約 3,550,510 件
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概要 無菌室(Cleanroom)の組み立て Polyvinyl Chlorideの作成 EV電子回路(Workstation)の作成Central Processing Unit SMD Capacitor SMD Diode Plastic Circuit Board Integrated Processor・Processor Assembly・Workstation 真空冷凍機(Vacuum Freezer)の作成 電気高炉の改良カンタルコイルブロック(Kanthal Coil Block)の作成 チタン(Titanium)の作成ルチル(Rutile)の入手 チタン(Titanium)の精錬 コメント 概要 時代内容この時代では主にHV機械を使ってアイテムを作成する。 次の時代に向けてチタン(Titanium)の量産、EV用の電子回路の作成まで進める。 主な作業無菌室(Cleanroom)の組み立てEV用の電子回路の材料となるウエハーの加工を行うために無菌室(Cleanroom)を組み立てて稼動する。 EV用の電子回路の作成真空冷凍機(Vacuum Freezer)の本体ブロック作成に必要になるEV用電子回路(Workstation)を作成する。 真空冷凍機(Vacuum Freezer)の組み立て熱いインゴット(Hot Ingot)を冷却するための真空冷凍機(Vacuum Freezer)を組み立てる。 電気高炉の改良チタン(Titanium)を製錬するためにコイルブロックをカンタル製(Kanthal Coil Block)に置き換える チタンインゴット(Titanium Ingot)の作成HV機械を使用してチタンインゴット(Titanium Ingot)を作成する。 次の時代への目標チタンインゴット(Titanium Ingot)の量産 無菌室(Cleanroom)の組み立て アイテムフィルター (Item Filter) 組立機 アイテムフィルター (Item Filter)×1・鋼鉄の細線×64・亜鉛の箔×16 HVマシン外装 (HV Machine Casing) クラフト：HVマシン外装 (HV Machine Casing)×1・ステンレス鋼×8・レンチ 1 HVマシン筐体 (HV Machine Hull) 組立機 HVマシン筐体 (HV Machine Hull)×1・HVマシン外装×1・1倍金ケーブル×2・液体ポリエチレン 288mB ステンレス鋼ローター (Stainless Steel Rotor) クラフト ステンレス鋼ローター (Stainless Steel Rotor)×1・ステンレス鋼プレート×4・ステンレス鋼リング×1・ステンレス鋼スクリュー×1・ハンマー 1・やすり 1・ドライバー 1 4倍銅ワイヤー (4x Copper Wire) クラフト 4倍銅ワイヤー (4x Copper Wire)×1・1倍銅ワイヤー×4 電気モーター(HV) (Electric Motor (HV)) クラフト 電気モーター(HV) (Electric Motor (HV))×1・ステンレス鋼の棒×2・磁性鋼鉄の棒×1・4倍銅ワイヤー×4・1倍金ケーブル×2 無菌室コントローラー (Cleanroom Controller) クラフト 無菌室コントローラー (Cleanroom Controller)×1・HVマシン筐体×1・アイテムフィルター×3・ステンレス鋼ローター×2・電気モータ(HV)×2・HV電子回路×1 ブラックブロンズの粉 (Black Bronze Dust) クラフト ブラックブロンズの粉 (Black Bronze Dust)×5・金の粉×1・銀の粉×1・銅の粉×3 ブラックスチールの粉 (Black Steel Dust) クラフト ブラックスチールの粉 (Black Steel Dust)×5・ニッケルの粉×1・ブラックブロンズの粉×1・鋼鉄の粉×3} ブラックスチールインゴット (Black Steel Ingot) 電気高炉 ブラックスチールインゴット (Black Steel Ingot)×1・ブラックスチールの粉 1 ブラックスチールフレームボックス (Black Steel Frame Box) クラフト ブラックスチールフレームボックス (Black Steel Frame Box)×2・ブラックスチールの棒×8・レンチ 1 液体コンクリート (Wet Concrete) ミキサー 液体コンクリート (Wet Concrete)×1・石の粉×3・粘土の粉 1・水 500mB プラスクリートブロック (Plascrete Block) 組立機 プラスクリートブロック (Plascrete Block)×1・ブラックスチールフレームボックス×1・ポリエチレンパルプ×1・液体コンクリート 144mB 鋼鉄フレームボックス(Steel Frame Box) クラフト 鋼鉄フレームボックス(Steel Frame Box)×2・鋼鉄の棒×8・レンチ 1 フィルターマシン外装(Filter Machine Casing) クラフト フィルターマシン外装(Filter Machine Casing)×1・鉄格子×3・アイテムフィルター×3・電気モーター(MV)×1・鋼鉄フレームボックス×1・鋼鉄ローター×1 組み立て方は大型マシンを参照 Polyvinyl Chlorideの作成 作成手順は樹脂を参照 EV電子回路(Workstation)の作成 Central Processing Unit ガラスプレート (Glass Pane) 合金精錬機 ガラスプレート (Glass Pane)×1・ガラスの粉×2・鋳型(プレート) 1 ガラスレンズ (Glass Lens) 旋盤 ガラスレンズ (Glass Lens)×1・ガラスプレート×1 中央処理装置(ウエハー)(Central Processing Unit(Wafer)) レーザー加工機 中央処理装置(ウエハー)(Central Processing Unit(Wafer))×1・ウエハー×1・ガラスレンズ 1※無菌室内で加工 中央処理装置 (Central Processing Unit)) 切断機 中央処理装置 (Central Processing Unit))×8・中央処理装置(ウエハー)×2・潤滑油 22mB SMD Capacitor SMD Diode チップコンデンサ (SMD Capacitor) 組立機：チップコンデンサ (SMD Capacitor)×16・アルミニウムの箔(Aluminium Foil)×1・ポリ塩化ビニルの薄いシート (Thin Polyvinyl Chloride Sheet)×4・液体ポリエチレン (Molten Polyethylene)：36mB チップダイオード (SMD Diode) 組立機：チップダイオード (SMD Diode)×32・小さなガリウムの粉 (Small Pile of Gallium Dust)×1・プラチナの細線 (Fine Platinum Wire)×4・液体ポリエチレン (Molten Polyethylene)：288mB Plastic Circuit Board プラスチック回路基板 (Plastic Circuit Board) 化学反応炉：プラスチック回路基板 (Plastic Circuit Board)×[1/2/4]・[ポリエチレン/ポリ塩化ビニル/ポリテトラフルオロエチレン]のシート×1・銅の箔 (Copper Foil)×1・液体硫酸 (Sulfuric Acid)：125mB Integrated Processor・Processor Assembly・Workstation 統合プロセッサ (Integrated Processor) 回路作成機 統合プロセッサ (Integrated Processor)×1・プラスチック基板×1・中央処理装置×1・抵抗器[SMD]×2・コンデンサ[SMD]×2・トランジスタ[SMD]×2・赤合金の細線×2・液体半田合金 144mB プロセッサアセンブリ (Processor Assembly) 回路作成機 プロセッサアセンブリ (Processor Assembly)×1・プラスチック基板×1・統合プロセッサ×2・小型コイル×4・コンデンサ[SMD]×4・RAMチップ×4・赤合金の細線×12・液体半田合金 144mB ワークステーション (Workstation) 回路作成機 ワークステーション (Workstation)×1・プラスチック基板×2・プロセッサアセンブリ×3・ダイオード[SMD]×4・RAMチップ×4・エレクトラムの細線×6・液体半田合金 144mB 真空冷凍機(Vacuum Freezer)の作成 アルミ二ウムフレームボックス (Aluminium Frame Box) クラフト アルミ二ウムフレームボックス (Aluminium Frame Box)×2・アルミニウムの棒×8・レンチ 1 耐冷マシン外装 (Frost Proof Machine Casing) クラフト 耐冷マシン外装 (Frost Proof Machine Casing)×2・アルミ二ウムフレームボックス×1・アルミ二ウムプレート×6・レンチ 1・ハンマー 1 真空冷凍機 (Vacuum Freezer) クラフト 真空冷凍機 (Vacuum Freezer)×1・耐冷マシン外装×1・ワークステーション×3・電気ポンプ(HV)×3・1倍金ケーブル×2 組み立て方は大型マシンを参照 電気高炉の改良 カンタルコイルブロック(Kanthal Coil Block)の作成 電気高炉のコイルブロックをカンタルコイルブロックに置き換える。 カンタルインゴット (Kanthal Ingot) クラフト：カンタルの粉 (Kanthal Dust)×3・鉄の粉（Iron Dust）×1・アルミニウムの粉（Aluminium Dust）×1・クロムの粉（Chrome Dust）×1 電気高炉：ホットカンタルインゴット (Hot Kanthal Ingot)×1・カンタルの粉 (Kanthal Dust)×1 真空冷凍機：カンタルインゴット (Kanthal Ingot)×1・ホットカンタルインゴット (Hot Kanthal Ingot)×1 カンタルコイルブロック (Kanthal Coil Block) ワイヤー作成機：1倍カンタルワイヤー (1x Kanthal Wire)×2・カンタルインゴット（Kanthal Ingot）×1 クラフト：2倍カンタルワイヤー (2x Kanthal Wire)×1・1倍カンタルワイヤー (1x Kanthal Wire)×2 クラフト：カンタルコイルブロック (Kanthal Coil Block)×1・2倍カンタルワイヤー (2x Kanthal Wire)×1・レンチ：1 チタン(Titanium)の作成 ルチル(Rutile)の入手 Bauxiite、IlmeniteからRutileを入手する。 チタン(Titanium)の精錬 チタンインゴット(Titanium Ingot) 化学炉： 四塩化チタン(Titaniumtetrachloride)：1000mB・液体塩素（Chlorine）：4000mB・ルチルの粉（Rutil Dust）×1・カーボンの粉（Carbon Dust）×2 電気高炉： ホットチタンインゴット(Hot Titanium Ingot)×1・四塩化チタン(Titaniumtetrachloride)：1000mB・マグネシウムの粉(Magnesium Dust）×2 真空冷凍機：チタンインゴット (Titanium Ingot)×1・ホットチタンインゴット (Hot Titanium Ingot)×1 コメント 名前 コメント
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ゴム(Rubber)：C5H8 作成手順の例 + ... 溶融ゴム(Molten Rubber) LV Chemical Reactor Not Programmed Circuit ┃ ┣硫黄の粉(Sulfur Dust) ┃ ┗生ゴムの粉(Raw Rubber Dust) LV Centrifuge ┃ ┗ゴムの樹液(Sticky Resin) LV Distillery Config=1 [参考] MineFactoryReloadedがあればゴムの木から出る樹液を焼けば即完成できる ポリエチレン(Polyethylene)：CH2 作成手順の例 + ... 溶融ポリエチレン(Molten Polyethylene) LV Chemical Reactor Config=1 ┃ ┣液体酸素(Liquid Oxygen) ┃ ┗エチレン(Ethylene) MV Chemical Reactor Config=11 ┃ ┣バイオエタノール(Bio Ethanol) LV Distillery Config=1 ┃ ┃ ┃ ┗バイオマス(Biomass) LV Brewery ┃ ┃ ┃ ┣水(Water) ┃ ┃ ┃ ┗植物の籾殻(Bio Chaff) LV Macerator ┃ ┃ ┃ ┗*葉ブロック ┃ ┗液体硫酸(Liquid Sulfuric Acid) LV Chemical Reactor Config=1 ┃ ┣水(Water) ┃ ┗三酸化硫黄(Sulfur Trioxide) LV Chemical Reactor Config=3 ┃ ┣硫黄の粉(Sulfur Dust) ┃ ┗液体酸素(Liquid Oxygen) [参考] MineFactoryReloadedのレシピの影響で rubber bar を焼けばすぐに完成できる(pulp)の状態 ポリ塩化ビニル(Polyvinyl Chloride) C2H3Cl 作成手順の例 + ... 溶融ポリ塩化ビニル(Molten Polyvinyl Chloride) LV Chemical Reactor ┃ ┣液体酸素(Liquid Oxygen) ┃ ┗塩化ビニル(Vinyl Chloride) MV Chemical Reactor ┃ ┣液体塩素(Liquid Chlorine) ┃ ┗エチレン(Ethylene) MV Chemical Reactor ┃ ┣バイオエタノール(Bio Ethanol) LV Distillery ┃ ┃ ┃ ┗バイオマス(Biomass) LV Brewery ┃ ┃ ┃ ┣水(Water) ┃ ┃ ┃ ┗植物の籾殻(Bio Chaff) LV Macerator ┃ ┃ ┃ ┗*葉ブロック ┃ ┗液体硫酸(Liquid Sulfuric Acid) LV Chemical Reactor ┃ ┣水(Water) ┃ ┗三酸化硫黄(Sulfur Trioxide) LV Chemical Reactor ┃ ┣硫黄の粉(Sulfur Dust) ┃ ┗液体酸素(Liquid Oxygen) ポリテトラフルオロエチレン(Polytetrafluoroethylene) C2F4 作成手順の例 + ... 溶融ポリテトラフルオロエチレン(Molten Polytetrafluoroethylene) LV Chemical Reactor ┃ ┣液体酸素(Liquid Oxygen) ┃ ┗テトラフルオロエチレン(tetrafluoroethylene) HV Chemical Reactor ┃ ┣フッ化水素酸(Hydrofluoric Acid) LV Chemical Reactor ┃ ┃ ┃ ┣液体水素(Liquid Hydrogen) ┃ ┃ ┃ ┗フッ素(Fluorine) ┃ ┗クロロホルム(Chloroform) LV Chemical Reactor ┃ ┣メタン(Methane) LV Centrifuge ┃ ┃ ┃ ┗*食料 ┃ ┗液体塩素(Liquid Chlorine) ポリジメチルシロキサン(Polydimethylsiloxane) C2H6OSi 作成手順の例 + ... ポリジメチルシロキサンパルプ(Polydimethylsiloxane Pulp) MV Chemical Reactor ┃ ┣水(Water) ┃ ┗ジメチルジクロロシラン(Dimethyldichlorosilane) MV Chemical Reactor ┃ ┣シリコンの粉(Silicon Dust) ┃ ┗クロロメタン(Chloromethane) LV Chemical Reactor Config=1 ┃ ┣メタン(Methane) LV Centrifuge ┃ ┃ ┃ ┗*食料 ┃ ┗液体塩素(Chlorine) シリコーンゴム(Silicone Rubber) C2H6OSi 作成手順の例 + ... 溶融シリコーンゴム(Molten Silicone Rubber) LV Chemical Reactor ┃ ┣硫黄の粉(Sulfur Dust) ┃ ┗ポリジメチルシロキサンパルプ(Polydimethylsiloxane Pulp) MV Chemical Reactor ┃ ┣水(Water) ┃ ┗ジメチルジクロロシラン(Dimethyldichlorosilane) MV Chemical Reactor ┃ ┣シリコンの粉(Silicon Dust) ┃ ┗クロロメタン(Chloromethane) LV Chemical Reactor Config=1 ┃ ┣メタン(Methane) LV Centrifuge ┃ ┃ ┃ ┗*食料 ┃ ┗液体塩素(Chlorine) エポキシ樹脂(Epoxy Resin)：C2H4O #ref error ：ご指定のファイルが見つかりません。ファイル名を確認して、再度指定してください。 (epoxy_resin.png) 作成手順の例 + ... 溶融エポキシ樹脂(Molten Epoxy Resin) + (Salt Water Cell) LV Chemical Reactor No Programmed Circuit ┃ ┣水酸化ナトリウムの粉(Sodium Hydroxide Dust) LV Chemical Reactor Config=1 ┃ ┃ ┃ ┣ナトリウムの粉(Sodium Dust) ┃ ┃ ┃ ┗水(Water) ┃ ┣エピクロロヒドリン(Epichlorohydrin) LV Chemical Reactor Config=12 ┃ ┃ ┃ ┗グリセリン(Glycerol)＋塩酸(Hydrochloric Acid) LV Chemical Reactor Config=11 ┃ ┃ ┃ ┣プロピレン(Propene)：(石油精製により入手) ┃ ┃ ┃ ┗塩素(Chlorine) ┃ ┗ビスフェノールA(Bisphenol A) LV Chemical Reactor Config=1 ┃ ┣塩酸(Hydrochloric Acid) LV Chemical Reactor Config=1 ┃ ┃ ┃ ┣水(Water) ┃ ┃ ┃ ┗塩素(Chlorine) ┃ ┣フェノール(Phenol) MV Distillery Config=2 ┃ ┃ ┃ ┗木タール(Wood Tar) MV Fluid Extractor ┃ ┃ ┃ ┗木炭(Charcoal) ┃ ┗アセトン(Acetone) MV Distillery Config=5 ┃ ┗ウッドビネガー(Wood Vinegar) MV Pyrolyse Oven Config=7 ┃ ┗木材 名前 コメント
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鉱石に様々な処理をする事で色々な素材を入手する事が可能です。 最初の頃は出来る事が少ないですが、どんどん増えていきます。 目的の素材を得る為にどんな処理・機械が必要なのか確認しておきましょう。 全ての鉱石が同じ工程を辿れば良いという訳ではありません。 各鉱石ごとに工程が違いますのでそれも確認しておく必要があります。 鉱石→精錬 →インゴット×1個 →hammer →Crushed鉱石×1個 →Forge hammer →Crushed鉱石×1個 →Macerator →Crushed鉱石×2個 →Universal Macerator→Crushed鉱石×2個＋さらに追加10％ →ElectricBlastFurnace(鉄鉱石＋Calcite)→インゴット×3個 Crushed鉱石→精錬 →インゴット×1個 →Hammer/Forge Hammer/Macerator→Impure粉 →OreWashingPlant→Purified Crushed鉱石×1個＋別種類のTiny Pile×1個 →ChemicalBath+(水銀、ナトリウム他）→Purified Crushed鉱石×1個＋別のPurified Crushed鉱石(70％) Impure粉 →精錬 →インゴット×1個 →Centrifuge/大釜投入→粉×1個 Purified Crushed鉱石→Shifting Machine→粉＋宝石 →Macerator/Universal Macerator→Purified粉×1個＋別種類の粉追加10％ →Thermal Centrifuge→Centrifuged粉×1個＋Tiny Pile Purified粉→精錬 →インゴット×1個 →Centrifuge →粉＋Tiny Pile →ElectroMagnetic Separetor(金・鉄)→粉×1個＋small Pile40％＋ナゲット20％ Centrifuged粉→Macerator/Universal Macerator→粉×1個＋別種類の粉追加10％ 粉(要複数) →ElectroLyzer →別種類の粉＋α →Centrifuge →別の粉
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その他 加工アイテム 名前 画像・レシピ 説明 Programmed Circuit(パターン回路) Electric Circuit(LV Circuit) 1機械の加工に使用することで作成アイテムを変えるアイテム。ドライバーとクラフトすることで0～24までのパターンを変えられる。 Empty Shape Plate(鋳型) Steel Plate 4+ハンマー 1+やすり 1機械の加工に使用することで作成アイテムを変えるアイテム。ハンマーとクラフトすることで鋳型、ワイヤーカッターとクラフトすることで押出加工の型になる。 Slicer Blade(スライサーの刃) Stainless Steel Plate [2/4]+Stainless Steel Screw 1+ハンマー 1+やすり 1+ドライバー 1スライサーに使用するアイテム。 Schematic(回路図) 組立機 Stainless Steel Plate 2+[MV Circuit] 4パッケージャーに使用するアイテム。ドライバーとクラフトすることでパターンを変えられる。 タービン 名前 画像・レシピ 説明 Turbine(タービン) 組立機 Turbine Blade [4/8/12/16]+Long Titanium Rod 1大型タービンに使用するアイテム。素材、大きさによって発電量、耐久性、消費量が変わる。 素材 名前 画像・レシピ 説明 Printed Pages(印刷したページ) 印刷機 紙 3+イカスミ 144mB+[Data Stick 1]データスティックの内容を印刷した紙。組立機で本にすることで読むことが出来る。 Paperboard(ボール紙) 印刷機 紙 2+Programmed Circuit(2) 1+Grue 10mBマッチ箱やフライドポテトのケースの材料 ツール 名前 画像・レシピ 説明 ～ Plank(木材の仕切り板) 木材ハーフブロック 1+鋸 1切断機 木材ハーフブロック 1+[Lubricant 1mB/水 4mB/Distilled Water 3mB]]金属の板と同じように使用できる。 Spray Can(スプレー缶) 液体缶詰装置 Empty Spray Can +Chemical Dye 2304mBブロックやパイプに染色できる。 名前 コメント
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greg5+はgreg5にレシピや時代を追加するものである。 時代は石器,蒸気,ULv,Lv,Mv,Hv,Ev,Iv,Luv,ZPM,UV,UHV,UEV,UIV,UMV,UXV,OPV,OPXV,MAX,CVの20個ある(ULvはほぼ使わない)。
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概要 核融合炉Mk.I 構成ブロックの作成核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I)本体ブロック LuVマシン外装(LuV Machine Hull) LuVハッチ・バス(LuV ～ Hatch/Bus) 核融合炉Mk.I の組み立て ヘリウムプラズマの作成 ユーロピウムの作成 Cristalprocesser(とLuVマシン)の作成LuVマシンコンポーネントの作成について LuVマシンコンポーネントのレシピ基本素材の作成レシピ LuVマシンコンポーネントの作成レシピ レーザー刻印機(LuV) 回路組立機(LuV) クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の作成クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の量産について 多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board) ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire) クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロックの作成クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe) 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロック コメント 概要 時代内容主に核融合炉Mk.Iの組み立てと稼動を目指す時代。 核融合炉Mk.Iの構成ブロックの作成、稼動に必要に電力を確保する。 主な作業核融合炉Mk.Iの構成ブロックの作成 核融合炉Mk.Iの組み立て ヘリウムプラズマ(Helium Plasma)の作成 Crystal回路の作成 次の時代への目標核融合炉Mk.2の作成に必要な素材の確保 核融合炉Mk.I 構成ブロックの作成 1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire) とても小さなタングステン鋼液体パイプ (Tiny Tungstensteel Fluid Pipe) 押出加工機(HV)：とても小さなタングステン鋼液体パイプ (Tiny Tungstensteel Fluid Pipe)×2・タングステン鋼インゴット (Tungstensteel Ingot)×１・押出加工機の型[とても小さなパイプ] (Extruder Shape (Tiny Pipe) )：１ ホットバナジウムガリウムインゴット (Hot Vanadium-Gallium Ingot) 電気高炉(HV)[4500K]：ホットバナジウムガリウムインゴット (Hot Vanadium-Gallium Ingot)×4・ガリウムインゴット (Gallium Ingot)×１・バナジウムインゴット (Vanadium Ingot)×3 バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot) 真空冷凍機(MV)：バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot)×1・ホットバナジウムガリウムインゴット (Hot Vanadium-Gallium Ingot)×１ バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot) ワイヤー作成機(LV)：1倍バナジウムガリウムワイヤー (1x Vanadium-Gallium Wire)×2・バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot)×１ 1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire) クラフト：1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×3・1倍バナジウムガリウムワイヤー (1x Vanadium-Gallium Wire)×3・とても小さなタングステン鋼液体パイプ (Tiny Tungstensteel Fluid Pipe)×2・電気ポンプ[LV] (Electric Pump (LV) )×2・窒素セル (Nitrogen Cell)×１・ヘリウムセル (Hellium Cell)×１ レシピ本：核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I)) [スキャン]核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I) スキャナー[レシピスキャン](LV～)：データスティック (Data Stick)[核融合制御コンピュータマークⅠ]・1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×1・データスティック (Data Stick)：１ ※右下に配置 イカスミ (Squid Ink) Fluid Extractor (LV)：イカスミ (Squid Ink)：144mB・イカスミ (Ink Sac)×1 印刷ページ(Printed Pages) プリンター (LV)：印刷ページ(Printed Pages)×1・紙 (Paper)×3・イカスミ (Squid Ink)：144mB・データスティック (Data Stick)[核融合制御コンピュータマークⅠ]：１ ※右下に配置 記入済みの本(Written Book)[核融合制御コンピュータマークⅠ] 組立機 (LV)：記入済みの本(Written Book)×1・印刷ページ(Printed Pages)×1・革 (Leather)×1・のり (Glue)：20mB 核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I)本体ブロック + レシピ ネタバレ注意 核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I) 必要電力：30000EU/t (LuV～)、加工時間：50秒 Bus 1：核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1 Bus 2：クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 3：クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 4：クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 5：クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 6：プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate)×1 Bus 7：ネザースタープレート(Nether Star Plate)×1 Bus 8：空間発生器(IV) (Field Generator (IV) )×2 Bus 9：HPICウエハー (HPIC Wafer)×32 Bus 10：1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×32 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：2880mB 核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1 超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block) 2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire) クラフト：2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire)×1・1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×2 超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block) クラフト：超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block)×1・2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire)×8・レンチ：1 イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector) 錫合金インゴット (Tin Alloy Ingot) 合金製錬機(LV)：錫合金インゴット (Tin Alloy Ingot)×2・鉄インゴット (Iron Ingot)×1・錫インゴット (Tin Ingot)×1 錫合金プレート (Tin Alloy Plate) 金属加工機(LV)：錫合金プレート (Tin Alloy Plate)×1・錫合金インゴット (Tin Alloy Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1])：1 中性子反射板 (Neutron Reflector) クラフト：中性子反射板 (Neutron Reflector)×1・錫合金プレート (Tin Alloy Plate)×6・ベリリウムプレート (Berylium Plate)×1・グラファイトの粉 (Graphite Dust)×2 ホットタングステンカーバイドインゴット(Hot Tungstencarbide Ingot) 電気高炉(HV)[2460K]：ホットタングステンカーバイドインゴット(Hot Tungstencarbide Ingot)×2・タングステンインゴット(Tungsten Ingot)×1・カーボンの粉(Carbon Dust)×1 タングステンカーバイドインゴット(Tungstencarbide Ingot) 真空冷凍機(MV)：タングステンカーバイドインゴット(Tungstencarbide Ingot)×1・ホットタングステンカーバイドインゴット(Hot Tungstencarbide Ingot)×1 タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate) 金属加工機(LV)：タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate)×1・タングステンカーバイドインゴット(Tungstencarbide Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1])：1 厚い中性子反射板 (Thick Neutron Reflector) クラフト：厚い中性子反射板 (Thick Neutron Reflector)×1・タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate)×1・ベリリウムプレート (Berylium Plate)×2・中性子反射板 (Neutron Reflector)×2 イリジウム合金インゴット (Iridium Alloy Ingot) クラフト：イリジウム合金インゴット (Iridium Alloy Ingot)×1・合金板 (Advanced Alloy)×4・イリジウムプレート (Iridium Plate)×4・工業用ダイヤモンド (Industrial Diamond)×1 イリジウム強化プレート (Iridium Reinforced Plate) 内破圧縮機(LV)：イリジウム強化プレート (Iridium Reinforced Plate)×1＋とても小さな黒灰 (Tiny Pile of Dark Ashes)×4・イリジウム合金インゴット (Iridium Alloy Ingot)×1・[火薬箱 (Powderbarrel)×16/ダイナマイト (Dynamite)×4/TNT×4/工業用TNT (Industrial TNT)×2] イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector) クラフト：イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector)×1・タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate)×2・イリジウム強化プレート (Iridium Reinforced Plate)×1・厚い中性子反射板 (Thick Neutron Reflector)×6 空間発生器(MV) (Field Generator (MV) ) 空間発生器(MV) (Field Generator (MV) ) クラフト：空間発生器(MV) (Field Generator (MV) )×1・エンダーアイ (Ender Eye)×1・2倍オスミウムワイヤー(2x Osmium Wire)×4・MV電子回路×4 核融合コイルブロック(Fusion Coil Block) クラフト：核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1・超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block)×1・空間発生器(MV) (Field Generator (MV) )×2・イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector)×2・LuV電子回路×4 プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate)×1 とても小さなプルトニウム241の粉(Tiny Pile of Plutonium 241 Dust) 遠心分離(HV)：とても小さなプルトニウム241の粉(Tiny Pile of Plutonium 241 Dust)×1(20％)＋とても小さなウラン238の粉(Tiny Pile of Uranium 238 Dust)×1(30%)・プルトニウム239の粉(Plutonium 239 Dust)×1 プルトニウム241の粉(Plutonium 241 Dust) クラフト：プルトニウム241の粉(Plutonium 241 Dust)×1・とても小さなプルトニウム241の粉(Tiny Pile of Plutonium 241 Dust)×9 プルトニウム241インゴット(Plutonium 241 Ingot) 製錬：プルトニウム241インゴット(Plutonium 241 Ingot)×1・プルトニウム241の粉(Plutonium 241 Dust)×1 プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate) 金属加工機(LV)：プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate)×1・プルトニウム241インゴット(Plutonium 241 Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1])：1 ネザースタープレート(Nether Star Plate)×1 ネザースターブロック(Nether Star Block) 圧縮機(LV)：ネザースターブロック(Nether Star Block)×1・ネザースター(Nether Star)×9 ネザースタープレート(Nether Star Plate) 切断機(LV)：ネザースタープレート(Nether Star Plate)×9・ネザースターブロック(Nether Star Block)×1・潤滑油(Lebricant)：22mB 空間発生器(IV) (Field Generator (IV) )×2 クアンタムスター(Quantum Star) #ref error ：ご指定のファイルが見つかりません。ファイル名を確認して、再度指定してください。 (quantum_star.png) 化学槽(HV)：クアンタムスター(Quantum Star)×1・ネザースター(Nether Star)×1・ラドン(Radon)：1250mB 空間発生器(IV) (Field Generator (IV) ) クラフト：空間発生器(IV) (Field Generator (IV) )×1・クアンタムスター(Quantum Star)×1・IV電子回路×4・16倍オスミウムワイヤー(16x Osmium Wire)×4 HPICウエハー (HPIC Wafer)×32 PICウエハー (PIC Wafer) レーザー刻印機(HV)[無菌室]：PICウエハー (PIC Wafer)×1・グロウストーン注入ウエハー(Quantum Star)×1・青色レンズ([Sappire/Opal/Blue Topaz] Lens)：1 リン化インジウムガリウムの粉 (Indium Gallium Phosphide Dust) クラフト：リン化インジウムガリウムの粉 (Indium Gallium Phosphide Dust)×3・インジウムの粉(Indium Dust)×1・ガリウムの粉(Gallium Dust)×1・リンの粉(Phosphor Dust)×1 HPICウエハー (HPIC Wafer) 化学反応炉(EV)：HPICウエハー (HPIC Wafer)×1・PICウエハー (PIC Wafer)×1・リン化インジウムガリウムの粉 (Indium Gallium Phosphide Dust)×2・溶融赤合金(Molten Red Alloy)：288mB クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×4 1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×32 溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：2880mB LuVマシン外装(LuV Machine Hull) LuVマシン外装(LuV Machine Casing) クラフト：LuVマシン外装(LuV Machine Casing)×1・クロムプレート (Chrome Plate)×8・レンチ：1 LuVハッチ・バス(LuV ～ Hatch/Bus) LuVマシン筐体(LuV Machine Casing) 組立機(LV)：LuVマシン筐体(LuV Machine Casing)×1・LuVマシン外装(LuV Machine Hull)×1・1倍バナジウムガリウムケーブル (1x Vanadium-Gallium Cable)×2・溶融ポリエチレン：288mB LuVエネルギーハッチ(LuV Energy Hatch) クラフト：LuVエネルギーハッチ(LuV Energy Hatch)×1・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1・1倍バナジウムガリウムケーブル (1x Vanadium-Gallium Cable)×1 LuV搬入ハッチ(LuV Input Hatch) クラフト：LuV搬入ハッチ(LuV Input Hatch)×1・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1・強化ガラス (Reinforced Glass)×1 LuV搬出ハッチ(LuV Output Hatch) クラフト：LuV搬出ハッチ(LuV Output Hatch)×1・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1・強化ガラス (Reinforced Glass)×1 核融合炉Mk.I の組み立て 1段目・LuVマシンケーシング：322段目・超電導コイルブロック 32・LuVマシンケーシング 58～46・LuVエネルギーハッチ 4～16・LuV搬出ハッチ 1・核融合炉Mk.1本体ブロック 13段目・LuVマシンケーシング：32 GUI NEIレシピ クラフトごとに起動する際に起電力が必要になる。核融合炉Mk.1に取り付けたエネルギーハッチの数で蓄電量が決まる（エネルギーハッチ1個で1000万EU蓄電でき、最大で16個設置できる） ヘリウムプラズマの作成 ヘリウム3(Helium-3) 遠心分離機(LV)：ヘリウム3(Helium-3)：100mB ＋ エンドストーン(Endstone Dust)×1・汚れたエンドストーンの粉(Impure Pile of Endstone Dust)×1・ヘリウム3(Helium-3)：100mB遠心分離機(MV)：ヘリウム3(Helium-3)：1mB・ヘリウム(Helium)：16mB 重水素(Deuterium) 遠心分離機(LV)：重水素(Deuterium)：4mB・水素(Hydrogen)：16mB ヘリウムプラズマ(Hellium Plasma) 核融合炉(EV)：ヘリウムプラズマ(Hellium Plasma)：125mB・ヘリウム3(Helium-3)：125mB・重水素(Deuterium)：125mB起電力：60 000 000EU ユーロピウムの作成 溶融ユーロピウム(Molten Europium) 核融合炉(LuV)：溶融ユーロピウム(Molten Europium)：16mB・水素(Hydrogen)：48mB・溶融ネオジム(Molten Neodymium)：16mB起電力：150 000 000EUレート：水素：3 + 溶融ネオジム：1→ 溶融ユーロピウム：1 Cristalprocesser(とLuVマシン)の作成 クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) 回路組立機(LuV～)：多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・クリスタルプロセッシングユニット(Crystal Processing Unit)×1・ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×1・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×2・チップトランジスタ(SMD Transistor)×2・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×2・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[72/144/288]mB クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser),クリスタルプロセッシングユニット(Crystal Processing Unit)の作成にLuVマシンが必要になるため、まずは回路組立機(LuV)、レーザー刻印機(LuV)を作成する。 LuVマシンコンポーネントの作成について LuV以降のマシンコンポーネント(電気モーター、コンベアーモジュール等)は「組み立てライン(Assembly Line)」を使用して作成していく。作成レシピやデータは、作成したいマシンコンポーネントの一つ下の電圧レベルのアイテムをスキャンすることで入手できる(例：「電気モーター(LuV)」を作成する場合は「電気モーター(IV)」をスキャナーでスキャンする)。 LuVマシンコンポーネントのレシピ 組み立てラインで作成するアイテムのNEIレシピはアイテム作成の実績を取るとNEIレシピに表示される。 実績は組み立てライン(Assembly Line)で作成したアイテムを拾うことで獲得できる。 ※スキャナーでスキャンしたデータスティックがないと必要アイテムを揃えても組み立てラインを起動できない。 基本素材の作成レシピ 1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable) イットリウムの粉(Small Yttrium Dust) 遠心分離機[Centrifuge](LV～)：・レアアース(Rare Earth)×1※25％の確率で入手できる。レアアースはレッドストーン鉱石の加工やモナズ石の粉の電気分解等で入手できる。 バリウムの粉(Barium Dust) 電気分解[Electrolyzer](MV～)：・重晶石の粉(Barite Dust)×6重晶石はクォーツ鉱脈から入手できる。 イットリウムバリウム銅酸塩の粉(Yttrium Barium Cuprate Dust) クラフト：・イットリウムの粉(Yttrium Dust)×1・バリウムの粉(Barium Dust)×2・銅の粉(Copper Dust)×3 イットリウムバリウム銅酸塩インゴット(Yttrium Barium Cuprate Ingot) 電気高炉(MV～)[4500K～]：・イットリウムバリウム銅酸塩の粉(Yttrium Barium Cuprate Dust)×1真空冷凍機(MV～)：・ホットイットリウムバリウム銅酸塩インゴット(Hot Yttrium Barium Cuprate Ingot)×1 1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable) ケーブル作成機[Wiremill](LV～)：・イットリウムバリウム銅酸塩インゴット(Yttrium Barium Cuprate Ingot)×1組立機(LV～)：・1倍イットリウムバリウム銅酸塩ワイヤー(1x Yttrium Barium Cuprate Wire)×1・[イットリウムバリウム銅酸塩ホイル(Yttrium Barium Cuprate Foil)/ポリフェニレンスルファイドホイル(Polyphenylene Sulfide Foil]×1・プログラム回路[24](Programmed Circuit[Config = 24])：1・[溶融シリコーンゴム(Molten Silicone Rubber)/溶融スチレン・ブタジエンゴム(Molten Styrene-Butadiene Rubber)]：72mB※プログラム回路の代わりに、[小さなポリ塩化ビニルパルプ(Polyvinyl Chloride Pulp)か小さなポリメチルシロキサンパルプ(Polymethylsilxanee Pulp)を使用することで、溶融ゴムの使用量を減らすことができる(72mB → 36mB) HSS-G鋼アイテム(HSS-G ～ ) HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate) プレート作成機[Bending Machine](LV～)：・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit[Config = 1]) 1 HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod) 押出加工機[Extruder](HV～)：・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1・押出加工機の型(ロッド)(Extruder Shape (Rod)) 1 ロングHSS-G鋼ロッド(Long HSS-G Rod) ハンマー[Forge Hammer](LV～)：・HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×2 HSS-G鋼スクリュー(HSS-G Screw) 切断機[Cutting Machine](LV～)：・HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×1・潤滑油(Lubricant) 1mB→旋盤[Lathe](LV～)：・HSS-G鋼ボルト(HSS-G Bolt)×1 HSS-G鋼リング(HSS-G Ring) 押出加工機[Extruder](HV～)：・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1・押出加工機の型(リング)(Extruder Shape (Ring)) 1 HSS-G鋼ローター(HSS-G Rotor) 組立機[Assembling Machine](LV～)：・HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×4・HSS-G鋼リング(HSS-G Ring)×1・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[16/32/48]mB HSS-G鋼ラウンド(HSS-G Round) 製錬[かまど]：・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1→旋盤[Lathe](LV～)：・HSS-G鋼ナゲット(HSS-G Nugget)×1 HSS-G鋼ギア(HSS-G Gear) 押出加工機[Extruder](HV～)：・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×4・押出加工機の型(ギア)(Extruder Shape (Gear)) 1 小さなHSS-G鋼ギア(Small HSS-G Gear) クラフト：・HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×1・ハンマー(Hammer) 1 HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box) 組立機[Assembling Machine](LV～)：・HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×4・プログラム回路[4](Programmed Circuit[Config = 4) 1 LuVマシンコンポーネントの作成レシピ + Electric Motor（LuV） 電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV)) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：ロング磁性ネオジムロッド(Long Magnetic Neodymium Rod)×1 Bus 2：ロングHSS-G鋼ロッド(Long HSS-G Rod)×2 Bus 3：軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 4：軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 5：軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 6：軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 7：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×2 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：144mB Hatch 2：潤滑油(Lubricant)：250mB ロング磁性ネオジムロッド(Long Magnetic Neodymium Rod) ハンマー[Forge Hammer](LV～)：・ネオジムロッド(Neodymium Rod)×2→磁化機[Polarizer](HV～)：・ロングネオジムロッド(Long Neodymium Rod)×1 + Electric Pump（LuV） 電気ポンプ(LuV)(Electric Pump (LuV)) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×1 Bus 2：小さな高圧液体パイプ(Small High Pressure Fluid Pipe)×2 Bus 3：HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×2 Bus 4：HSS-G鋼スクリュー(HSS-G Screw)×8 Bus 5：シリコーンゴムリング(Silicone Rubber Ring)×4 Bus 6：HSS-G鋼ローター(HSS-G Rotor)×2 Bus 7：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×2 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：144mB Hatch 2：潤滑油(Lubricant)：250mB 小さな高圧液体パイプ(Small High Pressure Fluid Pipe) ハンマー[組立機[Assembling Machine](MV～)：・小さなタングステン鋼液体パイプ(Small Tungstensteel Fluid Pipe)×1・電気ポンプ(EV)(Electric Pump (EV))×1 + Conveyor Module（LuV） コンベヤーモジュール(LuV)(Conveyor Module (LuV)) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×2 Bus 2：HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×2 Bus 3：HSS-G鋼リング(HSS-G Ring)×4 Bus 4：HSS-G鋼ラウンド(HSS-G Round)×32 Bus 5：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×2 Hatch 1：溶融スチレン - ブタジエンゴム(Molten Styrene-Butadiene Rubber)：1440mB Hatch 2：潤滑油(Lubricant)：250mB + Electric Piston（LuV） 電気ピストン(LuV)(Electric Piston (LuV)) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×1 Bus 2：HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×6 Bus 3：HSS-G鋼リング(HSS-G Ring)×4 Bus 4：HSS-G鋼ラウンド(HSS-G Round)×32 Bus 5：HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×4 Bus 6：HSS-G鋼ギア(HSS-G Gear)×1 Bus 7：小さなHSS-G鋼ギア(Small HSS-G Gear)×2 Bus 5：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×4 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：144mB Hatch 2：潤滑油(Lubricant)：250mB + Robot Arm （LuV） ロボットアーム(LuV)(Robot Arm (LuV)) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：ロングHSS-G鋼ロッド(Long HSS-G Rod)×4 Bus 2：HSS-G鋼ギア(HSS-G Gear)×1 Bus 3：小さなHSS-G鋼ギア(Small HSS-G Gear)×3 Bus 4：電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×2 Bus 5：電気ピストン(LuV)(Electric Piston (LuV))×1 Bus 6：マスタークアンタムコンピュータ(Master Quantumcomputer)×2 Bus 7：クアンタムプロセッサーアセンブリ(Quantumprocessor Assembly)×2 Bus 8：ナノプロセッサー(Nanoprocessor)×6 Bus 9：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×6 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：576mB Hatch 2：潤滑油(Lubricant)：250mB + Emitter（LuV） エミッター(LuV)(Emitter (LuV)) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box)×1 Bus 2：エミッター(IV)(Emitter (IV))×1 Bus 3：エミッター(EV)(Emitter (EV))×2 Bus 4：エミッター(HV)(Emitter (HV))×4 Bus 5：ナノプロセッサー(Nanoprocessor)×7 Bus 6：エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 7：エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 8：エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 9：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×7 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：576mB + Sensor（LuV） センサー(LuV)(Sensor (LuV)) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box)×1 Bus 2：センサー(IV)(Sensor (IV))×1 Bus 3：センサー(EV)(Sensor (EV))×2 Bus 4：センサー(HV)(Sensor (HV))×4 Bus 5：ナノプロセッサー(Nanoprocessor)×7 Bus 6：エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 7：エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 8：エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 9：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×7 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：576mB + Field Generator（LuV） 空間発生器(LuV)(Field Generator (LuV)) #ref error ：ご指定のファイルが見つかりません。ファイル名を確認して、再度指定してください。 (field_generator_luv.png) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box)×1 Bus 2：HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×6 Bus 3：クアンタムスター(Quantum Star)×1 Bus 4：エミッター(LuV)(Emitter (LuV))×4 Bus 5：マスタークアンタムコンピュータ(Master Quantumcomputer)×8 Bus 6：オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 7：オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 8：オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 9：オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 10：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×8 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：576mB レーザー刻印機(LuV) レーザー刻印機(LuV) (Advanced Precision Laser Engraver V) クラフト：・エミッター(LuV)(Emitter (LuV))×１・電気ピストン(LuV)(Electric Piston (LuV))×２・LuV電子回路(Master Quantumcomputer)×３・１倍ニオブチタンケーブル(1x Niobium-Titanium Cable)×２・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×１ 回路組立機(LuV) 回路組立機(LuV) (Advanced Circuit Assembling Machine V) クラフト：・ロボットアーム(LuV)(Robot Arm (LuV))×１・エミッター(LuV)(Emitter (LuV))×１・コンベヤーモジュール(LuV)(Conveyor Module (LuV))×２・ZPM電子回路(Quantumcomputer Mainframe)×２・１倍ニオブチタンケーブル(1x Niobium-Titanium Cable)×２・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×１ クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の作成 クリスタルCPU(Cristal Processing Unit) 生のクリスタルチップ (Raw Crystal Chip) Autoclave(HV～)：・とても大きなエメラルド/かんらん石(Exquisite [Olivine/Emerald])×１・溶融ユーロピウム：16mB※10％の確率で作成できる。 刻印されたクリスタルチップ (Engraved Crystal Chip) 電気高炉(HV～)[5000K～]：・生のクリスタルチップ (Raw Crystal Chip)×１・エメラルド/かんらん石プレート([Olivine/Emerald] Plate)×１・ヘリウム：1000mB クリスタルCPU (Crystal Processing Unit) レーザー刻印機(LuV～)：・刻印されたクリスタルチップ (Engraved Crystal Chip)×１・エメラルドレンズ(Emerald Lens)：１※無菌室(Cleanroom)内で作成する。 クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の量産について クリスタルCPU (Crystal Processing Unit)を単体クラフトすると、生のクリスタルチップ (Raw Crystal Chip)が9個作成できるため、最初の一個目はAutoclaveを使用したレシピでチップを作成して、それ以降はクリスタルCPU の単体クラフトで増やしていく。 多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board) 多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board) 化学反応器[Largeでも可](HV～)：・繊維強化回路基板(Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・エレクトラムホイル(Electrum Foil)×16・硫酸(Sulfuric Acid)：250mB ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire) ニオブの粉(Niobium Dust [Tiny Pile of Niobium Dust]) 入手方法：熱遠心分離[Thermal Centrifuge]：[砕けた/洗浄された]タンタル石([Crushed/Purified] Tantalite Ore)×1→Tiny Pile of Niobium Dust×1遠心分離[ Centrifuge]：洗浄されたタンタル石の粉(Purified Tantalite Dust)×1→Tiny Pile of Niobium Dust×1電気分解[ Electrolyzer]：パイロクロアの粉(Pyrochlore Dust)×11→Niobium Dust×2粉砕副産物[Pulverization]：・洗浄されたタンタル石(Purified Tantalite Ore)・熱遠心分離されたパイロクロア鉱石(Centrifuged Pyrochlore Ore)・熱遠心分離された軟マンガン鉱石(Centrifuged Pyrolusite Ore)→Niobium Dust×1(10%) ニオブインゴット(Niobium Ingot) 電気高炉(MV～)[4500K～]：・ニオブの粉(Niobium Dust)×1→真空冷凍機(MV～)：・ホットニオブインゴット(Hot Niubium Ingot)×1 ニオブチタンインゴット(Niobium-Titanium Ingot) 電気高炉(MV～)[4500K～]：・ニオブインゴット(Niobium Ingot)×1・チタンインゴット(Titanium Ingot)×1真空冷凍機(MV～)：・ホットニオブチタンインゴット(Hot Niobium-Titanium Ingot)×1 ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire) ケーブル作成機[Wiremill](LV～)：・ニオブチタンインゴット(Niobium-Titanium Ingot)×1→ケーブル作成機[Wiremill](LV～)：・1倍ニオブチタンワイヤー(1x Niobium-Titanium Wire)×1 クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) 回路組立機(LuV～)：多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・クリスタルプロセッシングユニット(Crystal Processing Unit)×1・ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×1・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×2・チップトランジスタ(SMD Transistor)×2・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×2・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[72/144/288]mB 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロックの作成 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)[レシピ] スキャナー：・ユーロピウムブロック(Block of Europium)×1・データスティック：1 核融合マーク1で作成できるユーロピウムをブロックにしたものをスキャンすることで核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロックの作成レシピがわかる。 クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe) クリスタルプロセッサーメインフレーム(Cristalprocesser Mainframe) 回路組立機[Circuit Assembler](LuV～)：多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser)×2・小さなコイル(Small Coil)×4・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×4・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×6・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[144/288/576]mB 回路組立機[Circuit Assembler](LuV～)：多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×2・クリスタルプロセッサーアセンブリ(Cristalprocesser Assembly)×3・チップダイオード(SMD Diode)×4・NORメモリチップ(NOR Memory Chip)×4・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×6・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[144/288/576]mB 回路組立機[Circuit Assembler](LuV～)：アルミニウムフレームボックス(Aluminium Frame Box)×1・アルティメットクリスタルコンピュータ(Ultimate Crystalcomputer)×4・小さなコイル(Small Coil)×4・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×24・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×161倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×12・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[288/576/1152]mB 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロック + レシピ 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II) 必要電力：60000EU/t (LuV[2A～]/ZPM～)、加工時間：50秒 Bus 1：核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1 Bus 2：クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 3：クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 4：クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 5：クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 6：ユーロピウムプレート(Europium Plate)×4 Bus 7：空間発生器(LuV) (Field Generator (LuV) )×2 Bus 8：HPICウエハー (HPIC Wafer)×48 Bus 9：2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire)×32 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：2880mB ※組立ラインのLuVエネルギーハッチを2個にして、LuV電力を2Aにすることで60000EU/tを確保できる(LuVバッテリーを2個入れたバッテリーバッファの出力繋げるなど)。 コメント 名前 コメント
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概要 電気高炉の改良(コイルブロックの置換)タングステン鋼インゴット(Tungstensteel Ingot) タングステン鋼コイルブロック(Tungstensteel Coil Block) HSS-Gインゴットの作成 IV電子回路の作成QBitCPU(QBit Processing Unit) 繊維強化基板(Fiber-Reinforced Circuit Board) クアンタムプロセッサ(Quantumprocessor) 組み立てライン(Assembly Line)の組み立て コメント 概要 時代内容次の時代に向けてクロム(Chrome)の入手、LuV用の電子回路の作成まで進める。 核融合炉Mk.Iの組み立てに必要になる素材の確保を行う。 主な作業電気高炉の改良HSS-Gを製錬するためにコイルブロックをタングステン鋼製(Tungstennsteel Coil Block)に置き換える HSS-Gインゴット(HSS-G Ingot)の作成 IV用の新しい電子回路の作成 組み立てライン(Assembly Line)の組み立て 次の時代への目標核融合炉Mk.Iの構成ブロックの作成 電力の確保 電気高炉の改良(コイルブロックの置換) タングステン鋼コイルブロックに置き換えることで加工温度が4500Kまでの素材を作成できるようにする。 タングステン鋼インゴット(Tungstensteel Ingot) タングステン鋼インゴット(Tungstensteel Ingot) 電気高炉(HV)[3000K]：ホットタングステン鋼インゴット(Hot Tungstensteel Ingot)×2・タングステンインゴット(Tungsten Ingot)×1・鋼鉄インゴット(Steel Ingot)×1 真空冷凍機(MV)：タングステン鋼インゴット(Tungstensteel Ingot)×1・ホットタングステン鋼インゴット(Hot Tungstensteel Ingot)×1 タングステン鋼コイルブロック(Tungstensteel Coil Block) タングステン鋼コイルブロック(Tungstensteel Coil Block) ワイヤー作成機(LV)：1倍タングステン鋼ワイヤー(1x Tungstensteel Wire)×2・タングステン鋼インゴット(Tungstensteel Ingot)×１ クラフト：2倍タングステン鋼ワイヤー(2x Tungstensteel Wire)×1・1倍タングステン鋼ワイヤー(1x Tungstensteel Wire)×2 クラフト：タングステン鋼コイルブロック(Tungstensteel Coil Block)×1・2倍タングステン鋼ワイヤー(2x Tungstensteel Wire)×8・レンチ(Wrench)：1 HSS-Gインゴットの作成 HSS-Gインゴット(HSS-G Ingot) クラフト：HSS-Gの粉(HSS-G Dust)×9・タングステン鋼の粉(Tungstensteel Dust)×5・モリブデンの粉(Molybdenum Dust)×2・クロムの粉(Chrome Dust)×1・バナジウムの粉(Vanadium Dust×1 電気高炉(HV)[4500K]：ホットHSS-Gインゴット(Hot HSS-G Ingot)×1・HSS-Gの粉(HSS-G Dust)×1 真空冷凍機(HV)：HSS-Gインゴット(HSS-G Ingot)×1・ホットHSS-Gインゴット(Hot HSS-G Ingot)×1 IV電子回路の作成 QBitCPU(QBit Processing Unit) QBitCPU(QBit Processing Unit) 電気高炉(MV)[1200K]：ヒ化ガリウム インゴット(Gallium Arsenide Ingot)×2・ガリウムインゴット(Gallium Ingot)×1・ヒ素インゴット(Arsenic Ingot)×1 金属融解機(MV)：液体ヒ化ガリウム（Molten Gallium Arsenide）：144mB・ガリウムヒ素インゴット(Gallium Arsenide Ingot)×1 化学反応炉（LV）：プルトニウム239の粉(Plutonium 239 Dust)×3 ＋ ラドン(Radon)：50mB・プルトニウム239インゴット(Plutonium 239 Ingot)×3 化学槽（HV）：クアンタムアイ(Quantum Eye)×1・エンダーアイ(Ender eye)×1・ラドン(Radon)：250mB 化学反応炉（EV）：QBitウエハー(QBit Wafer)×1・ナノCPUウエハー(NanoCPU Wafer)×1・クアンタムアイ(Quantum Eye)×2・液体ガリウムヒ素（Molten Gallium Arsenide）：288mB 切断機(MV)：QBitCPU(QBit Processing Unit)×5・QBitウエハー(QBit Wafer)×1・潤滑油(Lebricant)：22mB 繊維強化基板(Fiber-Reinforced Circuit Board) 繊維強化基板(Fiber-Reinforced Circuit Board) Chemical Bath [LV]：繊維強化エポキシ樹脂シート(Fiber-Reinforced Epoxy Resin Sheet)×1・カーボンファイバー(Raw Carbon Fibre)×1・溶融エポキシ樹脂(Molten Epoxy Resin)：144mB [Large] Chemical Reactor (LV)：繊維強化基板(Fiber-Reinforced Circuit Board)×1・繊維強化エポキシ樹脂シート(Fiber-Reinforced Epoxy Resin Sheet)×1・銅箔(Copper Foil)×1・硫酸(Sulfric Acid)：125mB クアンタムプロセッサ(Quantumprocessor) クアンタムプロセッサ(Quantumprocessor) 回路作成機(IV)：クアンタムプロセッサ(Quantumprocessor)×1・繊維強化基板(Fiber-Reinforced Circuit Board)×1・QBitCPU(QBit Processing Unit)×1・ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×1・チップコンデンサ（SMD Capacitor）×2・チップトランジスタ（SMD Transistor）×2・プラチナの細線（Fine Platinum Wire）×2・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[72/144/288]mB クアンタムプロセッサアセンブリ(Quantumprocessor Assembly) 回路作成機(IV)：クアンタムプロセッサアセンブリ(Quantumprocessor Assembly)×1・繊維強化エポキシ樹脂シート(Fiber-Reinforced Epoxy Resin Sheet)×1・クアンタムプロセッサ(Quantumprocessor)×2・小型コイル（Small Coil）×4・チップコンデンサ（SMD Capacitor）×4・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4・プラチナの細線(Fine Platinum Wire)×6・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[144/288/576]mB マスタークアンタムコンピュータ(Master Quantumcomputer) 回路作成機(IV)：マスタークアンタムコンピュータ(Master Quantumcomputer)×1・繊維強化エポキシ樹脂シート(Fiber-Reinforced Epoxy Resin Sheet)×2・クアンタムプロセッサアセンブリ(Quantumprocessor Assembly)×3・チップダイオード（SMD Diode）×4・NORメモリチップ(NOR Memory Chip)×4・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4・プラチナの細線(Fine Platinum Wire)×6・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[144/288/576]mB クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe) 回路作成機(IV)：クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1・アルミニウムフレームボックス(Aluminium Frame Box)×1・マスタークアンタムコンピュータ(Master Quantumcomputer)×4・小型コイル（Small Coil）×4・チップコンデンサ（SMD Capaccitor）×24・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×16・1倍軟銅ワイヤー（1x Annealed Copper Wire）×12・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[288/576/1152]mB 組み立てライン(Assembly Line)の組み立て 組み立てライン(Assembly Line)構成ブロック クラフト：アセンブラマシン外装(Assembler Machine Casing)×2・タングステン鋼フレームボックス(Tungstensteel Frame Box)×1・EV電子回路×6・IV電子回路×1・電気モーター[IV]（Electric Motor (IV)）×1 クラフト：組み立てライン本体(Assembly Line)×1・IVマシン筐体(IV Machine Hull)×1・アセンブラマシン外装(Assembler Machine Casing)×4・IV電子回路×2・ロボットアーム[IV]（Robot Arm (IV)）×2 クラフト：組み立てライン外装(Assembly Line Casing)×2・タングステン鋼フレームボックス(Tungstensteel Frame Box)×1・鋼鉄プレート(Steel Plate)×4・ロボットアーム[IV]（Robot Arm (IV)）×2・ハンマー：1・レンチ：1 クラフト：格子マシン外装(Grate Machine Casing)×2・鋼鉄フレームボックス(Steel Frame Box)×1・鉄格子(Iron Bars)×6・電気モーター[MV]（Electric Motor (MV)）×1・鋼鉄ローター(Steel Rotor)×1 クラフト：強化ガラス[ic2](Reinforced Glass)×7・ガラス(Glass)×7・合金板(Advanced Alloy)×2 データスティック (Data Stick) データスティック (Data Stick) 回路作成機(MV)：データスティック (Data Stick)×1・プラスチック基板(Plastic Circuit Board)×１・集積プロセッサー(Integrated Processor)×１・NANDメモリチップ(NAND Memory Chip)×32・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4・赤合金の細線(Fine Red Alloy Wire)×8・ポリエチレンシート(Polyethylene Sheet)×4・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[144/288/576]mB コメント ルトニウム239インゴットの入手方法を追加した方が良いと思います。 -- 名無しさん (2023-04-18 11 00 54) 名前 コメント
https://w.atwiki.jp/notepat/pages/63.html
概要 電気高炉の改良(コイルブロックの置換)ニクロムインゴット(Nichrome Ingot) ニクロムコイルブロック(Nichrome Coil Block) タングステンインゴット(Tungsten Ingot)の作成タングステンの粉 タングステンインゴット(Tungsten Ingot) タングステン鋼インゴット(Tungstensteel Ingot) 大型化学反応炉(Large Chemical Reactor)の組み立てポリテトラフルオロエチレン(Polytetrafluoroethylene)の作成 新しい電子回路の作成ナノCPU(NanoCPU) エポキシ樹脂(Epoxy Resin) エポキシ基板(Epoxy Circuit Board) ナノプロセッサ(Nanoprocessor) コメント 概要 時代内容次の時代に向けてタングステン鋼(Tungstensteel)の量産、IV用の電子回路の作成まで進める。 主な作業電気高炉の改良タングステン(Tungsten)を製錬するためにコイルブロックをニクロム製(Nichrome Coil Block)に置き換える タングステンインゴット(Tungsten Ingot)の作成タングステン(Tungsten [Dust])の入手 タングステン鋼インゴット(Tungstensteel Ingot)の作成 大型化学反応炉(Large Chemical Reactor)の組み立て IV用の電子回路の作成 次の時代への目標タングステン鋼インゴット(Tungstensteel Ingot)の量産 電気高炉の改良(コイルブロックの置換) ニクロムインゴット(Nichrome Ingot) ニクロムインゴット(Nichrome Ingot) 製錬 ニッケルインゴット(Nickel Ingot)×1・ニッケルの粉(Nickel Dust)×１ 電気高炉(MV)[1700K]：クロムインゴット(Chrome Ingot)×1・クロムの粉(Chrome Dust)×１ 電気高炉(HV)[2700K]：ホットニクロムインゴット(Hot Nichrome Ingot)×5・クロムインゴット(Chrome Ingot)×１・ニッケルインゴット(Nickel Ingot)×4 真空冷凍機(MV)：ニクロムインゴット(Nichrome Ingot)×1・ホットニクロムインゴット(Hot Niｃhrome Ingot)×１ ニクロムコイルブロック(Nichrome Coil Block) ニクロムコイルブロック(Nichrome Coil Block) ワイヤー作成機(LV)：1倍ニクロムワイヤー(1x Nichrome Wire)×2・ニクロムインゴット(Niｃhrome Ingot)×１ クラフト：2倍ニクロムワイヤー(2x Nichrome Wire)×1・1倍ニクロムワイヤー(1x Nichrome Wire)×2 クラフト：ニクロムコイルブロック(Nichrome Coil Block)×1・2倍ニクロムワイヤー(2x Nichrome Wire)×8・レンチ(Wrench)：1 タングステンインゴット(Tungsten Ingot)の作成 タングステンの粉 タングステンの粉(Tungsten Dust) 電解槽(EV)：タングステンの粉(Tungsten Dust)×1＋カルシウム・リチウムの粉(Calcium・Lithium Dust×2)＋酸素(Oxygen)：4000mB・灰重石・タングステン酸塩の粉 (Scheelite・Tungstate Dust)×7・水素(Hydrogen)：7000mB タングステンインゴット(Tungsten Ingot) タングステンインゴット(Tungsten Ingot) 電気高炉(MV)[3000K]：ホットタングステンインゴット(Hot Tungsten Ingot)×1・タングステンの粉(Tungsten Dust)×１ 真空冷凍機(MV)：タングステンインゴット(Tungsten Ingot)×1・ホットタングステンインゴット(Hot Tungsten Ingot)×１ タングステン鋼インゴット(Tungstensteel Ingot) タングステン鋼インゴット(Tungstensteel Ingot) 電気高炉(HV)[3000K]：ホットタングステン鋼インゴット(Hot Tungstensteel Ingot)×2・タングステンインゴット (Tungsten Ingot)×１・鋼鉄インゴット (Steel Ingot)×1 真空冷凍機(MV)：タングステン鋼インゴット(Tungstensteel Ingot)×1・ホットタングステン鋼インゴット(Hot Tungstensteel Ingot)×１ 大型化学反応炉(Large Chemical Reactor)の組み立て ポリテトラフルオロエチレン(Polytetrafluoroethylene)の作成 溶融ポリテトラフルオロエチレン(Molten Polytetrafluoroethylene) 化学反応炉(LV)：クロロフォルム(Chloroform)：1000mB＋塩化水素セル(Hydrochloric Acid Cell)×3＋空のセル(Empty Cell)×1・塩素セル(Chlorine Cell)×6・プログラム回路[3](Programmed Circuit [3]：1・メタン(Methane)：１000mB 化学反応炉(LV)：フッ化水素酸セル(Hydrofluoric Acid Cell)×1・フッ素セル(Fluorine Cell)×1・プログラム回路[11](Programmed Circuit [11]：1・水素(Hydrogen)：１000mB 化学反応炉(HV)：テトラフルオロエチレン(Tetrafluoroethylene)：500mB＋希塩酸セル(Diluted Hydrochloric Acid Cell)×1・フッ化水素酸セル(Hydrofluoric Acid Cell)×2・空のセル(Empty Cell)×1・クロロフォルム(Chloroform)：1000mB 化学反応炉(LV)：溶融ポリテトラフルオロエチレン(Molten Polytetrafluoroethylene)：216mB＋空のセル(Empty Cell)×1・酸素セル(Oxygen Cell)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1]：1・テトラフルオロエチレン(Tetrafluoroethylene)：144mB 大型化学反応炉構成ブロック クラフト：大型化学反応炉本体(Large Chemical Reactor)×1・発展回路[HV回路] (Advanced Circuit)×4・大型テフロン液体パイプ(Large PTFE Fluid Pipe)×2・ステンレス鋼ローター(Stainless Steel Rotor)×1・電気モーター（HV）(Electric Motor (HV) )×1・HVマシン筐体(HV Machine Hull)×1 Assembler[LV]：化学不活性マシン外装(Chemically Inert Machine Casing)×1・鋼鉄マシン外装 (Sollid Steel Machine Casing)×1・プログラム回路[6](Programmed Circuit [6]：1・溶融ポリテトラフルオロエチレン(Molten Polytetrafluoroethylene)：216mB クラフト：テフロンパイプ外装(PTFE Pipe Casing)×2・ポリテトラフルオロエチレンシート(Polytetrafluoroethylene Sheet)×4・テフロン液体パイプ(PPTFE Fluid Pipe)×4・ポリテトラフルオロエチレンフレームボックス(Polytetrafluoroethylene Frame Box)×1 新しい電子回路の作成 ナノCPU(NanoCPU) ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit) 化学反応炉(EV)：ナノCPUウエハー(NanoCPU Wafer)×1・CPUウエハー(Central Processing Unit (Wafer))×1・カーボン繊維(Raw Carbon Fibre)×16・液体グローストーン(Molten Glowstone)：576mB 切断機(MV)：ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×7・ナノCPUウエハー(NanoCPU Wafer)×1・潤滑油(Lebricant)：22mB エポキシ樹脂(Epoxy Resin) グリセロール(Glycerol) 化学反応炉(LV)：水酸化ナトリウム(Sodium Hydroxide Dust)×1＋水素(Hydrogen)：1000mB・ナトリウム(Sodium Dust)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1]：1・水(Water)：１000mB Fluid Extractor (LV)：種オイル(Seed Oil)：10mB・種(～ Seed)×1 Large Chemical Reactor (MV)：メタノール(Mthanol)：1000mB・カーボンの粉(Carbon Dust)×1・酸素(Oxygen)：1000mB・水素(Hydrogen)：4000mB・プログラム回路[23](Programmed Circuit [23])：1 Large Chemical Reactor (LV)：グリセロール(Glycerol)：1000mB＋バイオディーゼル(Bio Diesel)：6000mB・カとても小さな水酸化ナトリウムの粉(Tiny Pile of Sodium Hydroxide Dust)×1・種オイル(Seed Oil)：6000mB・メタノール(Mthanol)：1000mB エピクロロヒドリン(Epichlorohydrin) Large Chemical Reactor(LV)：塩化水素(Hydrochloric Acid)：1000mB・水素(Hydrogen)：１000mB・塩素(Chlorine)：１000mB・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1]：1 Large Chemical Reactor (LV)：エピクロロヒドリン(Epichlorohydrin)：1000mB＋水(Water)：2000mB・グリセロール(Glycerol)：1000mB・塩化水素(Hydrochloric Acid)：1000mB アセトン(Acetone) Large Chemical Reactor (LV)：酢酸(Acetic Acid)：1000mB・カーボンの粉(Carbon Dust)×2・酸素(Oxygen)：2000mB・水素(Hydrogen)：4000mB・プログラム回路[24](Programmed Circuit [24])：1 Large Chemical Reactor (LV)：アセトン(Acetone)：4000mB＋二酸化炭素(Carbon Dioxide)：4000mB・[方解石/カルシウム/生石灰]の粉([Calcite/Calcium/Quicklime] Dust)×1・酢酸(Acetic Acid)：4000mB・プログラム回路[24](Programmed Circuit [24])：1 フェノール(Phenol) Fluid Extractor (LV)：木タール(Wood Tar)：100mB＋灰(Ashes)×1[10%]・木炭(Charcoal)×1 Distillery (MV)：フェノール(Phenol)：15mB・木タール(Wood Tar)：200mB・プログラム回路[2](Programmed Circuit [2])：1 溶融ビスフェノールA(Molten Bisphenol A) Large Chemical Reactor (LV)：溶融ビスフェノールA(Molten Bisphenol A)：1000mB・塩化水素(Hydrochloric Acid)：1000mB・フェノール(Phenol)：2000mB・アセトン(Acetone)：1000mB・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1])：1 溶融エポキシ樹脂(Molten Epoxy Resin) Large Chemical Reactor (LV)：溶融エポキシ樹脂(MoltenEpoxy Resin)：1000mB＋塩水(Salt Water)：1000mB・水酸化ナトリウム(Sodium Hydroxide Dust)×1・エピクロロヒドリン(Epichlorohydrin)：1000mB・溶融ビスフェノールA(Molten Bisphenol A)：1000mB エポキシ基板(Epoxy Circuit Board) エポキシ基板(Epoxy Circuit Board) Fluid Solidifier (LV)：エポキシ樹脂シート(Epoxy Resin Sheet)×1・鋳型[プレート] (Mold (Plate) )：1・溶融エポキシ樹脂(Molten Epoxy Resin)：144mB [Large] Chemical Reactor (LV)：エポキシ基板(Epoxy Circuit Board)×1・エポキシ樹脂シート(Epoxy Resin Sheet)×1・銅箔(Copper Foil)×1・硫酸(Sulfric Acid)：125mB ナノプロセッサ(Nanoprocessor) ナノプロセッサ(Nanoprocessor) 回路作成機(EV)：ナノプロセッサ(Nanoprocessor)×1・エポキシ基板(Epoxy Circuit Board)×1・ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×1・チップ抵抗器（SMD Resister）×2・チップコンデンサ（SMD Capacitor）×2・チップトランジスタ（SMD Transistor）×2・エレクトラムの細線（Fine Electrum Wire）×2・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[72/144/288]mB ナノプロセッサアセンブリ(Nanoprocessor Assembly) 回路作成機(EV)：ナノプロセッサアセンブリ(Nanoprocessor Assembly)×1・エポキシ基板(Epoxy Circuit Board)×1・ナノプロセッサ(Nanoprocessor)×2・小型コイル（Small Coil）×4・チップコンデンサ（SMD Capacitor）×4・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4・エレクトラムの細線（Fine Electrum Wire）×6・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[144/288/576]mB エリートナノコンピュータ(Elite Nanocomputer) 回路作成機(EV)：エリートナノコンピュータ(Elite Nanocomputer)×1・エポキシ基板(Epoxy Circuit Board)×2・ナノプロセッサアセンブリ(Nanoprocessor Assembly)×3・チップダイオード（SMD Diode）×4・NORメモリチップ(NOR Memory Chip)×4・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4・エレクトラムの細線（Fine Electrum Wire）×6・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[144/288/576]mB ナノプロセッサメインフレーム(Nanoprocessor Mainframe) 回路作成機(EV)：ナノプロセッサメインフレーム(Nanoprocessor Mainframe)×1・アルミニウムフレームボックス(Aluminium Frame Box)×1・エリートナノコンピュータ(Elite Nanocomputer)×4・小型コイル（Small Coil）×4・チップコンデンサ（SMD Capaccitor）×24・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×16・1倍軟銅ワイヤー（1x Annealed Copper Wire）×12・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[288/576/1152]mB コメント ナノプロセッサの箇所、画像ズレてます？ -- 名無しさん (2023-04-18 10 56 03) ポリテトラフルオロエチレンの作成でテトラフルオロエチレンの加工レシピを確認したところ、HVでないと加工が始まらなかったので昨日修正しました -- 名無しさん (2023-04-26 07 48 50) グリセロール(Glycerol)の生成に必要なのは、Tiny Pile of Sodium Dust -- 名無しさん (2024-05-26 18 56 30) グリセロール(Glycerol)の生成に必要なのは、「Tiny Pile of Sodium Dust」ではなく、「Tiny Pile of Sodium Hydroxide Dust」ではないでしょうか -- 名無しさん (2024-05-26 18 57 41) ↑修正しました -- 名無しさん (2024-06-03 12 02 41) 名前 コメント
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食べ物 食物 棒つきジャガイモ(Potato on a Stick) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：1.0 棒つきベークドポテト(Roasted Potato on a Stick) レシピ満腹量 ：3.0 隠し満腹量：4.0 生のフライドポテト(Potato Strips) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：1.0 フライドポテト(Fries) レシピ満腹量 ：3.5 隠し満腹量：4.0 フライドポテト(Fries) レシピ満腹量 ：3.5 隠し満腹量：4.0 生のポテトチップス(Potato Chips (Raw) ) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：1.0 ポテトチップス(Potato Chips) レシピ満腹量 ：3.5 隠し満腹量：4.0 ポテトチップス(チリソース)(Chili Chips) レシピ満腹量 ：3.5 隠し満腹量：5.0 ポテトチップス(Bag of Potato Chips) レシピ満腹量 ：3.5 隠し満腹量：4.0 ポテトチップス(チリソース)(Food_Bag of Chili Chips) レシピ満腹量 ：3.5 隠し満腹量：5.0 チャム(Chum) レシピ満腹量 ：2.5 隠し満腹量：1.0 棒つきチャム(Chum on a Stick) レシピ満腹量 ：2.5 隠し満腹量：1.0 カステラ生地(Sugary Dough) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 クッキー生地(Chocolate Dough) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 生のクッキー(Cookie shaped Dough) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 バンズ(Buns) レシピ満腹量 ：1.5 隠し満腹量：1.5 ベジタブルバーガー(Veggieburger) レシピ満腹量 ：1.5 隠し満腹量：1.5 チーズバーガー(Cheeseburger) レシピ満腹量 ：1.5 隠し満腹量：1.5 ハンバーガー(Hamburger) レシピ満腹量 ：1.5 隠し満腹量：1.5 チャムバーガー(Chumburger) レシピ満腹量 ：2.5 隠し満腹量：1.0 スライスしたブレット(Breads) レシピ満腹量 ：2.5 隠し満腹量：3.0 ベジタブルサンドウィッチ(Veggie Sandwich) レシピ満腹量 ：3.5 隠し満腹量：4.5 チーズサンドウィッチ(Cheese Sandwich) レシピ満腹量 ：3.5 隠し満腹量：4.5 ベーコンサンドウィッチ(Bacon Sandwich) レシピ満腹量 ：5.0 隠し満腹量：8.0 ステーキサンドウィッチ(Steak Sandwich) レシピ満腹量 ：5.0 隠し満腹量：8.0 バゲット(Baguettes) レシピ満腹量 ：4.0 隠し満腹量：4.0 ベジタブルバゲット(Large Veggie Sandwich) レシピ満腹量 ：7.5 隠し満腹量：10.0 チーズバゲット(Large Cheese Sandwich) レシピ満腹量 ：7.5 隠し満腹量：10.0 ベーコンバゲット(Large Bacon Sandwich) レシピ満腹量 ：10.0 隠し満腹量：10.0 ステーキバゲット(Large Steak Sandwich) レシピ満腹量 ：10.0 隠し満腹量：10.0 生のベジタブルピザ(Raw Veggie Pizza) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 生のチーズピザ(Raw Cheese Pizza) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 生のミートピザ(Raw Mince Meat Pizza) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 ベジタブルピザ(Veggie Pizza) レシピ満腹量 ：1.5 隠し満腹量：1.0 チーズピザ(Cheese Pizza) レシピ満腹量 ：2.0 隠し満腹量：2.0 ミートピザ(Mince Meat Pizza) レシピ満腹量 ：2.5 隠し満腹量：2.5 チーズ(Cheese) レシピ満腹量 ：1.5 隠し満腹量：1.5 パン生地(Dough) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 ピザ生地(Flattened Dough) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 生のパン(Dough (Bun)) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 生のバン(Dough (Bread)) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 生のバゲット(Dough (Baguette)) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 バン(Bun) レシピ満腹量 ：1.5 隠し満腹量：1.5 バゲット(Baguette) レシピ満腹量 ：4.0 隠し満腹量：4.0 スライスされたパン(Sliced Bun) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 スライスされたバン(Sliced Bread) レシピ満腹量 ：1.0 隠し満腹量：1.0 スライスされたバゲット(Sliced Baguette) レシピ満腹量 ：2.0 隠し満腹量：2.0 生のケーキ生地(Cake Bottom) レシピ満腹量 ：1.0 隠し満腹量：1.0 ケーキ生地(Baked Cake Bottom) レシピ満腹量 ：1.0 隠し満腹量：1.0 レモンスライス(Lemon Slice) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 トマトスライス(Tomato Slice) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 オニオンスライス(Onion Slice) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 キュウリスライス(Cucumber Slice) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 チーズスライス(Cheese Slice) レシピ満腹量 ：0.5 隠し満腹量：0.5 飲み物 作成した飲み物はビンやカップに入れることで飲むことが出来る。 飲料 ビターコーヒー(Dark Coffee) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： コーヒー(Coffee) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： カフェ・オ・レ(Cafe au lait) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： ビターチョコレート牛乳(Dark Chocolate Milk) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： チョコレート牛乳(Chocolate Milk) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： 紅茶(Tea) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： アイスティー(Ice Tea) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： パープルドリンク(Purple Drink) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： ぶどうジュース(Grape Juice) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： ワイン(Wine) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： ミネラルウォーター(Mineral Water) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： サトウキビジュース(Reed_Water) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： ホップジュース(Hops Juice) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： ダークビール(Dark Beer) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： 小麦ジュース(Wheaty Juice) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： 小麦ホップジュース(Wheaty Hops Juice) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： ビール(Beer) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： チリソース(Chilly Sauce) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： ホットソース(Hot Sauce) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： りんごジュース(Apple Juice) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： サイダー(Cider) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： レモンジュース(Lemon Juice) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： レモネード(Lemonade) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： 牛乳(Milk) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： ホーリーウォーター(Holy Water) レシピ満腹量 ： 隠し満腹量： 名前 コメント
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