Crystal SoC(クリスタルプロセッサ) レーザー加工 Crystal Processing Unit 1+Lens(Blue Topaz/Opal/Sapphire) 1説明 Neuro Processing Unit(ニューロプロセッシングユニット) 組立ライン(レシピスキャン) Crystalprocessor Mainframe 1+[Data Stick 1]説明 回路基板 名前 画像・レシピ 説明 Coated Circuit Board(コーティングした基板) Wood Plank 3+Sticky Resin(ic2) 2説明 Phenolic Circuit Board(フェノール基板) Glue Cell 1+Wood Pulp 8説明 Fiberglass Circuit Board(グラスファイバー基板) 電気高炉 Glass Dust 1+Carbon Dust 1+Molten Electrum 16mB説明 Epoxy Circuit Board(エポキシ基板) 化学槽 Epoxid Sheet 1+Copper Foil 1+Sulfuric Acid 125mB説明 Multilayer Fiberglass Circuit Board(2層グラスファイバー基板) 電気高炉 Fiberglass Circuit Board 1+Electrum Foil 16+Sulfuric Acid 250mB説明 Wetware Lifesupport Circuit Board(中枢基板) Multilayer Fiberglass Circuit Board 1+Electric Pump (LV) 1+Polysiloxane Bar 3+Polytetrafluoroethylene Sheet 2+Dragon Blood 2説明 回路部品 名前 画像・レシピ 説明 Resister(抵抗器) 紙 2+Coal Dust 1+[1x/Fine] Copper Wire 2組立機 Coal Dust 1+Fine Copper Wire 4説明 Capacitor(コンデンサ) 組立機 Thin Polyethylene Sheet 2+Aluminium Foil 1説明 Small Coil(小型コイル) Fine Copper Wire 8+Refined Iron Item Casing(ic2) 1説明 Diode(ダイオード) 板ガラス 2+黒の染料 2+[1x/Fine] Tin Wire 2+[Wafer/Tiny Gallium Dust] 1組立機 Fine Tin Wire 4+Tiny Gallium Dust 1+Molten Glass 288mB説明 Transistor(トランジスタ) 組立機 Fine Tin Wire 6+Silicon Plate 1+Molten Polyethylene 144mB説明 Vacuum Tube(真空管) 紙 2+Glass Tube 1+[1x/Fine] Copper Wire 3説明 SMD Resister(チップ抵抗器) 組立機 Fine Electrum Wire 4+Carbon Dust 1+Molten Polyethylene 144mB説明 SMD Capacitor(チップコンデンサ) 組立機 Thin Polysiloxane Sheet 2+Aluminium Foil 1+Molten Polyethylene 72mB説明 SMD Diode(チップダイオード) 組立機 Fine Platinum Wire 4+Tiny Gallium Dust 1+Molten Glass 288mB説明 SMD Transistor(チップトランジスタ) 組立機 Gallium Plate 1+Fine Annealed Copper Wire 6+Molten Polyethylene 288mB説明 集積回路 名前 画像・レシピ 説明 Electric Circuit(電子回路(ic2)) 1x Red Alloy Cable 3+Vacuum Tube 2+Resistor 2+Refined Iron Item Casing(ic2) 1+Coated Circuit Board 1説明 Good Electric Circuit(上位電子回路) 1x Red Alloy Cable 2+Refined Iron Item Casing(ic2) 2+Diode 1+Electric Circuit 4説明 Integrated Logic Circuit(集積回路) 回路組立機 Phenolic Circuit Board 1+Integrated Logic Circuit 1+[Resister/SMD Resister] 2+Fine Copper Wire 4+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]Epoxy Circuit Board 1+SoC 1+Fine Red Alloy Wire 4+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]説明 Good Integrated Circuit(上位集積回路) 回路組立機 Phenolic Circuit Board 1+Integrated Logic Circuit 3+[Resister/SMD Resister] 4+Fine Gold Wire 8+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]説明 Advanced Circuit(発展回路(ic2)) 回路組立機 Good Integrated Circuit 2+Integrated Logic Circuit 3+Random Access Memory Chip 1+[Transistor/SMD Transistor] 4+Fine Electrum Wire 16+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]説明 Integrated Processor(集積プロセッサー) 回路組立機 Epoxy Circuit Board 1+Central Processing Unit 1+[Resister/SMD Resister] 4+[Capacitor/SMD Capacitor] 4+[Transistor/SMD Transistor] 4+Fine Red Alloy Wire 4+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]Epoxy Circuit Board 1+SoC 1+Fine Electrum Wire 4説明 Processor Assembly(プロセッサーアセンブリ) 回路組立機 Epoxy Circuit Board 1+Integrated Processor 3+Small Coil 4+[Capacitor/SMD Capacitor] 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Red Alloy Wire 12+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Workstation(ワークステーション) 回路組立機 Epoxy Circuit Board 2+Processor Assembly 2+[Diode/SMD Diode] 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Electrum Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Mainframe(メインフレーム) 回路組立機 Aluminium Frame Box 1+Workstation 4+Small Coil 4+[Capacitor/SMD Capacitor] 24+Random Access Memory Chip 12+1x Annealed Copper Wire 12+Molten [Lead 1152mB/Tin 576mB/Soldering Alloy 288mB]説明 Nanoprocessor(ナノプロセッサー) 回路組立機 Fiberglass Circuit Board 1+Nanocomponent Central Processing Unit 1+SMD Resister 4+SMD Capacitor 4+SMD Transistor 4+Fine Electrum Wire 2+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]Fiberglass Circuit Board 1+ASoC 1+Fine Platinium Wire 4+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]説明 Nanoprocessor Assembly(ナノプロセッサーアセンブリ) 回路組立機 Fiberglass Circuit Board 1+Nanoprocessor 3+Small Coil 4+SMD Capacitor 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Electrum Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Elite Nanoprocessor(エリートナノプロセッサー) 回路組立機 Fiberglass Circuit Board 2Nanoprocessor Assembly 2+SMD Diode 4+NOR Memory Chip 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Electrum Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Nanoprocessor Mainframe(ナノプロセッサーメインフレーム) 回路組立機 Aluminium Frame Box 1+Elite Nanoprocessor 4+Small Coil 4+SMD Capacitor 24+Random Access Memory Chip 16+1x Annealed Copper Wire 12+Molten [Lead 1152mB/Tin 576mB/Soldering Alloy 288mB]説明 Quantumprocessor(クアンタムプロセッサー) 回路組立機 Multilayer Fiberglass Circuit Board 1+QBit Processing Unit 1+Nanocomponent Central Processing Unit 1+SMD Capacitor 4+SMD Transistor 4+Fine Platinum Wire 2+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]Fiberglass Circuit Board 1+ASoC 1+Fine Niobium-Titanium Wire 4+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]説明 Quantumprocessor Assembly(クアンタムプロセッサーアセンブリ) 回路組立機 Multilayer Fiberglass Circuit Board 1+Quantumprocessor 3+Small Coil 4+SMD Capacitor 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Platinum Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Master Quantumprocessor(マスタークアンタムプロセッサー) 回路組立機 Multilayer Fiberglass Circuit Board 2+Quantumprocessor Assembly 2+SMD Diode 4+NOR Memory Chip 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Platinum Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Quantumprocessor Mainframe(クアンタムプロセッサーメインフレーム) 回路組立機 Aluminium Frame Box 1+Master Quantumprocessor 4+Small Coil 4+SMD Capacitor 24+Random Access Memory Chip 16+1x Annealed Copper Wire 12+Molten [Lead 1152mB/Tin 576mB/Soldering Alloy 288mB]説明 Crystalprocessor(クリスタルプロセッサー) 回路組立機 Multilayer Fiberglass Circuit Board 1+Crystal Processing Unit 1+Nanocomponent Central Processing Unit 1+SMD Capacitor 4+SMD Transistor 4+Fine Niobium-Titanium Wire 2+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]説明 Crystalprocessor Assembly(クリスタルプロセッサーアセンブリ) 回路組立機 Multilayer Fiberglass Circuit Board 1+Crystalprocessor 3+Small Coil 4+SMD Capacitor 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Niobium-Titanium Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Ultimate Crystalprocessor(アルティメットクリスタルプロセッサー) 回路組立機 Multilayer Fiberglass Circuit Board 2+Crystalprocessor Assembly 2+SMD Diode 4+NOR Memory Chip 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Niobium-Titanium Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Crystalprocessor Mainframe(クリスタルプロセッサーメインフレーム) 回路組立機 Aluminium Frame Box 1+Ultimate Crystalprocessor 4+Small Coil 4+SMD Capacitor 24+Random Access Memory Chip 16+1x Superconductor Wire 12+Molten [Lead 1152mB/Tin 576mB/Soldering Alloy 288mB]説明 Wetwareprocessor(システムプロセッサー) 回路組立機 Wetware Lifesupport Circuit Board 1+Neuro Processing Unit 1+Crystal Processing Unit 1+SMD Capacitor 4+SMD Transistor 4+Fine Yttrium Barium Cuprate Wire 2+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]説明 Wetwareprocessor Assembly(システムプロセッサーアセンブリ) 回路組立機 Wetware Lifesupport Circuit Board 1+Wetwareprocessor 3+Small Coil 4+SMD Capacitor 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Yttrium Barium Cuprate Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Wetware Supercomputer(スーパーシステムコンピュータ) 回路組立機Wetware Lifesupport Circuit Board 2+Wetwareprocessor Assembly 2+SMD Diode 4+NOR Memory Chip 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Yttrium Barium Cuprate Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Wetwareprocessor Mainframe(システムプロセッサーメインフレーム) 組立ライン(レシピスキャン) Wetware Supercomputer 1+[Data Stick 1]説明 Wetwareprocessor Mainframe(システムプロセッサーメインコンピューター) 組立ライン(レシピスキャン) Wetwareprocessor mainframe 1+[Data Stick 1]説明 記憶媒体 Data Stick(データスティック) 回路組立機 Epoxy Circuit Board 1+Integrated Processor 1+NAND Memory Chip 32+Random Access Memory Chip 4+Fine Red Alloy Wire 8+Polyethylene Sheet 4+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]組立ラインでのレシピデータや地図のデータを保存するアイテム。 Data Orb(データオーブ) 回路組立機 Fiberglass Circuit Board 1+Nanoprocessor 1+Random Access Memory Chip 4+NOR Memory Chip 32+NAND Memory Chip 64+Fine Platinum Wire 32+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB結合機 Exquisite [Olivine/Emerald] 1+UU-Matter 100mB]複製機で複製する素材データを保存するアイテム。 中間素材 名前 画像・レシピ 説明 Glass Tube(ガラスチューブ) 合金精錬機 Glass Dust 1+Mold (Ball) 1Vacuum Tube作成の中間素材 名前 コメント
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ワイドサファイアをお気に入りに追加 ワイドサファイアの情報をまとめています。リンク先には学生・未成年の方には不適切な表現内容が含まれる場合があります。またリンク先の内容を保証するものではありません。ご自身の責任でクリックしてください。 ワイドサファイア ＜保存課＞ 使い方 サイト名 URL ワイドサファイア ＜情報１課＞ #bf ワイドサファイア ＜情報２課＞ #blogsearch2 ワイドサファイア ＜情報３課＞ #technorati ワイドサファイア ＜報道課＞ メンズアイテムを着る女性が増えている。その魅力とは - ニフティニュース 【2歳馬情報】三冠牝馬の娘とディープインパクト産駒の良血馬が激突！ - 競馬ラボ 土曜阪神の注目新馬４日６Ｒ・ダート１４００メートル（スポーツ報知） - Yahoo!ニュース - Yahoo!ニュース 伝統の水平対向4気筒を搭載した待望の新型登場！ スバルWRX S4の日本仕様を発表（WEB CARTOP） - Yahoo!ニュース - Yahoo!ニュース 今年は熱い（栗東） - スポーツ報知 新作超激得 美麗なマルチカラーサファイアブリオレットピアスチャームなど お得，2020 日本最大級のその他通販サイト。本物のアクセサリー, アートを求める方へのお買い得情報！毎日開催！人気ブランドが目白押し！ briolette - 週刊金曜日 超特価好評 nico.様 大人気のおもちゃ、ぬいぐるみ人形、アクセサリー, アロマキャンドルを豊富に取揃！どうぞ御遠慮なく選んでくださいませ！ 激安大特価，大得価 - 週刊金曜日 豊富な格安 K10刻印入華奢一粒エメラルドネックレス おもちゃが大充実品揃え! 新入荷 !人気売れ筋商品のぬいぐるみ人形, アクセサリーがネット最安値販売中! 人気セール，爆買い - 週刊金曜日 安い爆買い 山菜採り用大リュック10号帆布⑤ 大人気のiPhoneケーススマホPCを豊富に取揃！最安値に挑戦イベント！ぬいぐるみ置物, アクセサリージュエリー品質保証！お客様の声が、信頼の証です。送料無料！ 得価，安い - 週刊金曜日 トヨタ新型GR86発売！FRらしい外観のボディカラーは「スパークレッド」「サファイアブルー」など全7色 - clicccar.com(クリッカー) 【矢野経済研究所プレスリリース】ワイドバンドギャップ半導体単結晶世界市場に関する調査を実施（2021年）2027年のワイドバンドギャップ半導体単結晶世界市場は325億円と予測 - Dream News 盗賊ファルコは安定のダブルワイドバースト持ち。弱点無視＆短剣パに役立つ便利キャラ【電撃オクトラ日記＃294】 - 電撃オンライン 【プロキオンＳ】血統アナリシスbyウマニティ - サンケイスポーツ 【フェブラリーS】先週ダブル重賞ヒットの馬体診断！イチオシ評価＆特注馬は？｜馬体FOCUS - 競馬ラボ 【かしわ記念】ワイドファラオが逃げ切りＧＩ初勝利 - サンケイスポーツ 【かしわ記念レース後コメント】ワイドファラオ福永祐一騎手ら - netkeiba.com 競馬実況web - 【ニュージーランドＴ】（中山１１Ｒ）～ワイドファラオが内枠を生かして逃げ切り勝ち - ラジオNIKKEI 【ニュージーランドT】ワイドファラオが逃げ切り重賞初制覇/JRAレース結果 - netkeiba.com ワイドサファイア ＜成分解析課＞ ワイドサファイアの72%は電力で出来ています。ワイドサファイアの14%はお菓子で出来ています。ワイドサファイアの6%は元気玉で出来ています。ワイドサファイアの4%はハッタリで出来ています。ワイドサファイアの3%は真空で出来ています。ワイドサファイアの1%は嘘で出来ています。 ページ先頭へ
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海外の太陽光発電状況 2004年に始まったドイツでの太陽光発電の需要爆発は 欧州を起点としてアメリカやアジア、中東へと普及し 高成長を続けています。 これらはFIT（フィードインタリフ＝買上制度）などの 政策支援によって実現したものですが同時期日本では 政府の補助金削減が進みついに2006年には補助金を なくしてしまいました。 最近の海外における太陽光発電の状況をまとめてみました。 以下の順で掲載します。 （ヨーロッパ） （アメリカ） （台湾） （中国） （韓国） （インド） （シンガポール） （マレーシア） （中近東） （ヨーロッパ） 2007年のEU議会では2020年までにエネルギー消費量の ２割を再生可能なエネルギーにすることが決められました。 イギリスの場合は強烈で全体目標は15パーセントなのに 太陽光だけが35パーセントになっています。 ドイツは早くも2005年には太陽光発電の年間設置量で 日本を抜き、累計においても2006年には日本を抜いて 世界一の座に躍り出ています。 当時の日本はシャープが７年連続して首位の座にあり 我が世の春を横臥していましたが、アッという間に Ｑセルズに抜かれています。 これはシャープの責任ではなく政策の問題であったのに 世界中のマスコミが象徴的な出来事として大きく取り上げ ました。 2007年にはスペインで需要爆発し、フランス、イタリア、 ギリシャとヨーロッパ全域に拡大しています。 イギリスも2008年にはFITを導入しBRS（購入義務）との ２本立てになりました。 太陽光発電産業はシリコンをはじめとする原材料に始まり アルミ枠やガラス、フィルム、シールド材などの副資材、 原材料加工装置やインバーターやコントローラーなどの 周辺機器、建設、設置、メンテナンスなど裾野が広く ドイツでは2007年には新たな雇用が25万人生まれています。 ドイツでは太陽光以外の再生可能エネルギーとしては 風力発電も盛んで北部では電力が有り余る状態になっています。 これは電力大消費地の南部工業地帯へ送電する送電網が 完備していないからで電磁波規制の厳しいヨーロッパでは 住民運動が激しくて送電ネットワークの構築がままなりません。 日本の原発事故の影響を受けて19基の原発の内８基をを停止 したにもかかわらずオランダやオーストリア、スイスなど 隣国への電力輸出は2011年に比べると2012年は実に４倍もの 高い伸びになっています。 ヨーロッパでは高速列車網と同じで送電ネットワークを 早くから構築していたので国境を超えて送電するのが 当たり前のことになっています。 変電所がはるか遠くにある自国よりもすぐ近くにある隣国から 送電線を引けばいいという経済的で合理的な考えです。 そのためドイツにおいても2012年は電力輸出が666億kwに 対して輸入は438億kwになっています。輸入先は隣国の フランス、デンマーク、チェコが多くなっています。 ヨーロッパには再生可能エネルギー関連の企業は 万とありますがその中でも世界的に有名な企業をピックアップ してみました。 Ｑセルズ（ドイツ）：2012年破綻 多結晶 歴史に残る急成長、２年連続世界一、そして急破綻。 原因は中国製パネルの超安値（ワット単価80円）攻勢に敗北。 アベンゴア・ソーラー社（スペイン）：タワー式太陽熱発電 太陽熱発電にもかかわらず夜間も連続して24時間発電を 続けている太陽熱発電会社。 昼間発電した11メガワットの電力の一部を融解塩を熱して エネルギーを貯蔵し夜間の発電に使用。 太陽光発電では光を直接電力に変えるので太陽熱発電でないと この方法は使えません。 アクティブ・ソーラー社（オーストリア）：単結晶 ウクライナに45万枚以上の太陽光パネルを設置。 2012年から本格稼働。出力10万kw。 イソフォトン社（スペイン）：単結晶 スペインでは太陽光専門30年の老舗。2012年日本進出。 30年出力保証。CV21と提携。 ＲＥＣ社（ノルウェー）：単結晶 シンガポール工場でシリコンウエハからモジュールまでを 一貫生産。 （アメリカ） オバマ政権が誕生するまでは連邦政府はあまり熱心では ありませんでした。民主党は再生可能エネルギー導入には 熱心でしたが共和党が石油開発とセットにしたためです。 オバマ政権誕生後はドイツほどではありませんが 国家として、アメリカでは連邦政府としてになりますが 再生エネルギー推進のため投資負担軽減策が2008年で 切れるのを風力発電の１年間延長に対して太陽光発電は ８年と破格の措置を下しこれを電力会社にも適用したため メガソーラーブームに火がつきました。 アメリカの場合は連邦政府の減税措置に加えて 州の優遇措置の影響が大きくシュワちゃんこと シュワルツェネッガー・カリフォルニア州知事が 充実した支援策を打ち出したため全米太陽光発電の８割は カリフォルニア州に集中したところから出発しています。 もっともダイナミックなのはネバダ州の空軍敷地内に１億ドルもの 費用をかけて72000台もの大型パネルを設置したもの。 空軍内の一部である57ヘクタールの広大な土地はパネルだらけ。 580万個もの電池のセルが発電するパワーは14.2メガワット。 電力大食い施設である空軍基地の1/4をまかなうという 大容量発電設備でこれは新しいビジネスモデルも展開していて、 日本やヨーロッパ、カナダなどのキャップ・アンド・トレード制度 とはことなり、空軍の設備投資負担はゼロ。 20年契約の電気料金支払いでまかなう内容になっています。 NAFBのCEOマット・チェニーはすべての基地に設置すると意欲満々。 この画期的なビジネスモデルは利用者の設備投資負担がゼロ なので電力の大口需要家に広く普及する可能性を秘めています。 こちらは技術開発と言うより従来型ソリッドタイプの太陽光パネルで 100億円単位のお金を動かし新しいビジネスモデルを展開する 実業派タイプです。 太陽光発電のノウハウにつきましてはドイツのシーメンスが 先行していますがシェルに買収されてアメリカに渡り、 シェル撤退後はシリコンバレーに伝わって多くのベンチャー企業を 生み出しています。 ファースト・ソーラー社はCdTeで圧倒的な低コストで ヨーロッパ市場に進出し2007年には早くも世界シェアの １割に達しました。 続いてヨーロッパ進出を果たしたのが世界で初めてCIGSの 大量生産を実現したグローバル・ソーラー・エナジー社で 2009年にはベルリンに工場を建設しています。 場所はドイツのパネルメーカーであるソロン社の敷地内です。 本国においても建物一体型のダウ・ケミカル社と手を組んだ ことが吉と出て飛躍的な拡大に成功しました。 これはCIGSの特徴である薄膜の柔軟性に加えて最大の難問である 耐候性にすぐれた表面素材を使用していたためでした。 CIGSで注目されているのがソリンドラ社で奇抜なアイデアを 次々と実現しています。 円筒形の基盤は垂直方向だけではなく斜め方向や床の反射光 までをも吸収しありふれた水平基盤のソーラーパネルより 高効率な発電を可能にしました。 もっと変わったところではナノソーラー社があります。 社名の通りナノ技術を使って微結晶CIGSを含んだインキで プリントするもので製造現場は印刷工場のようです。 真空工程がないのでシンプルで安価な製品ができあがります。 場所をとらず高速プリントできるのも大きな長所です。 ファースト・ソーラー社：CdTe ワット単価60円を実現。 文句なしの世界一。 工場はアメリカ本国とドイツ及びマレーシア。 マレーシアの大規模工場により業界一位の低コストを実現。 サンパワー社：単結晶 工場はフィリピン。東芝にＯＥＭ供給。シャープにも予定。 グローバル・ソーラー・エナジー社：CIGS 工場はアメリカ本国とドイツ。 1996年設立。 ナノソーラー社：CIGS、印刷式 ユナイテッド・ソーラー社：３層薄膜 パワーフレックス社：CIGSフレキシブル 製造方法が特殊で緑色をしています。 パワーフィルム社：アモルファス・フレキシブル ソリンドラ社：円筒形CIGS ミアソール社：CIGS その他、サンライト社など薄膜系が多くなっています。 アメリカではベンチャー企業が乱立しているため ソーラーパネル関連企業は増加の一方になっていて その数は毎年百社単位で増え続けています。 またアメリカの特徴としては太陽熱発電も積極的に 活用しています。 （台湾） 台湾のメーカーが2004年に始まったヨーロッパでの 需要爆発を見逃すはずがありません。 2005年にはソーラーセル製造メーカーの乱立が開始 されています。 2007年には日本に追いつき2008年以後は加速度的に 大きく引き離しています。 もともと台湾は半導体王国でしたから大手メーカーが 相次いで薄膜に参加し早々に生産を開始しています。 シリコンアイランドがアッという間にソーラーアイランド に変身しています。 大手４社にその他大勢というのは日本に似ていますが 半導体メーカーのすぐれた技術者が大挙して参入したと いう構図は韓国の太陽光発電業界に近くなっています。 モーテック社 台湾の太陽光発電トップメーカー。 2007年には早くも世界第６位の生産量を達成。 中国のサンテックと並んで世界を代表するメーカーに 急成長しました。 ジンテック社 モーテックと並んで台湾を代表する太陽光発電メーカー。 2005年の設立にもかかわらずわずか５年後の2010年には 第三工場まで建設して世界の１割強を占めるまでに。 デルソーラー社 デスクトップパソコン組み立てマニアにはおなじみの サーバー電源や放熱ファンの世界トップメーカーである デルタ電子の子会社。設立は2004年。 2010年には第二工場も完成させ生産能力も1000ギガに。 親会社のデルタ電子も新発電システムの開発に注力。 ネオソーラーパワー社 半導体大手のTSMCや力晶半導体の技術者OBが設立。 設立は2005年。 原材料のシリコンウエハはノルウェーのREC社から購入。 製品はCEOが中国系カナダ人のカナディアンソーラーへ OEM供給。 サンウェル・ソーラー社 メディアストレージ大手のCMCマグネティクスの子会社。 2007年設立。 アモルファスシリコン製造。 オーリア・ソーラー社 2008年設立。 アモルファスシリコンパネル製造。 エリコン・ソーラー製装置で生産。 これら以外にも大手液晶パネルメーカーの友達光電や 奇美電子は子会社にてアモルファスシリコンなどを 製造し生き残りをかけて第三世代の技術開発に チカラを入れています。 他にもナノウィン・テクノロジー社がCIGS開発に 専念しているなどたくさんあります。 多すぎて忘れるところでしたがＵＭＣもギガワットを 達成した大メーカーです。 教材や個人の趣味向けの小型パネルを製造しているのは オプトサプライ・ソーラー社で秋葉原や日本橋などの 電気部品店で2009年から小売りされていますが 今では当時の半額近くに価格が下がっています。 中国製ならさらにその半額以下で販売されています。 10Wクラスの小型パネルであっても数百万枚も 製造していますから年間生産量のギガワットに達します。 OEM供給元になっているところが多いのが特徴です。 （中国） やり出したら止まらないのが中国です。 成長というのは右肩上がりが通常の姿だと思っていたら 垂直上昇もあり得ることを示してくれたのが中国の 太陽光発電企業です。まるでロケットです。 2006年から2007年にかけては中国メーカーの アメリカ上場ラッシュが起こっています。 半導体最大手のアメリカ企業アプライド・マテリアル社が 太陽光発電産業に参入するということも手伝って 中国と太陽の名前さえあれば上場できる状況でした。 中国企業大手10社がアメリカ市場に上場して手に入れた 数千億円は大胆な設備投資と原材料のシリコン購入に 使用されたためシリコン価格は40ドル/kgから一気に 400ドル/kgにまで跳ね上がりました。 やることが極端なのが中国企業です。 シリコン価格についてはピーク時に500ドル/kgという 信じられない高値が付いています。 中国勢のスポット買いが原因になっています。 サンテックパワーは当初からそこそこの技術力があったので評価も高く たちまちにして破格の価格でヨーロッパを制覇して世界一の生産量になり それまで世界一であったドイツのＱセルズを破綻にまで追い込みました。 21世紀になってからの中国や台湾の太陽光発電関連企業の成長は著しく 短期間に雨後のタケノコのように1000社を超える乱立ぶりで 太陽光発電の世界的な大メーカーになった会社だけでも数社はあります。 サンテックパワー 先陣をきったのがサンテックパワーです。 施正栄CEOはオーストリアで太陽光発電の研究に従事しています。 帰国後すぐにソーラー事業を始めています。 大胆で積極的な経営は中国太陽光発電業界の模範と写り、 それに続く300社が出現しました。 今日では1000社を超えています。 政府や地方行政の強力な支援も手伝って2005年からの伸び率は ほぼ垂直という偉業を成し遂げています。 運が良かったと言ってしまえばそれまでですが、 太陽光発電向けの高純度シリコンは半導体向けに比べ 10万分の１の純度で済んだのも味方しました。 製造方法がシーメンス法で十分であったからです。 バルク系シリコンの単結晶は変換効率が高く、 薄膜系に比べても２倍以上のモジュール変換効率が 15パーセントを早くから達成しています。 今日では20パーセントを超えるものさえあります。 以下は短期間に世界トップテンの仲間入りをした４社です。 いずれもニューヨーク証券取引所もしくはナスダックに上場しています。 サンテックパワー社（無錫尚徳太陽能電脳有限公司） 2001年創業、2005年12月NY証券取引所上場、4.55億ドル資金調達。 Yingli Green Energy（英利緑色能源控股有限公司） 1998年創業、2007年NY証券取引所上場、3.19億ドル資金調達。 JA Solar（晶澳太陽能有限公司） JAという名が付いていますが日本とは関係ありません。 単結晶シリコンの大手メーカー河北晶龍集団の子会社です。 2005年創業、2007年NASDAQ上場、2.25億ドル資金調達。 Trina Solar（常州天合光能有限公司） 1997年創業、2006年12月NY証券取引所上場、0.98億ドル資金調達。 日地電力（サンアースソーラーパワー） 1966年操業の老舗。シリコン単結晶インゴットの生産から開始。 現在は650MWから３倍の2000MWに生産設備拡大中。 TALLESUN（テルサンソーラー） 2011年から生産開始。2012年には2000MW達成。 日本ではナイス㈱の子会社スマートパワーが代理店。 ＥＴsolar（イーティーソーラー） 台湾とドイツのセルメーカーから購入したものを加工して モジュールに仕上げている。2012年末に東京支社を開設。 200MW規模の生産能力。 ZNSHINE SOLAR（正信ソーラー） シリコンにガリウムを添加した高耐久性モジュールを製造。 ５年後で97パーセント、25年後で92パーセントの発電能力。 ドイツの公的機関のテストでも10年後で92パーセント、 25年後で85パーセントの発電能力。文句なし。世界一の 出力を誇ります。 日本法人は2012年福岡に設立の正信ソーラージャパン。 LDK インゴットからモジュールまでを単結晶・多結晶一貫生産。 25年出力保証。2013年には日本法人LDKソーラーテック ジャパンを設立。安値攻勢で日本市場をターゲットに。 （韓国） 韓国は太陽光発電に関しては出遅れていました。 財閥系のLG電子、現代重工業、サムスン電子が相次いで アプライド・マテリアルなどの半導体メーカーから 生産設備を導入し大規模投資をおこなっています。 先行したのはLG電子で積極的な営業戦略を展開。 LS産業 LG電子がドイツの大手コナジー社と合弁によって誕生。 2008年に日本進出。積極的な営業で急伸中。 パネルもパワーコンディショナーも製造。 土地も基礎工事も不要な水上太陽光発電システムを開発。 現代重工業 2008年から生産開始。 ハンファＱセルズ 韓国ハンファグループがドイツのＱセルズを2012年に買収。 ハンファＱセルズジャパンが誕生。 Ｑセルズの高効率シリコン単結晶パネルを継続販売。 ライバルは高効率パネルを販売しているパナソニックと 東芝。東芝といってもアメリカの大手サンパワーのセルを モジュールに仕上げているだけですから中身はサンパワー。 （インド） エネルギー需給構造は中国とよく似たインドですが 太陽光発電に関しては格段に遅れています。 目標を2017年に１ギガワットとしているところからも 相当遅れています。 風力発電が先行していたインドですが2007年になって 光ディスク大手のモザーベア社がアメリカシリコンバレーの 半導体装置メーカー最大手、アプライド・マテリアル社 （ＡＭＩ）とフルターンキー（FTK）契約を結んだことから 翌年の2008年には早くも生産を開始しています。 FTK契約は太陽光発電のことを知らない者がすぐに生産を 開始できる便利な制度でAMIは世界に知れたトップメーカー になっていて多くの国のメーカーに納入しています。 Tata BP Solar社 インドを代表する太陽光発電メ－カー。 詳細は不明ですがまだまだメガワットの生産量です。 モザーベア社 アモルファスシリコン薄膜タイプ（変換効率６パーセント） 及び単結晶シリコンタイプを生産しています。 薄膜タイプは生産規模を拡大中で2013年からは500メガに なる予定です。 インドのFITは安価で30円/kwh弱ですし上限が50ギガワット ですから生産能力の不足は明らかです。 （シンガポール） 小国で資源に恵まれずしかも人口が少ないにもかかわらず 高い経済力を維持してきた国がシンガポールです。 東西の中心に位置しインフラが整備されしかも高い教育を 受けた人材がそろっているところは何となく日本の農村部に 似た環境です。 今までにも金融や投資、石油精製、物流、運輸で成功を収めて きたシンガポール政府が次にマークしたのが再生可能エネルギー 産業です。 優遇策を講じて世界の有力企業を誘致し成功してきただけに 太陽光発電にも同様の手法をとりました。 この誘致活動は見事に成功しノルウェーの大手シリコン製造 メーカーＲＥＣをはじめ実に多くの外国メーカーが参入して きました。 まさに瞬時にインドを追い抜きＲＥＣは2012年からは ギガワット規模の生産をしています。 雇用に貢献し経済力を高める効率の良い手法といえるでしょう。 （マレーシア） シンガポールと似た手法をとったのがマレーシアです。 マレーシア政府の用意した超優遇策が決め手になり アメリカを代表する世界の巨大メーカーが２社も 大規模工場を建設しました。 もちろん中小の太陽光関連メーカーも多数参入しています。 アメリカのファースト・ソーラー社が世界最大になれたのも ここマレーシアの大規模工場があればこそのことです。 アメリカ本国、ドイツ、に次いで３カ国目の工場です。 ファースト・ソーラーがエンドユーザー渡しでワット単価 60円を実現できたのもマレーシアの大規模工場が大きく貢献 しています。 時を同じくしてモジュール変換効率世界一を誇るアメリカの 巨大メーカーサンパワーが進出します。 サンパワーにとってもマレーシア工場はアメリカ本国、 フィリピンに次ぐ３カ国目の第三工場です。 シンガポール同様、マレーシアの巨大工場はインフラが整備 されているため製品は迅速に低コストで世界中の需要地に 運ぶことができます。 アメリカの２強がマレーシアへ進出したことによって 中国・台湾・韓国・日本・シンガポール・マレーシアの ６カ国で2012年にはヨーロッパやアメリカをはるかにしのぐ 世界最大のモジュール生産地域になりました。 （中近東） 産油国が集中し有り余る潤沢な資金を保有しているのが 中近東諸国です。 お金は腐るほどあるが太陽光発電の知識もなければ 人材もいない。そのような国にピッタリなのがアメリカの 大手半導体メーカーＡＭＩです。 というわけでアラブ首長国連邦（UAE）のリーダーアブダビが AMIとフルターン契約を結んでいます。 アブダビは何でもかんでも世界一にならなければ気の済まない 国ですから広大な砂漠を太陽光パネルで埋め尽くすのは 今日ならわけのないことですが時間がかかります。 マスダールはアブダビを代表する政府系の投資ファンドで 太陽光発電事業の中心的存在になっています。 これまでにもドイツに太陽光発電工場の投資を行っていますし 国内にもマスダール都市の建設を進めています。 これは５万人都市の電力をすべて再生可能エネルギーで おぎなうという欲の深い計画で太陽光発電が８割を占めるという 壮大なものです。 2009年にスタートしモジュール供給はファーストソーラーと サンテックパワーに決まりました。 ドイツのＱセルズが経営破綻したのは2012年４月。 中国のサンテックパワーの破綻は2013年３月。 2009～2011年はみんなが元気で太陽光発電の黄金期でした。 カタール 人口194万人の小さな国ですが豊富な石油輸出収入で、 所得税無料、 医療費無料、 電気代無料、 電話代無料、 という国民にとっては非常に恵まれた国になっています。 年間7700万トンもの液化天然ガス(LNG）を生産し、 世界最大級の埋蔵量を誇るノースフィールド海上ガス田を 保有しています。 にもかかわらず中近東諸国が太陽光発電に熱を上げて いるのは将来の石油資源の枯渇と広大な砂漠の存在です。 自国民が４割でインド人やパキスタン人の出稼ぎ労働者が ６割を占めているのがカタールですがすべて自国民と同じ 待遇です。 アルエマディ社 設立2011年の太陽光発電会社。 2018年までに1800メガワットの太陽光発電を実現し、 国家の電力需要の16パーセントを供給するという 国の目標に沿って活躍しています。 大型の原発１基の発電能力が130万kwhですから それをはるかに上回る大きな発電量です。 福島原発の事故が大きな教訓になっていて 危険きわまりない原発に敢えて頼る必要はないと 割り切っています。 隣国アラブ首長国連邦（UAE）のマスダール事業に 刺激され首都ドーハ市街地に新産業都市ムシェイレブを 建設に取りかかりました。 すべてのビルや工場にソーラーパネルを取り付け 電力のほとんどを太陽光発電で供給する予定です。 同時に市街地にはミニソーラーパネルとセットになった 街灯の設置も開始されました。 このようにアラビア海沿岸に沿って中近東諸国は 2012年から本格的な太陽光発電事業が開始されています。 新しい街を砂漠に建設するわけですから そのスケールは大きくギガワットの発電設備になります。 現状では有り余る石油資源を利用した巨大設備が 活躍していますが2013年以後は太陽光発電が主力に 置き換わっています。 それでは最後にアブダビの巨大淡水化設備を見てみます。 人間が生活していくのに必要なのは衣食住。 水はそれ以上に欠かせない必需品ですが砂漠の国では深刻です。 日本のような水資源に恵まれている国にとっては無縁の話ですが 将来も水に恵まれた国という保証はどこにもありません。 有り余る石油資金でいわば力ずくでそれを解決したのがアブダビです。 それは巨大な海水淡水化設備。 1971年アラブ首長国連邦が誕生しアブダビはその中心国として繁栄し アブダビ市は連邦の首都になっています。 めったに雨の降らない一面砂漠の国がこの30年間で人口は10倍になり、 世界中の億万長者が集まる魅力的な国になりました。 今では、水に恵まれなかったこの国が人口一人あたり水使用量が 世界第２位になっています。信じられないことを実現させた国です。 アブダビの生命線となっている世界最大の海水淡水化装置は海水を 加熱蒸発させて水蒸気を集め生活用水に利用するという単純なもの ですが世界最大だけあってその装置は巨大です。 海水を蒸発させるエネルギー源として専用の大型火力発電所がズラリと 並び、その燃料消費量は毎日7000バーレル。 発生する水蒸気の量は毎日50万トン。巨大な蒸留装置デミスターで 作られる真水は毎日45万トン。貯蔵する超大型の貯水槽は150基。 すべてが超々ずくめです。石油資金の偉大さを感じさせます。 -
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電子回路関連 ウエハー 名前 画像・レシピ 説明 Monocristalline Silicon Boule(シリコン単結晶) 電気高炉 Silicon Dust 32+Tiny Gallium Dust 1シリコンの単結晶MV時代で作成できる。 Glowstone doped Monocristalline Silicon Boule(グローストーンをドープしたシリコン単結晶) 電気高炉 Silicon Dust 64+グローストーンダスト 8+Nitrogen 8000mBグローストーンが混ざったシリコンの単結晶HV時代で作成できる。 Naquadah doped Monocristalline Silicon Boule(ナクアダをドープしたシリコン単結晶) 電気高炉 Silicon Block 16+Naquadah Ingot 1+Argon 8000mBナクアダが混ざったシリコンの単結晶EV時代で作成できる。 Wafer(ウエハー) 切断機 Monocristalline Silicon Boule 1+[水 5mB/Distilled Water 3mB/Lubricant 1mB]薄くスライスしたシリコン単結晶 Glowstone doped Wafer(グローストーンをドープしたウエハー) 切断機 Glowstone doped Monocristalline Silicon Boule+[水 80mB/Distilled Water 60mB/Lubricant 20mB]薄くスライスしたシリコン単結晶 Naquadah doped Wafer(ナクアダをドープしたウエハー) 切断機 Naquadah doped Monocristalline Silicon Boule+[水 960mB/Distilled Water 721mB/Lubricant 240mB]薄くスライスしたシリコン単結晶 Integrated Logic Circuit (Wafer)(論理集積回路(ウエハー)) レーザー加工 [Wafer/[Glowstone/Naquadah] doped Wafer] 1+Lens(Red Garnet/Jasper/Ruby) 1レーザー加工したウエハー Integrated Logic Circuit(論理集積回路) 切断機 Integrated Logic Circuit (Wafer) 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー Random Access Memory Chip (Wafer)(RAMメモリチップ(ウエハー)) レーザー加工 [Wafer/[Glowstone/Naquadah] doped Wafer] 1+Lens(Green Sapphire) 1レーザー加工したウエハー Random Access Memory Chip(RAMメモリチップ) 切断機 Random Access Memory Chip (Wafer) 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー NAND Memory Chip (Wafer)(NANDメモリチップ(ウエハー)) レーザー加工 [Glowstone/Naquadah] doped Wafer 1+Lens(Enderpearl) 1レーザー加工したウエハー NAND Memory Chip(NANDメモリチップ) 切断機 NAND Memory Chip (Wafer) 1 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー NOR Memory Chip (Wafer)(NORメモリチップ(ウエハー)) レーザー加工 [Glowstone/Naquadah] doped Wafer 1+Lens(Endereye) 1レーザー加工したウエハー NOR Memory Chip(NORメモリチップ) 切断機 NOR Memory Chip 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー Central Processing Unit (Wafer)(中央処理装置(ウエハー)) レーザー加工 [Wafer/[Glowstone/Naquadah] doped Wafer] 1+Lens(Diamond/Glass/Dilithium) 1レーザー加工したウエハー Central Processing Unit(中央処理装置) 切断機 Central Processing Unit (Wafer) 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー SoC Wafer(マイクロプロセッサ(ウエハー)) レーザー加工 Naquadah doped Wafer 1+Lens(Yellow Garnet) 1レーザー加工したウエハー SoC(マイクロプロセッサ) 切断機 SoC Wafer 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー ASoC Wafer(機密マイクロプロセッサ(ウエハー)) レーザー加工 Naquadah doped Wafer 1+Lens(Topaz) 1レーザー加工したウエハー ASoC(機密マイクロプロセッサ) 切断機 ASoC Wafer 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー PIC Wafer(パワーIC)(ウエハー) レーザー加工 [Glowstone/Naquadah] doped Wafer 1+Lens(Blue Topaz/Opal/Sapphire) 1レーザー加工したウエハー Power IC(パワーIC) 切断機 PIC Wafer 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー HPIC Wafer(ハイパワーIC(ウエハー)) 化学槽 PIC Wafer 1+Indium Gallium Phosphide Dust 2レーザー加工したウエハー High Power IC(ハイパワーIC) 切断機 HPIC Wafer 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー NanoCPU Wafer(ナノCPU(ウエハー)) 化学槽 Central Processing Unit (Wafer) 1+Raw Carbon Fibre(ic2) 16+Molten Glowstone 576mBレーザー加工したウエハー Nanocomponent Central Processing Unit(ナノコンポーネント中央処理装置) 切断機 NanoCPU Wafer 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー QBit Wafer(QBit(ウエハー)) 化学槽 NanoCPU Wafer 1+Quantum Eye 2+Molten Gallium Arsenide 288mBウエハー QBit Processing Unit(QBit処理ユニット) 切断機 QBit Wafer 1+[水 90mB/Distilled Water 67mB/Lubricant 22mB]細かく切断したウエハー クリスタルチップ 名前 画像・レシピ 説明 Raw Crystal Chip(クリスタルチップ) 結合機 Exquisite [Olivine/Emerald] 1+Molten Europium 16mB説明 Engraved Crystal Chip(刻印したクリスタルチップ) 電気高炉 Raw Crystal Chip 1+[Olivine/Emerald] Plate 1+Helium 1000mB説明 Crystal Processing Unit(クリスタル処理ユニット) レーザー加工 Engraved Crystal Chip 1+Lens(Emerald) 1説明 Engraved Lapotron Chip(刻印したラポトロンチップ」) レーザー加工 Lapotron Crystal(ic2) 1+Lens(Blue Topaz/Opal/Sapphire) 1説明 Crystal SoC(クリスタルプロセッサ) レーザー加工 Crystal Processing Unit 1+Lens(Blue Topaz/Opal/Sapphire) 1説明 Neuro Processing Unit(ニューロプロセッシングユニット) 組立ライン(レシピスキャン) Crystalprocessor Mainframe 1+[Data Stick 1]説明 回路基板 名前 画像・レシピ 説明 Coated Circuit Board(コーティングした基板) Wood Plank 3+Sticky Resin(ic2) 2説明 Phenolic Circuit Board(フェノール基板) Glue Cell 1+Wood Pulp 8説明 Fiberglass Circuit Board(グラスファイバー基板) 電気高炉 Glass Dust 1+Carbon Dust 1+Molten Electrum 16mB説明 Epoxy Circuit Board(エポキシ基板) 化学槽 Epoxid Sheet 1+Copper Foil 1+Sulfuric Acid 125mB説明 Multilayer Fiberglass Circuit Board(2層グラスファイバー基板) 電気高炉 Fiberglass Circuit Board 1+Electrum Foil 16+Sulfuric Acid 250mB説明 Wetware Lifesupport Circuit Board(中枢基板) Multilayer Fiberglass Circuit Board 1+Electric Pump (LV) 1+Polysiloxane Bar 3+Polytetrafluoroethylene Sheet 2+Dragon Blood 2説明 回路部品 名前 画像・レシピ 説明 Resister(抵抗器) 紙 2+Coal Dust 1+[1x/Fine] Copper Wire 2組立機 Coal Dust 1+Fine Copper Wire 4説明 Capacitor(コンデンサ) 組立機 Thin Polyethylene Sheet 2+Aluminium Foil 1説明 Small Coil(小型コイル) Fine Copper Wire 8+Refined Iron Item Casing(ic2) 1説明 Diode(ダイオード) 板ガラス 2+黒の染料 2+[1x/Fine] Tin Wire 2+[Wafer/Tiny Gallium Dust] 1組立機 Fine Tin Wire 4+Tiny Gallium Dust 1+Molten Glass 288mB説明 Transistor(トランジスタ) 組立機 Fine Tin Wire 6+Silicon Plate 1+Molten Polyethylene 144mB説明 Vacuum Tube(真空管) 紙 2+Glass Tube 1+[1x/Fine] Copper Wire 3説明 SMD Resister(チップ抵抗器) 組立機 Fine Electrum Wire 4+Carbon Dust 1+Molten Polyethylene 144mB説明 SMD Capacitor(チップコンデンサ) 組立機 Thin Polysiloxane Sheet 2+Aluminium Foil 1+Molten Polyethylene 72mB説明 SMD Diode(チップダイオード) 組立機 Fine Platinum Wire 4+Tiny Gallium Dust 1+Molten Glass 288mB説明 SMD Transistor(チップトランジスタ) 組立機 Gallium Plate 1+Fine Annealed Copper Wire 6+Molten Polyethylene 288mB説明 集積回路 名前 画像・レシピ 説明 Electric Circuit(電子回路(ic2)) 1x Red Alloy Cable 3+Vacuum Tube 2+Resistor 2+Refined Iron Item Casing(ic2) 1+Coated Circuit Board 1説明 Good Electric Circuit(上位電子回路) 1x Red Alloy Cable 2+Refined Iron Item Casing(ic2) 2+Diode 1+Electric Circuit 4説明 Integrated Logic Circuit(集積回路) 回路組立機 Phenolic Circuit Board 1+Integrated Logic Circuit 1+[Resister/SMD Resister] 2+Fine Copper Wire 4+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]Epoxy Circuit Board 1+SoC 1+Fine Red Alloy Wire 4+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]説明 Good Integrated Circuit(上位集積回路) 回路組立機 Phenolic Circuit Board 1+Integrated Logic Circuit 3+[Resister/SMD Resister] 4+Fine Gold Wire 8+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]説明 Advanced Circuit(発展回路(ic2)) 回路組立機 Good Integrated Circuit 2+Integrated Logic Circuit 3+Random Access Memory Chip 1+[Transistor/SMD Transistor] 4+Fine Electrum Wire 16+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]説明 Integrated Processor(集積プロセッサー) 回路組立機 Epoxy Circuit Board 1+Central Processing Unit 1+[Resister/SMD Resister] 4+[Capacitor/SMD Capacitor] 4+[Transistor/SMD Transistor] 4+Fine Red Alloy Wire 4+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]Epoxy Circuit Board 1+SoC 1+Fine Electrum Wire 4説明 Processor Assembly(プロセッサーアセンブリ) 回路組立機 Epoxy Circuit Board 1+Integrated Processor 3+Small Coil 4+[Capacitor/SMD Capacitor] 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Red Alloy Wire 12+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Workstation(ワークステーション) 回路組立機 Epoxy Circuit Board 2+Processor Assembly 2+[Diode/SMD Diode] 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Electrum Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Mainframe(メインフレーム) 回路組立機 Aluminium Frame Box 1+Workstation 4+Small Coil 4+[Capacitor/SMD Capacitor] 24+Random Access Memory Chip 12+1x Annealed Copper Wire 12+Molten [Lead 1152mB/Tin 576mB/Soldering Alloy 288mB]説明 Nanoprocessor(ナノプロセッサー) 回路組立機 Fiberglass Circuit Board 1+Nanocomponent Central Processing Unit 1+SMD Resister 4+SMD Capacitor 4+SMD Transistor 4+Fine Electrum Wire 2+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]Fiberglass Circuit Board 1+ASoC 1+Fine Platinium Wire 4+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]説明 Nanoprocessor Assembly(ナノプロセッサーアセンブリ) 回路組立機 Fiberglass Circuit Board 1+Nanoprocessor 3+Small Coil 4+SMD Capacitor 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Electrum Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Elite Nanoprocessor(エリートナノプロセッサー) 回路組立機 Fiberglass Circuit Board 2Nanoprocessor Assembly 2+SMD Diode 4+NOR Memory Chip 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Electrum Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Nanoprocessor Mainframe(ナノプロセッサーメインフレーム) 回路組立機 Aluminium Frame Box 1+Elite Nanoprocessor 4+Small Coil 4+SMD Capacitor 24+Random Access Memory Chip 16+1x Annealed Copper Wire 12+Molten [Lead 1152mB/Tin 576mB/Soldering Alloy 288mB]説明 Quantumprocessor(クアンタムプロセッサー) 回路組立機 Multilayer Fiberglass Circuit Board 1+QBit Processing Unit 1+Nanocomponent Central Processing Unit 1+SMD Capacitor 4+SMD Transistor 4+Fine Platinum Wire 2+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]Fiberglass Circuit Board 1+ASoC 1+Fine Niobium-Titanium Wire 4+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]説明 Quantumprocessor Assembly(クアンタムプロセッサーアセンブリ) 回路組立機 Multilayer Fiberglass Circuit Board 1+Quantumprocessor 3+Small Coil 4+SMD Capacitor 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Platinum Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Master Quantumprocessor(マスタークアンタムプロセッサー) 回路組立機 Multilayer Fiberglass Circuit Board 2+Quantumprocessor Assembly 2+SMD Diode 4+NOR Memory Chip 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Platinum Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Quantumprocessor Mainframe(クアンタムプロセッサーメインフレーム) 回路組立機 Aluminium Frame Box 1+Master Quantumprocessor 4+Small Coil 4+SMD Capacitor 24+Random Access Memory Chip 16+1x Annealed Copper Wire 12+Molten [Lead 1152mB/Tin 576mB/Soldering Alloy 288mB]説明 Crystalprocessor(クリスタルプロセッサー) 回路組立機 Multilayer Fiberglass Circuit Board 1+Crystal Processing Unit 1+Nanocomponent Central Processing Unit 1+SMD Capacitor 4+SMD Transistor 4+Fine Niobium-Titanium Wire 2+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]説明 Crystalprocessor Assembly(クリスタルプロセッサーアセンブリ) 回路組立機 Multilayer Fiberglass Circuit Board 1+Crystalprocessor 3+Small Coil 4+SMD Capacitor 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Niobium-Titanium Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Ultimate Crystalprocessor(アルティメットクリスタルプロセッサー) 回路組立機 Multilayer Fiberglass Circuit Board 2+Crystalprocessor Assembly 2+SMD Diode 4+NOR Memory Chip 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Niobium-Titanium Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Crystalprocessor Mainframe(クリスタルプロセッサーメインフレーム) 回路組立機 Aluminium Frame Box 1+Ultimate Crystalprocessor 4+Small Coil 4+SMD Capacitor 24+Random Access Memory Chip 16+1x Superconductor Wire 12+Molten [Lead 1152mB/Tin 576mB/Soldering Alloy 288mB]説明 Wetwareprocessor(システムプロセッサー) 回路組立機 Wetware Lifesupport Circuit Board 1+Neuro Processing Unit 1+Crystal Processing Unit 1+SMD Capacitor 4+SMD Transistor 4+Fine Yttrium Barium Cuprate Wire 2+Molten [Lead 288mB/Tin 144mB/Soldering Alloy 72mB]説明 Wetwareprocessor Assembly(システムプロセッサーアセンブリ) 回路組立機 Wetware Lifesupport Circuit Board 1+Wetwareprocessor 3+Small Coil 4+SMD Capacitor 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Yttrium Barium Cuprate Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Wetware Supercomputer(スーパーシステムコンピュータ) 回路組立機Wetware Lifesupport Circuit Board 2+Wetwareprocessor Assembly 2+SMD Diode 4+NOR Memory Chip 4+Random Access Memory Chip 4+Fine Yttrium Barium Cuprate Wire 6+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]説明 Wetwareprocessor Mainframe(システムプロセッサーメインフレーム) 組立ライン(レシピスキャン) Wetware Supercomputer 1+[Data Stick 1]説明 記憶媒体 Data Stick(データスティック) 回路組立機 Epoxy Circuit Board 1+Integrated Processor 1+NAND Memory Chip 32+Random Access Memory Chip 4+Fine Red Alloy Wire 8+Polyethylene Sheet 4+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB]組立ラインでのレシピデータや地図のデータを保存するアイテム。 Data Orb(データオーブ) 回路組立機 Fiberglass Circuit Board 1+Nanoprocessor 1+Random Access Memory Chip 4+NOR Memory Chip 32+NAND Memory Chip 64+Fine Platinum Wire 32+Molten [Lead 576mB/Tin 288mB/Soldering Alloy 144mB結合機 Exquisite [Olivine/Emerald] 1+UU-Matter 100mB]複製機で複製する素材データを保存するアイテム。 中間素材 名前 画像・レシピ 説明 Glass Tube(ガラスチューブ) 合金精錬機 Glass Dust 1+Mold (Ball) 1Vacuum Tube作成の中間素材 名前 コメント
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メタニウム チタン、タングステン、その他レアメタルを無重力状態および絶対零度下で合金するによって生成される複合結晶金属。 結合構造の異なる金属単結晶の複合体。タングステンフラーレンの結合体をベースにフラーレン内に封入した金属分子同士の結合、およびフラーレン外の金属格子構造を立体的同時複数結合させる。 チタンとタングステンをベースに、用途にあった金属元素（一例ではニオブやタンタル、レニウムなど）を化合することによって異なった性質を作り出すことが出来る。 Ｔｉ‐Ｗ‐Ｒｅ Ａ１１６号メタニウム。 もっとポピュラーなメタニウム金属でメタニウム弾やメタニウム装甲などに用いられる。 硬度、靭性に富み、熱力学、電磁気学的エネルギーに対して、分子構造レベルでの耐性（高周波などを打ち消す）を持つ。 Ｔｉ‐Ｗ‐Ｔａ Ａ１７６号メタニウム。 高い超伝導性と高い強度を併せ持つ構造材向け金属。 ｈ２シリーズはＡ１７６号メタニウムによって高いフレーム強度と、非接触型関節駆動によって発生する高い電位差などといった電磁気学的不純物を排除して、高い機動性能を得ている。 Ｔｉ‐Ｗ‐Ｎｂ Ａ１７８号メタニウム。 高い耐磨耗性と高温超伝導性を持つ。 ｈ２シリーズのエレクトロニクス部品に使用されている。