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一リーグ時代の監督たち 阪急 ◆RTDIJZhD3g 贔屓球団:オリックス 一リーグ時代に活躍したいにしえの名監督 今となっては知る人も数えるほどしかいないが、隙の無い指名によって構成された強力打線を武器に四連覇を達成するなど一時代を築いた 分析力もあり、その手腕は相当なモノだったと推測される 私自身、その存在は伝記の中でしか確認することは出来ないが一度でいいので同時期に参加してみたかったものである 指名傾向は喜八、サリーに近い印象 ガッキー ◆tr.t4dJfuU 野球ch時代の監督 色んな意味で暇ドラを象徴する人物あり、先代のシミュ神でもある 詳しいことは「暇ドラの生き証人」に聞いてみよう 帚星 ◆.KeelhfEtI 野球ch時代の暇ドラを支えた常連監督 詳しいことは「暇ドラの生き証人」に聞いてみよう
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このページはこちらに移転しました シーラカンスの時代 作詞/つまだ A)100人の微笑感じながら アイデンティティを守る 夢追い人に 僕はなっていた B)ヒレが消えて 代わりに腕が 望んだからか なぜか生えてきた A)水槽の中の回遊魚 越えられない壁触れて 羨ましいと 恐らく思うだろう B)僕は死んで 生まれ変わり その時にはもう 夢を手にしていた S)ただ 立ち尽くすことも出来ずにいた あの日が 今は懐かしい S)まだ 進化をとめないこの体に 時代は 追いつかないから あぁ (このページは旧wikiから転載されました)
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14 高度技術時代1➀目標 ②Distillation Tower ③Quest Advanced Assembling Machine II ④Quest Epoxy Circuit Board ⑤Quest Nano CPU ⑥Quest Nanoprocessor・Nano processor Assembly ⑦Electric Blast Furnaceの電圧 ⑧Quest Polytetrafluoroethylene ⑨Quest Vacuum Freezer ⑩Electric Blast Furnace 温度 ⑫Chlorine生産 ⑪Quest Titanium Ingot ⑫Quest EV Machine Hull 14 高度技術時代1 ➀目標 ここでは、Distillation Towerによる自動化、EVの回路・Titaniumを作っておく。 MVと同じように、特別な場合を除いて前の電圧で作った機械は自分で作成しておくことをお勧めする。 ②Distillation Tower 今回は高さが5にしておく。 Crafting IN OUT 4 Processor Assembly2 Electric Pump (HV)2 Large Stainless Steel Pipe1 HV Machine Hull 1 Distillation Tower 組み立てはマルチブロック参照。 これは、Oilから4つに蒸留する。Distillation Towerの上位互換。まだ、Sulfuric状態なので脱硫しておく。(Chemical Reactor) また、ここからさらにCrackingしてDistillation TowerやDistiller で蒸留してもいい。(EthyleneやTolueneなど) Cracker Unitという大型機械もあるが、EV回路が必要。また、あまり大型機械にする意味はない。 ③Quest Advanced Assembling Machine II Crafting IN OUT 2 Robot Arm (HV)2 Conveyor Module (HV)2 1x Gold cable2 Processor Assembly1 HV Machine Hull 1 Advanced Assembling Machine II ④Quest Epoxy Circuit Board Chemical Reactor 32EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 1 Sodium Dust1 Programmed Circuit 1[消滅なし]1000mB Water 320EU 8EU/t 2.0 s 1 Sodium Hydroxide Dust1000mB Hydrogen 1 Tiny Pile of Sodium Hydroxide Dust500mB Seed Oil500mB Water 18000EU 30EU/t 30.0 s 1000mB Glycerol 1000mB Hydrochloric Acid1000mB Glycerol 14400EU 30EU/t 24.0 s 2000mB Water1000mB Epichlorohydrin 1000mB Nitrogen Dioxide3000mB Naphtha144mB Epichlorohydrin 7200EU 30EU/t 12.0 s 288mB Epoxy Resin 1 Epoxy Resin Sheet1 Copper Foil125mB Sulfuric Acid 5000EU 10EU/t 25.0 s 1 Epoxy Circuit Board ⑤Quest Nano CPU Centrifuge 32EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 1 Purified Pile of Nickel Dust 1160EU 5EU/t 11.6 s 1 Nickel Dust3 Tiny Pile of Platinum Dust ここからPlatinumが入手できる。 Autoclave 128EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 1 Carbon Dust1mB Molten Platinum 1800EU 40EU/t 2.25 s 2 Raw Carbon Fibers[80%] Crafting IN OUT 2 Glass2 1x Gold cable2 Processor Assembly1 Steel Rotor1 Electric Motor (HV)1 HV Machine Hull 1 Advanced Chemical Reactor II Chemical Reactor 512EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 16 Raw Carbon Fibers1 CPU Wafer576mB Energized Glowstone 192000EU 480EU/t 20.0 s 1 Nano CPU Wafer これを切断して完成。 ⑥Quest Nanoprocessor・Nano processor Assembly Assembling Machine 512EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 2 SMD Resistor・Capacitor・Transistor2 Fine Electrum Wire1 Epoxy Circuit Board1 Nano CPU144mB Molten Tin 96000EU 480EU/t 10.0 s 1 Nanoprocessor 6 Fine Electrum Wire4 Small Coil4 SMD Capacitor4 RAM2 Nanoprocessor1 Epoxy Circuit Board288mB Molten Tin 192000EU 480EU/t 20.0 s 1 Nano Processor Assembly ⑦Electric Blast Furnaceの電圧 Energy Input HatchをHVにして512EU/t 2Aにしておこう。 ⑧Quest Polytetrafluoroethylene Vacuum FreezerにはPolytetrafluoroethyleneが必要。 FluorineはGranite➡Black Granite Dust➡Biotite Dust➡Fluorine・Potassium・Magnesiumとしたほうがいい。(Graniteは錬成) Electrolyzer 128EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 22 Biotite Dust 105600EU 60EU/t 88.0 s 1 Potassium Dust3 Magnesium Dust3 Aluminium Dust3 Silicon Dust2000mB Fluorine10000mB OxygenChemical Reactor 32EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 1 Carbon DustProgrammed Circuit 0[消滅なし]4000mB Hydrogen 105000EU 30EU/t 175.0 s 5000mB MethaneChemical Reactor 512EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 2000mB Hydrofluoric Acid1000mB Chloroform 61440EU 256EU/t 12.0 s 3000mB Diluted Hydrochloric Acid500mB Tetrafluoroethylene これをOxygenと反応してPolytetrafluoroethyleneの完成。 ⑨Quest Vacuum Freezer 今後、Vacuum Freezerが重要になってくる。 Crafting IN OUT 3 Electric Pump (HV)3 Atomic Alloy2 1x Gold cable1 Frost Proof Machine Casing 1 Vacuum Freezer 組み立てはJEIかマルチブロック参照。 ⑩Electric Blast Furnace 温度 現在はCupronickel Coilだが、これでNichromeまで上げられるようになった。先にKanthalにしておく。 Electric Blast Furnace 128EU/t 2A IN TOTAL VOLTAGE TIME TEMP OUT 1 Kanthal Dust 190080EU 120EU/t 79.2 s 1800K 1 Hot Kanthal Ingot Hotの状態なのでVacuum Freezerに入れる。128個のインゴットでKanthal Coil Block。 Electric Blast Furnace 512EU/t 2A IN TOTAL VOLTAGE TIME TEMP OUT 4 Nickel Ingot1 Chrome Ingot 1296000EU 480EU/t 135.0 s 2700K 5 Hot Nichrome Ingot2 Small Pile of Dark Ashes 同じようにNichrome Coil Blockを作成。これで3600Kになった。 ⑫Chlorine生産 TitaniumにはChlorineがたくさん必要なのでThermal Evaporation を使う。 Crafting IN OUT 5 Thermal Evaporation Block2 Advanced Circuit Parts1 Structural Glass1 LV Machine Hull 1 Thermal Evaporation Controller また、Resistive HeaterをValveに接続し、RFを入力すると温度が上がり、水からのBrineの生産が早くなる。 Fluid Solidifier 32EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 144mB Brine1 Mold (Ball)[消滅なし] 960EU 16EU/t 3.0 s 1 Salt SaltからChlorineを生産できる。つまり、無限でChlorineも生産できるようになった。 ⑪Quest Titanium Ingot TitaniumにはBauxiteがたくさん必要。Rutileを原料とする。Bauxiteの副産物として入手できる。 Chemical Reactor 512EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 2 Carbon Dust1 Rutile Dust4000mB Chlorine 240000EU 480EU/t 25.0 s 2000mB Carbon Monoxide1000mB Titanium Tetrachloride Electric Blast Furnace 512EU/t 2A IN TOTAL VOLTAGE TIME TEMP OUT 2 Magnesium Dust1000mB Titanium Tetrachloride 384000EU 480EU/t 40.0 s 2141K 1 Hot Titanium Ingot2 Magnesium Chloride Dust これでTitanium Ingotの完成。 ⑫Quest EV Machine Hull Crafting IN OUT 1 EV Machine Casing2 1x Aluminium cable 1 EV Machine Hull これでEVに入れるが、HVでME Controllerの作成ができるようになった。そのため、次はApplied Energistics 2を進める。 ここまで来たら高度技術時代2に進もう。
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11 精密工業時代1➀目標 ②Quest Advanced Electrolyzer ②Quest Wafer ②Quest Advanced Precision Laser Engraver ③Advanced Cutting Machine ④Basic Electronic Circuit・Good Electronic Circuit ⑤Quest Advanced Assembling Machine ⑥Quest Central Processing Unit=CPU ⑦Polyvinyl Chloride ⑧Quest Plastic Circuit Board +⑨SMDアイテム ⑩Quest Integrated Processor ⑪Quest Random Access Memory Chip=RAM ⑫Quest Processor Assembly ⑬Quest Advanced Circuit Parts ⑭Quest Advanced Extruder ⑮Electric Blast Furnace電圧 11 精密工業時代1 ➀目標 ここでは、MV機械の作成をし、回路の作成の安定化をする。 ただし、これ以降は重要でない上位機械は記載しないので各自で作成してほしい。(確率が決まっているものは確率が上がる効果がある。) ②Quest Advanced Electrolyzer Basic Electrolyzerの違いは、電解できる種類が増えること。 Crafting IN OUT 4 1x Silver wire2 Good Electronic Circuit1 Glass1 MV Machine Hull1 1x Copper cable 1 Advanced Electrolyzer これで、Clay DustからLithium、Silicon、Aluminiumなどが入手できるようになった。しかし、LVでもBlack Granite Dust(錬成でGraniteを入手しそれを粉砕したもの)からたくさんSilicon Dioxideができ、これを電解すればSiliconが入手できる。 ②Quest Wafer これからの回路作成にはWaferが必要になる。 Cutting Saw 32EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 1mB Lubricant1 Monocrystalline Silicon Boule 800EU 8EU/t 5.0 s 16 Wafer ②Quest Advanced Precision Laser Engraver この機械は、Waferを加工する。レンズが必要。 Crafting IN OUT 3 Good Electronic Circuit2 Electric Piston (MV)2 1x Copper cable1 Emitter (MV)1 MV Machine Hull 1 Advanced Precision Laser Engraver 今回はRuby Lensが必要。 Lathe IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 1 Ruby Plate 192EU 16EU/t 0.6 s 1 Ruby Lens1 Small Pile of Ruby Dust ③Advanced Cutting Machine これは、Waferを切断するのに使用する。LVでは使用できない。 Crafting IN OUT 2 Good Electronic Circuit2 1x Copper cable1 Glass1 Conveyor Module (MV)1 Electric Motor (MV)1 Diamond Sawblade1 MV Machine Hull 1 Advanced Cutting Machine ④Basic Electronic Circuit・Good Electronic Circuit これでIntegrated Circuit Waferの作成ができる。 Precision Laser Engraver 128EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 1 Wafer1 Ruby Lens[消滅なし] 108000EU 120EU/t 45.0 s 1 Integrated Circuit Wafer Assembling Machine 32EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 2 Resistor1 Phenolic Circuit Board1 Integrated Circuit1 Fine Copper Wire144mB Molten Tin 1600EU 8EU/t 10.0 s 1 Basic Electronic Circuit 8 Fine Electrum Wire4 Resistor3 Basic Electronic Circuit1 Phenolic Circuit Board144mB Molten Tin 6400EU 16EU/t 20.0 s 1 Good Electronic Circuit これを使うほうがコストが低い。 ⑤Quest Advanced Assembling Machine Crafting IN OUT 2 Robot Arm (MV)2 Conveyor Module (MV)2 1x Copper cable2 Good Electronic Circuit1 MV Machine Hull 1 Advanced Assembling Machine ⑥Quest Central Processing Unit=CPU LensはGlassを使う。 Lathe 32EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 1 Glass Pane 160EU 16EU/t 0.5 s 1 Glass Lens1 Small Pile of Glass Dust このLensを使えばCentral Processing Unitが作成できる。 ⑦Polyvinyl Chloride Polyvinyl Chlorideはポリ塩化ビニルという。 Hydrochloric Acidもいずれ使う。ChlorineはSaltから入手できる。 Chemical Reactor 32EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 1000mB Ethylene2000mB Chlorine 4800EU 30EU/t 8.0 s 1000mB Vinyl Chloride1000mB Hydrochloric Acid ここからPolyvinyl Chlorideができる。 ⑧Quest Plastic Circuit Board Sulfuric Acidは水とSulfur Dustから。 Chemical Reactor 32EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 1 Polyvinyl Chloride Sheet1 Copper Foil125mB sulfuric Acid 6000EU 10EU/t 30.0 s 2 Plastic Circuit Board +⑨SMDアイテム 通常のResistorなどよりもSMD系のほうがコストが削減できる。 Assembling Machine 128EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 4 Fine Electrum Wire1 Carbon Dust144mB Polyethylene 7680EU 96EU/t 4.0 s 24 SMD Resistor 4 Thin Polyvinyl Chloride Sheet1 Aluminium Foil36mB Polyethylene 6000EU 120EU/t 2.5 s 16 SMD Capacitor 6 Fine Annealed Copper Wire1 Gallium Plate288mB Polyethylene 7680EU 96EU/t 4.0 s 32 SMD Transistor Annealed CopperはElectric Blast FurnaceのInput HatchにOxygenを入れたり、Arc Furnaceで作成できる。(Arc Furnaceのほうが早い) ※MVのを作ってもいい。 Crafting IN OUT 3 Steel Plate2 4x Tin cable2 Basic Electronic Circuit1 Graphite Ingot1 LV Machine Hull 1 Basic Arc Furnace ちなみに、Wrought Ironもこれで作れる。 ⑩Quest Integrated Processor Assembling Machine 128EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 2 SMD Resistor・Capacitor・Transistor2 Fine Red Alloy Wire1 Plastic Circuit Board1 Central Processing Unit144mB Molten Tin 12000EU 60EU/t 10.0 s 1 Integrated Processor ⑪Quest Random Access Memory Chip=RAM LensはGreen Sapphireを使う。 Lathe 32EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 1 Green Sapphire Plate 160EU 16EU/t 0.5 s 1 Green Sapphire Lens1 Small Pile of Green Sapphire Dust Waferを加工してRandom Access Memory Chipまで作成。 ⑫Quest Processor Assembly Processor AssemblyはHVの電子回路。 Assembling Machine 128EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 12 Fine Red Alloy Wire4 Small Coil4 SMD Capacitor4 RAM2 Integrated Processor1 Plastic Circuit Board288mB Molten Tin 36000EU 90EU/t 20.0 s 1 Processor Assembly ⑬Quest Advanced Circuit Parts 実際最もコストが安い回路はAdvanced Circuit Parts、Integrated Processor、Nano Processor、...になっている。 Assembling Machine 128EU/t IN TOTAL VOLTAGE TIME OUT 4 Central Processing Unit4 SMD Resistor・Capacitor・Transistor2 Fine Copper Wire1 Plastic Circuit Board144mB Molten Tin 12000EU 60EU/t 10.0 s 4 Advanced Circuit Parts ⑭Quest Advanced Extruder この機械はRingやBoltなどを作成する。型が必要。 Crafting IN OUT 4 4x Copper Wire2 Advanced Circuit Parts1 Electric Piston (MV)1 LV Machine Hull1 Medium Bronze Pipe 1 Advanced Extruder 実はTinkers Constructの道具にもAdvanced Extruderが必要になっている。 ⑮Electric Blast Furnace電圧 Electric Blast FurnaceのEnergy Input HatchをMVにすることで128EU/t 2Aを入力できるようになった。また、2つは必要なく、1つでいい。 次はHVの金属のStainless Steelや新しい発電方法を考える。 ここまで来たら精密工業時代2に進もう。
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鉄器時代、古典時代とやり方はどんなやり方でも構いませんが、だいたいすぐにカンストしてしまうと思います。 現在(2016年6月時点)では放置村ばかりと当たります。 ※放置村とは、すでにプレイを止めてしまっていて畑やキャラバンがいっぱいの状態で放置された村のことです。 ですので、適当に攻めていてもすぐにゴールドと食料がいっぱいになります。 人手が足りなくなってきたら壁を塗りましょう。 あとは、優先的に街道をアップグレードしレベルを上げたら、タウンセンターをアップグレードします。 次の時代に進めている間に他の施設をアップグレードするぐらいで十分です。 手っ取り早く時代を進めたいなら、騎馬襲撃兵のみアップグレードしていけば十分です。 あとは、ギルドゲートをアップグレードしておきましょう。 さて、無事中世時代に突入したとします。 ここからどう進めるかはよく考えたいところです。 中世時代でじっくり戦力アップするか、さっさと火薬時代に進めるか。 中世時代でいろんなところをアップグレードするとWorldWarでも戦力となります。 ここで十分楽しむことができます。 それから、中世時代に入ってくると城も建てることができます。 英雄をアップグレードしたり、戦術をアップグレードしたりとキリがありません。 そこで私がおすすめするのがまずは街道をアップグレードしてレベルをあげ、 ゴールド貯蔵庫をアップグレードして130万ゴールド貯めれるようにします。 そしてさっさとタウンセンターをアップグレードすることです。 中世から火薬にアップグレードするには5日間かかります。 この間に他の施設をアップグレードしましょう。 火薬時代では火力が上がるため、ここでじっくり時間をかけるのがいいかと思います。 ちなみに中世時代までの戦力はこれだけで十分です。 他の兵種も食料があまるのでアップグレードしていきますが、使用するのはこれだけです。
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時代の長寿ジ=ジイ R 水/自然文明 (5) クリーチャー:フューチャーズ 2500 ■マナゾーンに置く時、このカードはタップして置く。 ■このクリーチャーがバトルゾーンに出たとき、山札の上から一枚目を表向きにしてもよい。そのカードがフューチャーズであれば場に出してもよい。それ以外のカードなら手札に加えてもよい。どちらも行わない場合は墓地に置く。 作者:ヨムヨム フレーバーテキスト {この戦、若造に任すのはちと荷が重いかのぉ。---時代の長寿ジ=ジイ} 評価 名前 コメント
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読み なんぼくちょうじだい 正式名称 別名 和了り飜 三倍満 牌例 解説 南と北の槓子 成分分析 南北朝時代の65%は努力で出来ています。南北朝時代の24%は見栄で出来ています。南北朝時代の5%は食塩で出来ています。南北朝時代の2%は根性で出来ています。南北朝時代の1%は言葉で出来ています。南北朝時代の1%は鉛で出来ています。南北朝時代の1%は血で出来ています。南北朝時代の1%は株で出来ています。 下位役 上位役 複合の制限 採用状況 参照
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大見出し 中見出し 大見出し 大見出し 大見出し 大見出し 大見出し 大見出し 大見出し 大見出し 大見出し 戦国時代の中国地方 山口県(周防・長門) 【政治・軍事】 周防・長門両国を基盤として周辺諸国に勢力をおよぼしていた大内政弘は、1477年の応仁の乱の終息とともに帰国し、以後多くの大内家壁書を発布するなどして領国の統治につとめた。その子義興は、1508年流浪の将軍足利義稙を奉じてふたたび大挙上京し、10年間中央政界を牛耳った。さらに大内氏は、1523年の寧波の乱で、細川氏との対明貿易をめぐる主導権争いに勝利した。 この頃より出雲尼子氏の勢力が強大となり、中国地方の政治情勢は、両者の対立を基軸として展開するが、1541年尼子氏が安芸遠征に失敗、1543年には大内氏も出雲遠征に失敗した。そして1551年、大内義隆は重臣の陶晴賢によって自刃に追いこまれ、大内氏は滅亡した。かわって大内氏の支配権を事実上掌握した陶氏は、大友宗麟の弟晴英(大内義長)を当主に迎えた。 安芸国人層の中核的存在であった毛利元就は、1554年石見の吉見氏攻撃中の陶氏と断交し、1555年の厳島の戦いによって陶氏を倒した。これを契機に周防・長門両国への侵攻を開始し、1557年には大内義長を自刃させて両国を制圧した。以後、山口に地域支配機構として山口奉行をおき、大内氏の領国支配を一定程度継承しながら両国への支配を深化させていった。 1591年毛利輝元は、豊臣秀吉に安芸などとともに防長両国も安堵された。しかし関ヶ原の戦いで敗北し、旧領のうち防長の2国だけに減じられた。 【生活・産業】 赤間関(下関市)は、瀬戸内海と日本海を結ぶ要衝である。山口県は長い海岸線をもち、西国の幹線ルート瀬戸内海を介した交通・流通、赤間関や日本海の見島などを拠点にした大陸との交易が、さまざまなレベルで盛んであったと思われる。 また、とくに長門には、長登銅山(美東町)をはじめとする多くの銅山が存在した。さらに長門国衙鍛冶櫟木(いちき)氏・安尾氏や、防府鋳物師の活動も注目される。また、鎌倉時代初期、重源が東大寺再建で周防国佐波郡と長門国阿武郡から木材を伐りだしたように、両国の山間部には良材が多かった。 【文化・宗教】 戦国時代の周防・長門両国には、大内氏の本拠である山口を中心に「大内文化とよばれる質の高い文化が展開していた。山口には、南北朝時代以来、多数の五山僧や公家など文化人が下向し、西の都と称せられた。たとえば15世紀後半には雪舟等楊が長期にわたって滞在し、多くの山水画と庭園を残したし、飯尾宗祇も2度山口を訪れて和歌・連歌を盛んにした。また、勘合貿易で明の文化も流入し、国際色豊かな文化をかたちづくった。 応仁の乱以後には、荒廃した京都からさらに多数の公家が下向し、戦国時代も、遣明使節の天竜寺の策彦周良が明からの帰途に寄寓したほか、南村梅軒、南禅寺の梅屋宗香、大徳寺の玉堂宗条らが山口に住し、五山文学を広めた。天文年間(1532~55)には、明国人の張忠が儒学・医学を伝え、大内氏やのちには毛利氏に仕えた。大内氏は、これらの文化人を優遇するとともに、みずから仏典刊行と典籍収集につとめた。 一方、1550年に、フランシスコ・ザビエルが京への途次、山口を訪れた際にも、大内氏は保護し、翌年には5ヶ月滞在して布教を認められている。 広島県(安芸・備後) 【政治・軍事】 安芸・備後両国の戦国時代は、毛利氏の成長の歴史といえる。 安芸は、室町時代以来、国人一揆による秩序形成がとくに重要な意味をもった地域である。戦国時代の代表的な国人領主として、毛利氏・高橋氏・両小早川氏・吉川氏・宍戸氏・熊谷氏・両天野氏・阿曾沼氏・平賀氏・野間氏をあげることができ、彼らによって構成される領主連合の自立性は非常に強かった。 毛利元就は、高田郡の一国人領主だったが、周防大内氏と出雲尼子氏との対立のはざまにあって、1529年には、尼子方となった安芸北部・石見東部の有力領主高橋氏を滅亡させ、1541年には、山県・佐東・阿南3郡の分郡主だった武田氏を破り、支配領域を飛躍的に拡大させた。さらに、1544年と1551年には、元就の三男隆景が両小早川氏のあとをつぎ、1547年には、元就の次男春元が吉川氏をついだ。また毛利氏は、大内氏の安芸における軍事指揮官として機能し、その影響力はほかの国人領主にぬきんでたものとなった。もともと毛利氏は、国人領主連合の盟主的存在であったが、以上のような政治的・軍事的方策によって、その主導的立場をさらに強めた。また1550年には、元就が、みずからの権力を制約する有力譜代家臣井上氏一族を粛清し、家中の統制も強化した。 1551年に周防大内氏が滅亡すると、その実権は大内氏の重臣陶晴賢に移り、1554年ついに毛利氏は陶氏と断交した。そして1555年の厳島の戦いで陶氏を破ると、その勢力を周防・長門両国へと急速に展開した。その後、毛利氏は中国地方の大半を抑え、1591年元就の嫡子輝元(私注:資料原文どおり。正確には嫡孫に当たります)は築城なった広島城をその本拠にした。毛利氏の大名化の契機をどこに求めるかについて諸説あるが、戦国期を通じて国人領主連合の盟主という側面は消えなかった。関ヶ原の戦いののち、毛利氏は周防・長門に減封、福島正則が安芸と備後を領して広島に入封した。 【生活・産業】 瀬戸内海に面する安芸・備後両国は、製塩と造船が盛んで、製塩は沿岸部・島嶼部で広く行われた。山間地域に産する鉄を加工する鍛冶・鋳物師(いもじ)の活動も多く、安芸の三入鍛冶・廿日市鋳物師、備後の宇津戸鋳物師・三原鍛冶・三原鋳物師などが有名である。いずれも戦国時代に需要が増し、生産量も増大した可能性が高い。備後国沼隈郡城などに産する藺草(いぐさ)を原料とする「備後表」は、1460年にはじめて史料にあらわれた。 【文化・宗教】 戦国時代の広島県を代表するものとして、厳島神社信仰と「安芸門徒」とをあげることができる。安芸国一宮厳島社は、大内氏・毛利氏の篤い保護をうけ、また多数の中央文化人が来訪するとともに、対明貿易の中継点の一つにもなって、さまざまな要素を含む厳島文化を形成した。その一方で、厳島信仰は庶民にも浸透した。 広く庶民の心をとらえたのが浄土真宗である。中国地方に真宗を広めた明光派は、当初備後国山南村(沼隈町)に拠点をすえたが、戦国時代には安芸国高田郡へ本拠を移し、安芸での布教につとめた。やがて天文年間(1532~55)以降、本願寺勢力が伸長し、他宗から転宗する寺院が急増した。こうして、「安芸門徒」が形成されたのである。 島根県(出雲・隠岐・石見) 【政治・軍事】 出雲国の戦国時代は、尼子氏の盛衰の歴史である。出雲守護京極氏の守護代尼子氏は、応仁の乱で海上勢力の松田氏をはじめとする西軍方国人領主の攻撃を退け、日本海水運の要衝美保関と出雲東部を支配下におさめた。1509年の京極政経の死去によって守護権限を事実上継承した尼子経久は、さらに天文年間(1532~55)の初頭頃までに、出雲最大の経済的要地である出雲平野に基盤をもち、幕府奉公衆をつとめた塩冶(えんや)氏を掌握・討滅し、出雲西部と河川の水運を掌握した。また、1543年には、三沢氏領の鉄の産地横田荘を直轄化し、最大の国人領主三沢氏の勢力を削減した。こうした着実な権力拡大によって、尼子氏は出雲を基本領国として確保し、これを基盤として活発な他国への侵攻を繰りかえした。 戦国時代の石見は、大内氏・尼子氏両勢力のはざまにあって、国人領主連合が大きな意味をもつ地域だった。たとえば、益田氏領に隣接する吉見氏や、益田氏と同族の三隅氏は、室町・戦国期を通じ益田氏と対立関係にあったが、そのつど起請文を取りかわして紛争を解決しようとした。尼子氏の勢力は最盛時にも西部にはおよばず、大部分は大内氏勢力下にあったといえるが、1551年の大内氏滅亡で、石見の政治情勢は非常に不安定となった。 毛利氏による石見侵攻は、陶氏滅亡後の1556年より、毛利元就の次男吉川元春によって開始された。毛利氏は早い段階で益田氏など多くの国人領主を味方に引き入れたが、小笠原氏や、尼子氏へ転じた福屋氏など、石見東部の尼子方との間で激しい戦闘をまじえた。そして、1562年6月に石見銀山を奪取して、ようやく石見を制圧した。 ついで、7月には出雲への進撃を開始し、1566年11月に尼子氏を滅亡させ、出雲・隠岐・石見3国をその支配下に組みこんだ。毛利氏による山陰支配の担い手は吉川春元であり、「毛利両川体制」の一環として、とくに国人領主層の掌握に重要な役割を果たした。 毛利氏による支配は、豊臣政権下においても継続された。しかし関ヶ原の戦い後に毛利氏の勢力は一掃され、堀尾氏が入部し、松江城を築城した。 【生活・産業】 戦国時代の島根県を代表する物産は、鉄と銀である。鉄が宇竜浦(大社町)などから積みだされている事実は、この地域の鉄が日本海ルートを介して広く流通していたことを示している。出雲三沢氏や石見高橋氏・佐波氏が山間地域に本拠をもちながら、それぞれ国内最大級の勢力を有していた理由は、鉄を掌握していたからであると思われる。また、石見銀山は、1526年に博多商人の神谷寿貞が新たな坑道を開いて以降、急速に産出量がふえたと伝えられる。 【文化・宗教】 出雲国一宮の杵築大社(出雲大社、大社町)は、国を越えて広く信仰された。戦国時代には、国造家被官である御師の活動が活発化し、大社信仰の拡大・浸透と商品流通の発展に寄与した。なお、天正年間(1573~92)に上方では、「阿国かぶき」がおこったが、その創始者出雲阿国は杵築大社の巫女であったともいわれる。 鰐淵寺(平田市)は、伯耆大山寺とともに山陰地方を代表する、天台宗の大寺院であり、杵築大社の祭礼三月会に深くかかわるなど、同社とのつながりが強かった。一方、浄土真宗の寺院も多いが、これは備後・安芸への布教を進めた明光派の教線がおよんでいたためである。禅宗では、長く伯耆に滞在し、尼子経久と親交のあった相国寺の惟高妙安の存在が知られている。また雪舟等楊は、文明年間(1469~87)の数年間、石見益田氏のもとにあり、医光寺・万福寺(益田市)庭園をつくった。 岡山県(備前・備中・美作) 【政治・軍事】 備前・美作は中世後期を通じ赤松・山名両氏による争奪が繰りかえされたが、山名政豊の勢力が交代した1487年以降は、赤松氏が守護職を相承していった。しかし、しだいに国内領主層の自立性が強まり、とくに1518年守護赤松義村が、守護代浦上氏攻撃に失敗し、1521年自刃に追いこまれて以来、備前の事実上の主導権は、東部一帯に勢力をもつ浦上氏が握った。 浦上氏はその後本拠を吉井川の要衝天神山城(佐伯町)に移し、さらに勢力を拡大した。このほか、備前には西部の松田氏・伊賀氏、美作では西部の三浦氏、中部の原田氏、東部の後藤氏・江見氏などをはじめとする多数の有力な領主が蟠踞していた。 天文年間(1532~55)になると美作が出雲尼子氏の勢力下に入り、永禄年間(1558~70)には安芸毛利氏の侵攻が強まった。やがて宇喜多氏が急成長し、両国の大部分を制圧した。宇喜多氏は、もともと吉井川河口に本拠をもつ小規模な水上勢力のようだったが、天文年間から浦上氏の配下を脱して勢力を拡大した。1566年に備中三村氏、1568年に備前松田氏、そして1577年には浦上氏をそれぞれ滅ぼした。この国の、守護赤松氏→守護代浦上氏→守護代家臣宇喜多氏、という主導権の移行は、下克上の典型を示すものだった。 備中の守護職は細川氏が有していたが、国内領主層の自立性が強く、1491年に南部で守護代だった荘氏が反乱を起こしたほか、中部の三村氏、北部の新見氏などが勢力を強めていった。しかし、美作と同様に尼子氏・毛利氏の侵攻をうけ、政治情勢は複雑化した。 天正年間(1573~92)には備前・備後・美作が毛利・織田戦争の主要な戦場になり、高松城(岡山市)攻防戦の最中、本能寺の変が起き、城主清水宗治の切腹を条件に和睦して戦争は終わる。この間有力な領主や土豪層の多くが滅亡した。 豊臣政権下には、備中高梁川以西が毛利領、それ以東の備中と備前・美作は、対毛利戦で先鋒をつとめた宇喜多氏に領された。宇喜多秀家はこの時期岡山城の築造と城下町づくりに力をそそいだ。徳川政権になると、豊臣方に属した大名は一掃され、小早川秀秋、森忠政、小堀正次らが入封した。 【生活・産業】 岡山県の中世以来の著名な物産として備前焼と長船鍛冶があげられる。戦国時代の備前焼は、茶器や花器よりも日用雑器類が主流であった。また名刀として知られた長船刀も、この時代は大量生産によって品質をおとしていたといわれる。 【文化・宗教】 中世の岡山県は法然・栄西など著名な仏教思想家を生んだ。また備中には禅宗寺院が多く、山間部には密教寺院、備前南部を中心にした地域には、日蓮宗の寺院が多い。とくに「備前法華」といわれる日蓮宗は、松田氏・宇喜多氏の庇護によってさらに広まったと考えられ、牛窓の本蓮寺が知られる。なお、備中の大井荘(総社市)は、画家雪舟等楊の生誕地である。 講談社 クロニック 戦国全史 1995.12 より引用
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時代劇パロとは きそいちが考えた時代劇っぽい世界観の二次創作 キャラ解釈等もきそいちによる 作品ページ→時代劇パロ作品
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概要 核融合炉Mk.I 構成ブロックの作成核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I)本体ブロック LuVマシン外装(LuV Machine Hull) LuVハッチ・バス(LuV ~ Hatch/Bus) 核融合炉Mk.I の組み立て ヘリウムプラズマの作成 ユーロピウムの作成 Cristalprocesser(とLuVマシン)の作成LuVマシンコンポーネントの作成について LuVマシンコンポーネントのレシピ基本素材の作成レシピ LuVマシンコンポーネントの作成レシピ レーザー刻印機(LuV) 回路組立機(LuV) クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の作成クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の量産について 多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board) ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire) クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロックの作成クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe) 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロック コメント 概要 時代内容主に核融合炉Mk.Iの組み立てと稼動を目指す時代。 核融合炉Mk.Iの構成ブロックの作成、稼動に必要に電力を確保する。 主な作業核融合炉Mk.Iの構成ブロックの作成 核融合炉Mk.Iの組み立て ヘリウムプラズマ(Helium Plasma)の作成 Crystal回路の作成 次の時代への目標核融合炉Mk.2の作成に必要な素材の確保 核融合炉Mk.I 構成ブロックの作成 1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire) とても小さなタングステン鋼液体パイプ (Tiny Tungstensteel Fluid Pipe) 押出加工機(HV):とても小さなタングステン鋼液体パイプ (Tiny Tungstensteel Fluid Pipe)×2・タングステン鋼インゴット (Tungstensteel Ingot)×1・押出加工機の型[とても小さなパイプ] (Extruder Shape (Tiny Pipe) ):1 ホットバナジウムガリウムインゴット (Hot Vanadium-Gallium Ingot) 電気高炉(HV)[4500K]:ホットバナジウムガリウムインゴット (Hot Vanadium-Gallium Ingot)×4・ガリウムインゴット (Gallium Ingot)×1・バナジウムインゴット (Vanadium Ingot)×3 バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot) 真空冷凍機(MV):バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot)×1・ホットバナジウムガリウムインゴット (Hot Vanadium-Gallium Ingot)×1 バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot) ワイヤー作成機(LV):1倍バナジウムガリウムワイヤー (1x Vanadium-Gallium Wire)×2・バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot)×1 1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire) クラフト:1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×3・1倍バナジウムガリウムワイヤー (1x Vanadium-Gallium Wire)×3・とても小さなタングステン鋼液体パイプ (Tiny Tungstensteel Fluid Pipe)×2・電気ポンプ[LV] (Electric Pump (LV) )×2・窒素セル (Nitrogen Cell)×1・ヘリウムセル (Hellium Cell)×1 レシピ本:核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I)) [スキャン]核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I) スキャナー[レシピスキャン](LV~):データスティック (Data Stick)[核融合制御コンピュータマークⅠ]・1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×1・データスティック (Data Stick):1 ※右下に配置 イカスミ (Squid Ink) Fluid Extractor (LV):イカスミ (Squid Ink):144mB・イカスミ (Ink Sac)×1 印刷ページ(Printed Pages) プリンター (LV):印刷ページ(Printed Pages)×1・紙 (Paper)×3・イカスミ (Squid Ink):144mB・データスティック (Data Stick)[核融合制御コンピュータマークⅠ]:1 ※右下に配置 記入済みの本(Written Book)[核融合制御コンピュータマークⅠ] 組立機 (LV):記入済みの本(Written Book)×1・印刷ページ(Printed Pages)×1・革 (Leather)×1・のり (Glue):20mB 核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I)本体ブロック + レシピ ネタバレ注意 核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I) 必要電力:30000EU/t (LuV~)、加工時間:50秒 Bus 1:核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1 Bus 2:クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 3:クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 4:クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 5:クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 6:プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate)×1 Bus 7:ネザースタープレート(Nether Star Plate)×1 Bus 8:空間発生器(IV) (Field Generator (IV) )×2 Bus 9:HPICウエハー (HPIC Wafer)×32 Bus 10:1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×32 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):2880mB 核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1 超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block) 2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire) クラフト:2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire)×1・1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×2 超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block) クラフト:超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block)×1・2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire)×8・レンチ:1 イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector) 錫合金インゴット (Tin Alloy Ingot) 合金製錬機(LV):錫合金インゴット (Tin Alloy Ingot)×2・鉄インゴット (Iron Ingot)×1・錫インゴット (Tin Ingot)×1 錫合金プレート (Tin Alloy Plate) 金属加工機(LV):錫合金プレート (Tin Alloy Plate)×1・錫合金インゴット (Tin Alloy Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1]):1 中性子反射板 (Neutron Reflector) クラフト:中性子反射板 (Neutron Reflector)×1・錫合金プレート (Tin Alloy Plate)×6・ベリリウムプレート (Berylium Plate)×1・グラファイトの粉 (Graphite Dust)×2 ホットタングステンカーバイドインゴット(Hot Tungstencarbide Ingot) 電気高炉(HV)[2460K]:ホットタングステンカーバイドインゴット(Hot Tungstencarbide Ingot)×2・タングステンインゴット(Tungsten Ingot)×1・カーボンの粉(Carbon Dust)×1 タングステンカーバイドインゴット(Tungstencarbide Ingot) 真空冷凍機(MV):タングステンカーバイドインゴット(Tungstencarbide Ingot)×1・ホットタングステンカーバイドインゴット(Hot Tungstencarbide Ingot)×1 タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate) 金属加工機(LV):タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate)×1・タングステンカーバイドインゴット(Tungstencarbide Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1]):1 厚い中性子反射板 (Thick Neutron Reflector) クラフト:厚い中性子反射板 (Thick Neutron Reflector)×1・タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate)×1・ベリリウムプレート (Berylium Plate)×2・中性子反射板 (Neutron Reflector)×2 イリジウム合金インゴット (Iridium Alloy Ingot) クラフト:イリジウム合金インゴット (Iridium Alloy Ingot)×1・合金板 (Advanced Alloy)×4・イリジウムプレート (Iridium Plate)×4・工業用ダイヤモンド (Industrial Diamond)×1 イリジウム強化プレート (Iridium Reinforced Plate) 内破圧縮機(LV):イリジウム強化プレート (Iridium Reinforced Plate)×1+とても小さな黒灰 (Tiny Pile of Dark Ashes)×4・イリジウム合金インゴット (Iridium Alloy Ingot)×1・[火薬箱 (Powderbarrel)×16/ダイナマイト (Dynamite)×4/TNT×4/工業用TNT (Industrial TNT)×2] イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector) クラフト:イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector)×1・タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate)×2・イリジウム強化プレート (Iridium Reinforced Plate)×1・厚い中性子反射板 (Thick Neutron Reflector)×6 空間発生器(MV) (Field Generator (MV) ) 空間発生器(MV) (Field Generator (MV) ) クラフト:空間発生器(MV) (Field Generator (MV) )×1・エンダーアイ (Ender Eye)×1・2倍オスミウムワイヤー(2x Osmium Wire)×4・MV電子回路×4 核融合コイルブロック(Fusion Coil Block) クラフト:核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1・超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block)×1・空間発生器(MV) (Field Generator (MV) )×2・イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector)×2・LuV電子回路×4 プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate)×1 とても小さなプルトニウム241の粉(Tiny Pile of Plutonium 241 Dust) 遠心分離(HV):とても小さなプルトニウム241の粉(Tiny Pile of Plutonium 241 Dust)×1(20%)+とても小さなウラン238の粉(Tiny Pile of Uranium 238 Dust)×1(30%)・プルトニウム239の粉(Plutonium 239 Dust)×1 プルトニウム241の粉(Plutonium 241 Dust) クラフト:プルトニウム241の粉(Plutonium 241 Dust)×1・とても小さなプルトニウム241の粉(Tiny Pile of Plutonium 241 Dust)×9 プルトニウム241インゴット(Plutonium 241 Ingot) 製錬:プルトニウム241インゴット(Plutonium 241 Ingot)×1・プルトニウム241の粉(Plutonium 241 Dust)×1 プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate) 金属加工機(LV):プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate)×1・プルトニウム241インゴット(Plutonium 241 Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1]):1 ネザースタープレート(Nether Star Plate)×1 ネザースターブロック(Nether Star Block) 圧縮機(LV):ネザースターブロック(Nether Star Block)×1・ネザースター(Nether Star)×9 ネザースタープレート(Nether Star Plate) 切断機(LV):ネザースタープレート(Nether Star Plate)×9・ネザースターブロック(Nether Star Block)×1・潤滑油(Lebricant):22mB 空間発生器(IV) (Field Generator (IV) )×2 クアンタムスター(Quantum Star) #ref error :ご指定のファイルが見つかりません。ファイル名を確認して、再度指定してください。 (quantum_star.png) 化学槽(HV):クアンタムスター(Quantum Star)×1・ネザースター(Nether Star)×1・ラドン(Radon):1250mB 空間発生器(IV) (Field Generator (IV) ) クラフト:空間発生器(IV) (Field Generator (IV) )×1・クアンタムスター(Quantum Star)×1・IV電子回路×4・16倍オスミウムワイヤー(16x Osmium Wire)×4 HPICウエハー (HPIC Wafer)×32 PICウエハー (PIC Wafer) レーザー刻印機(HV)[無菌室]:PICウエハー (PIC Wafer)×1・グロウストーン注入ウエハー(Quantum Star)×1・青色レンズ([Sappire/Opal/Blue Topaz] Lens):1 リン化インジウムガリウムの粉 (Indium Gallium Phosphide Dust) クラフト:リン化インジウムガリウムの粉 (Indium Gallium Phosphide Dust)×3・インジウムの粉(Indium Dust)×1・ガリウムの粉(Gallium Dust)×1・リンの粉(Phosphor Dust)×1 HPICウエハー (HPIC Wafer) 化学反応炉(EV):HPICウエハー (HPIC Wafer)×1・PICウエハー (PIC Wafer)×1・リン化インジウムガリウムの粉 (Indium Gallium Phosphide Dust)×2・溶融赤合金(Molten Red Alloy):288mB クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×4 1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×32 溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):2880mB LuVマシン外装(LuV Machine Hull) LuVマシン外装(LuV Machine Casing) クラフト:LuVマシン外装(LuV Machine Casing)×1・クロムプレート (Chrome Plate)×8・レンチ:1 LuVハッチ・バス(LuV ~ Hatch/Bus) LuVマシン筐体(LuV Machine Casing) 組立機(LV):LuVマシン筐体(LuV Machine Casing)×1・LuVマシン外装(LuV Machine Hull)×1・1倍バナジウムガリウムケーブル (1x Vanadium-Gallium Cable)×2・溶融ポリエチレン:288mB LuVエネルギーハッチ(LuV Energy Hatch) クラフト:LuVエネルギーハッチ(LuV Energy Hatch)×1・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1・1倍バナジウムガリウムケーブル (1x Vanadium-Gallium Cable)×1 LuV搬入ハッチ(LuV Input Hatch) クラフト:LuV搬入ハッチ(LuV Input Hatch)×1・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1・強化ガラス (Reinforced Glass)×1 LuV搬出ハッチ(LuV Output Hatch) クラフト:LuV搬出ハッチ(LuV Output Hatch)×1・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1・強化ガラス (Reinforced Glass)×1 核融合炉Mk.I の組み立て 1段目・LuVマシンケーシング:322段目・超電導コイルブロック 32・LuVマシンケーシング 58~46・LuVエネルギーハッチ 4~16・LuV搬出ハッチ 1・核融合炉Mk.1本体ブロック 13段目・LuVマシンケーシング:32 GUI NEIレシピ クラフトごとに起動する際に起電力が必要になる。核融合炉Mk.1に取り付けたエネルギーハッチの数で蓄電量が決まる(エネルギーハッチ1個で1000万EU蓄電でき、最大で16個設置できる) ヘリウムプラズマの作成 ヘリウム3(Helium-3) 遠心分離機(LV):ヘリウム3(Helium-3):100mB + エンドストーン(Endstone Dust)×1・汚れたエンドストーンの粉(Impure Pile of Endstone Dust)×1・ヘリウム3(Helium-3):100mB遠心分離機(MV):ヘリウム3(Helium-3):1mB・ヘリウム(Helium):16mB 重水素(Deuterium) 遠心分離機(LV):重水素(Deuterium):4mB・水素(Hydrogen):16mB ヘリウムプラズマ(Hellium Plasma) 核融合炉(EV):ヘリウムプラズマ(Hellium Plasma):125mB・ヘリウム3(Helium-3):125mB・重水素(Deuterium):125mB起電力:60'000'000EU ユーロピウムの作成 溶融ユーロピウム(Molten Europium) 核融合炉(LuV):溶融ユーロピウム(Molten Europium):16mB・水素(Hydrogen):48mB・溶融ネオジム(Molten Neodymium):16mB起電力:150'000'000EUレート:水素:3 + 溶融ネオジム:1→ 溶融ユーロピウム:1 Cristalprocesser(とLuVマシン)の作成 クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) 回路組立機(LuV~):多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・クリスタルプロセッシングユニット(Crystal Processing Unit)×1・ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×1・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×2・チップトランジスタ(SMD Transistor)×2・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×2・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[72/144/288]mB クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser),クリスタルプロセッシングユニット(Crystal Processing Unit)の作成にLuVマシンが必要になるため、まずは回路組立機(LuV)、レーザー刻印機(LuV)を作成する。 LuVマシンコンポーネントの作成について LuV以降のマシンコンポーネント(電気モーター、コンベアーモジュール等)は「組み立てライン(Assembly Line)」を使用して作成していく。作成レシピやデータは、作成したいマシンコンポーネントの一つ下の電圧レベルのアイテムをスキャンすることで入手できる(例:「電気モーター(LuV)」を作成する場合は「電気モーター(IV)」をスキャナーでスキャンする)。 LuVマシンコンポーネントのレシピ 組み立てラインで作成するアイテムのNEIレシピはアイテム作成の実績を取るとNEIレシピに表示される。 実績は組み立てライン(Assembly Line)で作成したアイテムを拾うことで獲得できる。 ※スキャナーでスキャンしたデータスティックがないと必要アイテムを揃えても組み立てラインを起動できない。 基本素材の作成レシピ 1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable) イットリウムの粉(Small Yttrium Dust) 遠心分離機[Centrifuge](LV~):・レアアース(Rare Earth)×1※25%の確率で入手できる。レアアースはレッドストーン鉱石の加工やモナズ石の粉の電気分解等で入手できる。 バリウムの粉(Barium Dust) 電気分解[Electrolyzer](MV~):・重晶石の粉(Barite Dust)×6重晶石はクォーツ鉱脈から入手できる。 イットリウムバリウム銅酸塩の粉(Yttrium Barium Cuprate Dust) クラフト:・イットリウムの粉(Yttrium Dust)×1・バリウムの粉(Barium Dust)×2・銅の粉(Copper Dust)×3 イットリウムバリウム銅酸塩インゴット(Yttrium Barium Cuprate Ingot) 電気高炉(MV~)[4500K~]:・イットリウムバリウム銅酸塩の粉(Yttrium Barium Cuprate Dust)×1真空冷凍機(MV~):・ホットイットリウムバリウム銅酸塩インゴット(Hot Yttrium Barium Cuprate Ingot)×1 1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable) ケーブル作成機[Wiremill](LV~):・イットリウムバリウム銅酸塩インゴット(Yttrium Barium Cuprate Ingot)×1組立機(LV~):・1倍イットリウムバリウム銅酸塩ワイヤー(1x Yttrium Barium Cuprate Wire)×1・[イットリウムバリウム銅酸塩ホイル(Yttrium Barium Cuprate Foil)/ポリフェニレンスルファイドホイル(Polyphenylene Sulfide Foil]×1・プログラム回路[24](Programmed Circuit[Config = 24]):1・[溶融シリコーンゴム(Molten Silicone Rubber)/溶融スチレン・ブタジエンゴム(Molten Styrene-Butadiene Rubber)]:72mB※プログラム回路の代わりに、[小さなポリ塩化ビニルパルプ(Polyvinyl Chloride Pulp)か小さなポリメチルシロキサンパルプ(Polymethylsilxanee Pulp)を使用することで、溶融ゴムの使用量を減らすことができる(72mB → 36mB) HSS-G鋼アイテム(HSS-G ~ ) HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate) プレート作成機[Bending Machine](LV~):・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit[Config = 1]) 1 HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod) 押出加工機[Extruder](HV~):・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1・押出加工機の型(ロッド)(Extruder Shape (Rod)) 1 ロングHSS-G鋼ロッド(Long HSS-G Rod) ハンマー[Forge Hammer](LV~):・HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×2 HSS-G鋼スクリュー(HSS-G Screw) 切断機[Cutting Machine](LV~):・HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×1・潤滑油(Lubricant) 1mB→旋盤[Lathe](LV~):・HSS-G鋼ボルト(HSS-G Bolt)×1 HSS-G鋼リング(HSS-G Ring) 押出加工機[Extruder](HV~):・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1・押出加工機の型(リング)(Extruder Shape (Ring)) 1 HSS-G鋼ローター(HSS-G Rotor) 組立機[Assembling Machine](LV~):・HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×4・HSS-G鋼リング(HSS-G Ring)×1・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[16/32/48]mB HSS-G鋼ラウンド(HSS-G Round) 製錬[かまど]:・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1→旋盤[Lathe](LV~):・HSS-G鋼ナゲット(HSS-G Nugget)×1 HSS-G鋼ギア(HSS-G Gear) 押出加工機[Extruder](HV~):・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×4・押出加工機の型(ギア)(Extruder Shape (Gear)) 1 小さなHSS-G鋼ギア(Small HSS-G Gear) クラフト:・HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×1・ハンマー(Hammer) 1 HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box) 組立機[Assembling Machine](LV~):・HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×4・プログラム回路[4](Programmed Circuit[Config = 4) 1 LuVマシンコンポーネントの作成レシピ + Electric Motor(LuV) 電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV)) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:ロング磁性ネオジムロッド(Long Magnetic Neodymium Rod)×1 Bus 2:ロングHSS-G鋼ロッド(Long HSS-G Rod)×2 Bus 3:軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 4:軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 5:軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 6:軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 7:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×2 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):144mB Hatch 2:潤滑油(Lubricant):250mB ロング磁性ネオジムロッド(Long Magnetic Neodymium Rod) ハンマー[Forge Hammer](LV~):・ネオジムロッド(Neodymium Rod)×2→磁化機[Polarizer](HV~):・ロングネオジムロッド(Long Neodymium Rod)×1 + Electric Pump(LuV) 電気ポンプ(LuV)(Electric Pump (LuV)) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×1 Bus 2:小さな高圧液体パイプ(Small High Pressure Fluid Pipe)×2 Bus 3:HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×2 Bus 4:HSS-G鋼スクリュー(HSS-G Screw)×8 Bus 5:シリコーンゴムリング(Silicone Rubber Ring)×4 Bus 6:HSS-G鋼ローター(HSS-G Rotor)×2 Bus 7:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×2 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):144mB Hatch 2:潤滑油(Lubricant):250mB 小さな高圧液体パイプ(Small High Pressure Fluid Pipe) ハンマー[組立機[Assembling Machine](MV~):・小さなタングステン鋼液体パイプ(Small Tungstensteel Fluid Pipe)×1・電気ポンプ(EV)(Electric Pump (EV))×1 + Conveyor Module(LuV) コンベヤーモジュール(LuV)(Conveyor Module (LuV)) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×2 Bus 2:HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×2 Bus 3:HSS-G鋼リング(HSS-G Ring)×4 Bus 4:HSS-G鋼ラウンド(HSS-G Round)×32 Bus 5:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×2 Hatch 1:溶融スチレン - ブタジエンゴム(Molten Styrene-Butadiene Rubber):1440mB Hatch 2:潤滑油(Lubricant):250mB + Electric Piston(LuV) 電気ピストン(LuV)(Electric Piston (LuV)) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×1 Bus 2:HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×6 Bus 3:HSS-G鋼リング(HSS-G Ring)×4 Bus 4:HSS-G鋼ラウンド(HSS-G Round)×32 Bus 5:HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×4 Bus 6:HSS-G鋼ギア(HSS-G Gear)×1 Bus 7:小さなHSS-G鋼ギア(Small HSS-G Gear)×2 Bus 5:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×4 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):144mB Hatch 2:潤滑油(Lubricant):250mB + Robot Arm (LuV) ロボットアーム(LuV)(Robot Arm (LuV)) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:ロングHSS-G鋼ロッド(Long HSS-G Rod)×4 Bus 2:HSS-G鋼ギア(HSS-G Gear)×1 Bus 3:小さなHSS-G鋼ギア(Small HSS-G Gear)×3 Bus 4:電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×2 Bus 5:電気ピストン(LuV)(Electric Piston (LuV))×1 Bus 6:マスタークアンタムコンピュータ(Master Quantumcomputer)×2 Bus 7:クアンタムプロセッサーアセンブリ(Quantumprocessor Assembly)×2 Bus 8:ナノプロセッサー(Nanoprocessor)×6 Bus 9:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×6 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):576mB Hatch 2:潤滑油(Lubricant):250mB + Emitter(LuV) エミッター(LuV)(Emitter (LuV)) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box)×1 Bus 2:エミッター(IV)(Emitter (IV))×1 Bus 3:エミッター(EV)(Emitter (EV))×2 Bus 4:エミッター(HV)(Emitter (HV))×4 Bus 5:ナノプロセッサー(Nanoprocessor)×7 Bus 6:エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 7:エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 8:エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 9:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×7 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):576mB + Sensor(LuV) センサー(LuV)(Sensor (LuV)) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box)×1 Bus 2:センサー(IV)(Sensor (IV))×1 Bus 3:センサー(EV)(Sensor (EV))×2 Bus 4:センサー(HV)(Sensor (HV))×4 Bus 5:ナノプロセッサー(Nanoprocessor)×7 Bus 6:エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 7:エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 8:エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 9:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×7 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):576mB + Field Generator(LuV) 空間発生器(LuV)(Field Generator (LuV)) #ref error :ご指定のファイルが見つかりません。ファイル名を確認して、再度指定してください。 (field_generator_luv.png) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box)×1 Bus 2:HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×6 Bus 3:クアンタムスター(Quantum Star)×1 Bus 4:エミッター(LuV)(Emitter (LuV))×4 Bus 5:マスタークアンタムコンピュータ(Master Quantumcomputer)×8 Bus 6:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 7:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 8:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 9:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 10:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×8 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):576mB レーザー刻印機(LuV) レーザー刻印機(LuV) (Advanced Precision Laser Engraver V) クラフト:・エミッター(LuV)(Emitter (LuV))×1・電気ピストン(LuV)(Electric Piston (LuV))×2・LuV電子回路(Master Quantumcomputer)×3・1倍ニオブチタンケーブル(1x Niobium-Titanium Cable)×2・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1 回路組立機(LuV) 回路組立機(LuV) (Advanced Circuit Assembling Machine V) クラフト:・ロボットアーム(LuV)(Robot Arm (LuV))×1・エミッター(LuV)(Emitter (LuV))×1・コンベヤーモジュール(LuV)(Conveyor Module (LuV))×2・ZPM電子回路(Quantumcomputer Mainframe)×2・1倍ニオブチタンケーブル(1x Niobium-Titanium Cable)×2・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1 クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の作成 クリスタルCPU(Cristal Processing Unit) 生のクリスタルチップ (Raw Crystal Chip) Autoclave(HV~):・とても大きなエメラルド/かんらん石(Exquisite [Olivine/Emerald])×1・溶融ユーロピウム:16mB※10%の確率で作成できる。 刻印されたクリスタルチップ (Engraved Crystal Chip) 電気高炉(HV~)[5000K~]:・生のクリスタルチップ (Raw Crystal Chip)×1・エメラルド/かんらん石プレート([Olivine/Emerald] Plate)×1・ヘリウム:1000mB クリスタルCPU (Crystal Processing Unit) レーザー刻印機(LuV~):・刻印されたクリスタルチップ (Engraved Crystal Chip)×1・エメラルドレンズ(Emerald Lens):1※無菌室(Cleanroom)内で作成する。 クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の量産について クリスタルCPU (Crystal Processing Unit)を単体クラフトすると、生のクリスタルチップ (Raw Crystal Chip)が9個作成できるため、最初の一個目はAutoclaveを使用したレシピでチップを作成して、それ以降はクリスタルCPU の単体クラフトで増やしていく。 多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board) 多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board) 化学反応器[Largeでも可](HV~):・繊維強化回路基板(Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・エレクトラムホイル(Electrum Foil)×16・硫酸(Sulfuric Acid):250mB ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire) ニオブの粉(Niobium Dust [Tiny Pile of Niobium Dust]) 入手方法:熱遠心分離[Thermal Centrifuge]:[砕けた/洗浄された]タンタル石([Crushed/Purified] Tantalite Ore)×1→Tiny Pile of Niobium Dust×1遠心分離[ Centrifuge]:洗浄されたタンタル石の粉(Purified Tantalite Dust)×1→Tiny Pile of Niobium Dust×1電気分解[ Electrolyzer]:パイロクロアの粉(Pyrochlore Dust)×11→Niobium Dust×2粉砕副産物[Pulverization]:・洗浄されたタンタル石(Purified Tantalite Ore)・熱遠心分離されたパイロクロア鉱石(Centrifuged Pyrochlore Ore)・熱遠心分離された軟マンガン鉱石(Centrifuged Pyrolusite Ore)→Niobium Dust×1(10%) ニオブインゴット(Niobium Ingot) 電気高炉(MV~)[4500K~]:・ニオブの粉(Niobium Dust)×1→真空冷凍機(MV~):・ホットニオブインゴット(Hot Niubium Ingot)×1 ニオブチタンインゴット(Niobium-Titanium Ingot) 電気高炉(MV~)[4500K~]:・ニオブインゴット(Niobium Ingot)×1・チタンインゴット(Titanium Ingot)×1真空冷凍機(MV~):・ホットニオブチタンインゴット(Hot Niobium-Titanium Ingot)×1 ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire) ケーブル作成機[Wiremill](LV~):・ニオブチタンインゴット(Niobium-Titanium Ingot)×1→ケーブル作成機[Wiremill](LV~):・1倍ニオブチタンワイヤー(1x Niobium-Titanium Wire)×1 クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) 回路組立機(LuV~):多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・クリスタルプロセッシングユニット(Crystal Processing Unit)×1・ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×1・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×2・チップトランジスタ(SMD Transistor)×2・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×2・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[72/144/288]mB 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロックの作成 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)[レシピ] スキャナー:・ユーロピウムブロック(Block of Europium)×1・データスティック:1 核融合マーク1で作成できるユーロピウムをブロックにしたものをスキャンすることで核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロックの作成レシピがわかる。 クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe) クリスタルプロセッサーメインフレーム(Cristalprocesser Mainframe) 回路組立機[Circuit Assembler](LuV~):多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser)×2・小さなコイル(Small Coil)×4・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×4・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×6・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[144/288/576]mB 回路組立機[Circuit Assembler](LuV~):多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×2・クリスタルプロセッサーアセンブリ(Cristalprocesser Assembly)×3・チップダイオード(SMD Diode)×4・NORメモリチップ(NOR Memory Chip)×4・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×6・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[144/288/576]mB 回路組立機[Circuit Assembler](LuV~):アルミニウムフレームボックス(Aluminium Frame Box)×1・アルティメットクリスタルコンピュータ(Ultimate Crystalcomputer)×4・小さなコイル(Small Coil)×4・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×24・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×161倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×12・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[288/576/1152]mB 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロック + レシピ 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II) 必要電力:60000EU/t (LuV[2A~]/ZPM~)、加工時間:50秒 Bus 1:核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1 Bus 2:クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 3:クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 4:クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 5:クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 6:ユーロピウムプレート(Europium Plate)×4 Bus 7:空間発生器(LuV) (Field Generator (LuV) )×2 Bus 8:HPICウエハー (HPIC Wafer)×48 Bus 9:2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire)×32 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):2880mB ※組立ラインのLuVエネルギーハッチを2個にして、LuV電力を2Aにすることで60000EU/tを確保できる(LuVバッテリーを2個入れたバッテリーバッファの出力繋げるなど)。 コメント 名前 コメント